Фільтр по характеристикамПоказати (1561)
| Фото | Опис | Ціни | Склад | |||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FB10R06KL4GТранзистор IGBT, Pmax, Вт = 69,5, Uceb, В = 600, Ic, А = 10, Тексп, °С = -40...+80, td(on), нс = 30, td(off), нс = 230,...SKU: 45079 Виробник: Infineon Technologies Корпус: 56x45.6x20.5mm
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 20 |
|
|||||||||||||
FGH40N60SMDFТранзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic = 80 А, tз, мс = 0,012, Uce(on), В = 2,5, Р, Вт = 349, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний, Uge(th), В = 15, td(off), нс = 92,...SKU: 108845 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 450 |
|
|||||||||||||
FGH50T65UPDТранзистор IGBT, Uceb, В = 650, Ic = 100 А, Pmax, Вт = 340, tз, мс = 32, Uce(on), В = 2,3, Р, Вт = 340, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний, td(off), нс = 160,...SKU: 106380 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-247AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 450 |
|
|||||||||||||
FGL40N120ANDTUТранзистор IGBT, Ic, А = 64, Pmax, Вт = 500, Uceb, В = 1 200, Uce(on), В = 3,2, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+150, Тип монт = вивідний, td(on), нс = 15, td(off), нс = 110,...SKU: 27657 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-264-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
FSBB10CH120DFТранзистор IGBT 3-фазний, Uce(on), В = 1 200, Ic, А = 10, Тексп, °С = -40...+125, Uізол, В = 2500,...SKU: 79251 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: DIP-27
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10 |
|
|||||||||||||
IGW40N65F5FKSA1Транзистор IGBT, Uceb, В = 650, Ic = 74 А, Pmax, Вт = 255, tз, мс = 0,019, Uce(on), В = 2,1, Тексп, °C = -40..+175, Тип монт. = Вивідний, Uge(th), В = 15, td(off), нс = 160,...SKU: 108433 Виробник: Infineon Technologies Корпус: TO-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IKCM10H60GAXKMA1Транзистор IGBT 3-фазовий, Uceb, В = 6 000, Ic = 10 А, Тексп, °C = -40...+125, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 112809 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PowerDIP-24
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 14 |
|
|||||||||||||
IKCM10H60HAXKMA1Транзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic, А = 10, Тексп, °С = -40...+150, Тип монт = вивідний, Uізол = 2000 В,...SKU: 95897 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PowerDIP-24
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IKW75N60TFKSA1Транзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic = 80 А, Pmax, Вт = 428, tз, мс = 0,033, Uce(on), В = 2, Р, Вт = 428, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = на плату, td(off), нс = 330,...SKU: 127137 Виробник: Infineon Technologies Корпус: TO-247-3
|
|
Є на складі: 29 Очікується: 50 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
IRG4IBC20UDТранзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic, А = 11,4 @ 25 °C, Pmax, Вт = 34 @ 25 °C, Uce(on), В = 2,27 @ Ic= 13 A, Uge(th), В = 3...6 @ Vce = Vge @ 250 uA, Тексп, °С = -55...+150, Тип монт = вивідний, td(on), нс = 39, td(off), нс = 93,...SKU: 40366 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220-3
|
|
Є на складі: 9 Очікується: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRG4PC30UDТранзистор IGBT+DI (Vce=600V, Ic=23A@t=25C, Ic=12A@t=100C, Vce(on)=1.95V(typ), P=100W@t=25C, P=42W@t=100C, -55 to +150C)....SKU: 7822 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247AC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRG4PC50KDТранзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic, А = 52 @ 25 °C, Pmax, Вт = 200 @ 25 °C, Uce(on), В = 2,19, Uge(th), В = 3...6 @ Vce=Vge @ Ic = 250 uA, Тексп, °С = -55...+150, Тип монт = вивідний, td(on), нс = 63, td(off), нс = 150,...SKU: 18931 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247AC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRG4PC50UDPBFТранзистор IGBT, Ic, А = 55, Pmax, Вт = 200, Uce(on), В = 600, Uge(th), В = 2 @ 15 В, 27 А, Тексп, °С = -55...+150, Тип монт = вивідний,...SKU: 47579 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247AC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRG4PH50KDPBFТранзистор IBGT, Uceb, В = 1 200, Ic, А = 45, Pmax, Вт = 200, Uce(on), В = 3,5, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+150, Тип монт = вивідний, td(on), нс = 140, td(off), нс = 87,...SKU: 57870 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247AC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRG4PSC71UDТранзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic, А = 85 ., Pmax, Вт = 350, Uce(on), В = 2, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+150, Тип монт = вивідний, td(on), нс = 90, td(off), нс = 245,...SKU: 16368 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SUPER-247
