Фільтр по характеристикамПоказати (147)
Фото | Опис | Ціни | Склад | |||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
M93C46-WMN6Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 7646 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||
M93C46-WMN6TPПослідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 31601 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||
M93C56-BN6Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 4771 Виробник: STMicroelectronics Корпус: DIP-8
|
|
Є на складі: 33 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||
M93C56-WMN6PПослідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 2 Кбіт, Орг. пам. = 256 х 8, 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 81252 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||
M93C66-WMN6PПослідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 4 Кбіт, Орг. пам. = 512 х 8, 256 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,...SKU: 114909 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||
M93C86-WBN6Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 256 х 8, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 21139 Виробник: STMicroelectronics Корпус: DIP-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||
M93C86-WMN6PПослідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8 або 1К х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 20699 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||
M93С46-BN6Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 х 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 4770 Виробник: STMicroelectronics Корпус: DIP-8
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||
M95256-WMN6PПослідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 37165 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||
M95256-WMN6TПослідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32K x 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+130, Tдост. = 60 нс,...SKU: 22367 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|