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRG4PSC71UDPBFТранзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic, А = 85, Pmax, Вт = 350, Uce(on), В = 2, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+150, Тип монт = вивідний, td(on), нс = 90, td(off), нс = 245,...SKU: 58996 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SUPER-247
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 142 |
|
|||||||||||||
IRG4PSC71UPBFТранзистор IGBT, Pmax, Вт = 350, Uce(on), В = 2, Uceb, В = 600, Ic, А = 85, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+150, Тип монт = вивідний, td(on), нс = 30, td(off), нс = 129,...SKU: 81718 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SUPER-247
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IXGH16N170Транзистор IGBT, Uceb, В = 1 700, Ic, А = 32, Pmax, Вт = 190, Uce(on), В = 3,5, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+150, Тип монт = вивідний, td(on), нс = 45, td(off), нс = 400,...SKU: 82694 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-247AD
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
IXGH30N60C3Транзистор IGBT без зворотного діоду, Uceb, В = 600, Ic, А = 60, Pmax, Вт = 220, Uce(on), В = 3, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -40...+125, Тип монт = вивідний, td(on), нс = 26, td(off), нс = 42,...SKU: 64412 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-247AD
|
|
Є на складі: 27 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
IXGH48N60C3Транзистор IGBT без зворотного діода, Uceb, В = 600, Ic, А = 75, Pmax, Вт = 300, Uce(on), В = 2,5, Тексп, °С = -40...+125, Тип монт = вивідний,...SKU: 64414 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-247AD
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
IXGH48N60C3D1Транзистор IGBT (PT), Pmax, Вт = 300, Uce(on), В = 2,5, Vceb, В = 600, Ic, А = 75, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+150, Тип монт = вивідний,...SKU: 59601 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-247AD
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
IXGH60N60C3Транзистор IGBT, Pmax, Вт = 380, Uce(on), В = 2,5, Vceb, В = 600, Ic, А = 75, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 65422 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-247AD
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
IXGH72N60C3Транзистор IGBT, Pmax, Вт = 540, Uce(on), В = 600, Ic, А = 75, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+150, Тип монт = вивідний,...SKU: 68135 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-247AD
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
IXGK120N120A3Транзистор IGBT, Pmax, Вт = 830, Uce(on), В = 2,2, Uceb, В = 1 200, Ic, А = 240, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+150, Тип монт = вивідний, td(on), нс = 40, td(off), нс = 490,...SKU: 80685 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-264-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IXYH40N90C3D1Транзистор IGBT, Uceb, В = 900, Ic = 90 А, Pmax, Вт = 500, Uce(on), В = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 66060 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-247AD
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
IXYP20N120C3Транзистор IGBT, Uceb, В = 1 200, Ic = 40 А, tз, мс = 0,02, Р, Вт = 278, Тип монт. = Вивідний, td(off), нс = 90,...SKU: 113055 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
MG50Q6ES50IGBT-модуль (6 x IGBT транзисторів), Uceb, В = 1 200, Ic, А = 72 @ 25 °C, Pmax, Вт = 300 @ 25 °C, Тексп, °С = -40...+125, Тип монт = на шасі, td(on), нс = 150, td(off), нс = 600,...SKU: 1035 Виробник: Toshiba Корпус: Module (107x45x21mm)
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10 |
|
|||||||||||||
MID550-12A4Транзистор IGBT, Pmax, Вт = 2 750, Uce(on), В = 2,8, Uceb, В = 1 200, Ic, А = 670, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -40...+125, Тип монт = на шасі, td(on)+tf,нс = 100, td(off)+tf,нс = 650,...SKU: 64022 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: Y3-DCB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 6 |
|
|||||||||||||
MII300-12A4Транзистор IGBT, Uceb, В = 1 200, Ic, А = 330, Uce(on), В = 2,2, Uge(th), В = 4,5...6,5, Тексп, °С = -40...+125, Тип монт = выводной, td(on), нс = 100, td(off), нс = 90,...SKU: 64021 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: Y3-DCB
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 6 |
|
|||||||||||||
SK 50 DGDL 066 TТранзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic = 55 А,...SKU: 101818 Виробник: Semikron Корпус: ....
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 12 |
|
|||||||||||||
STGF30H60DFТранзистор IGBT, Pmax, Вт = 37, Uce(on), В = 600, Uceb, В = 2,4, Ic, А = 60, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -40...+175, Тип монт = вивідний, td(on), нс = 50, td(off), нс = 160,...SKU: 80181 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
STGIF5CH60TS-LТранзистор IGBT (3-фазовий інвертор), Uce(on), В = 600, Ic, А = 8, Тексп, °С = -40...+125, td(on), нс = 265, td(off), нс = 305, Ізол., В = 1500,...SKU: 80200 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SDIP-26
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 13 |
|
|||||||||||||
STGIPN3H60Транзистор IGBT 3-фазний, Uce(on), В = 600, Ic, А = 3, Тексп, °С = -40...+125, Тип монт = вивідний, td(on)+tf, нс = 275, td(off)+tf, нс = 890, Uізол. = 1000 В,...SKU: 78116 Виробник: STMicroelectronics Корпус: NDIP-26L
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 17 |
|
|||||||||||||
STGIPS10K60AТранзистор IGBT, 3-фазовий, Ic, А = 10, Uce(on), В = 600, Тексп, °С = -40...+125, Тип монт = вивідний, Uізол, В = 2500,...SKU: 67727 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SDIP-25
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 11 |
|
|||||||||||||
STGW15H120DF2Транзистор IGBT, Uceb, В = 1 200, Ic, А = 30, Pmax, Вт = 259, Uce(on), В = 2,6, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+175, Тип монт = вивідний, td(on), нс = 23, td(off), нс = 111,...SKU: 98409 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
STGW20NB60KDТранзистор IGBT, Pmax, Вт = 170, Uce(on), В = 2,8, Uceb, В = 600, Ic, А = 100, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+150, Тип монт = вивідний,...SKU: 28203 Виробник: STMicroelectronics Корпус: ТО-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
STGW20NC60VDТранзистор IGBT, Pmax, Вт = 200, Uceb, В = 600, Uge(th), В = 2,5 @ 15 В, 20 А, Тексп, °С = -55...+150, Eімп. = 220 мкДж (вкл), 330 мкДж (викл),...SKU: 57883 Виробник: STMicroelectronics Корпус: ТО-247-3
|
|
Очікується: 1160 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
STGW25H120DF2Транзистор IGBT, Uceb, В = 1 200, Ic = 50 А, Pmax, Вт = 375, tз, мс = 0,029, Uce(on), В = 2,6, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний, Uge(th), В = 15, td(off), нс = 130,...SKU: 108843 Виробник: STMicroelectronics Корпус: ТО-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
2N7002N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 280 мА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 115081 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2N7002N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 300 мА, Ptot, Вт = 0,83, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,...SKU: 24139 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2N7002-7-FN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,37, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 100691 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 665 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2N7002,215N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 0,3 А, Ptot, Вт = 0,83, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Rds = 5 Ом @ 500 мА, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,...SKU: 61353 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2N7002,235N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 300 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,83, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 112745 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
2N7002AN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ptot, Вт = 0,2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,88 В @ 115 мА,...SKU: 52348 Виробник: KEC Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 78 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2N7002BK,215N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 350 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Qg, нКл = 0.6, Ugs(th) = 2.1 @ 250 мА, Р, Вт = 0,37 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 85181 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 746 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2N7002BKW,115N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 310 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Qg, нКл = 0,6, Rds = 1.6 @ 500mA, 10V Ом, Ugs(th) = 2,1 @ 250µA В, Р, Вт = 0,275 (Ta), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 122616 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-323
|
|
Є на складі: 5 Очікується: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2N7002CK,215N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 300 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 55 @ 25, Qg, нКл = 1,3 @ 4,5 В, Rds = 1,6 Ом @ 500 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,...SKU: 72003 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 3864 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2N7002E,215N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 385 мА, Ptot, Вт = 0,83, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Qg, нКл = 0,69 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,...SKU: 27783 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2N7002ET1GN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 260 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25, Qg, нКл = 0,81 @ 5 В, Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA,...SKU: 47554 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1597 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2N7002HSX2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 320 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 34 @ 10, Qg, нКл = 0,5, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 0,42, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 124891 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-363
|
|
Є на складі: 5 Очікується: 100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2N7002KT1GN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 320 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5 @ 20, Qg, нКл = 0,7 @ 4,5, Rds = 1,6 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,...SKU: 78225 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2N7002LT1GN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ptot, Вт = 0,225, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,...SKU: 4753 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2N7002LT3GN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ptot, Вт = 0,225, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,...SKU: 28911 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1256 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
2N7002T-7-FN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 114780 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-523
|
|
Є на складі: 3000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2N7002TB_R1_00001N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 0,115 А, Р, Вт = 0,15,...SKU: 114763 Виробник: PanJit Корпус: SOT-523
|
|
Є на складі: 3999 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2N7002WN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Rds = 7,5 Ом, Р, Вт = 0,225, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 100802 Виробник: LGE Корпус: SOT-323-3
|
|
Є на складі: 45 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10 |
|
|||||||||||||
2N7002WN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Р, Вт = 0,2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 92687 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-323-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2N7002WT1GN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5, Rds = 1,6@ 500 mA, Ugs(th) = 2.5V @ 250µA, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 114181 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-323-3
|
|
Є на складі: 4 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2SA2040-TL-EТранзистор PNP, Uceo, В = 50, Ic = 8, ft, МГц = 290, hFE = 200 @ 500 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 40 мA, 2 А, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 104620 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TP-FA-2
|
|
Є на складі: 37 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 700 |
|
|||||||||||||
2SB1132T100RТранзистор PNP, Uceo, В = 32, Ic = 1 А, ft, МГц = 150, hFE = 180 @ 100 мA, 3 В, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 35678 Виробник: Rohm Корпус: SOT-89-3
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
2SB1188T100QCTТранзистор PNP, Uceo, В = 32, Ic = 2, ft, МГц = 100, hFE = 120 @ 500 мА, 3 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,8 @ 200 мA, 2 А, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 33579 Виробник: Rohm Корпус: SOT-89-3
|
|
Є на складі: 13 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
2SB1386T100RTRANS PNP 20V 5A SOT-89...SKU: 44889 Виробник: Rohm Корпус: SOT-89
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
2SC2712-GRTE85LFТранзистор NPN, Ptot, Вт = 150 мВ, Uceo, В = 50, Ic = 150 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 80,...SKU: 50807 Виробник: Toshiba Корпус: TO-236MOD
|
|
Є на складі: 2820 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2SC3648T-TD-EТранзистор NPN, Uceo, В = 160, Ic = 700 мА, ft, МГц = 120, hFE = 100 @ 100 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 400mV @ 25 мA, 250 мА, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,...SKU: 107788 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-89-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
2SC5707-TL-EТранзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 8 А, ft, МГц = 330, hFE = 200 @ 500 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,24 @ 175 мA, 3,5 А, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 104612 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TP-FA-2
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
AO3400AN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,7 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 630 @ 15, Qg, нКл = 7 @ 4,5 В, Rds = 26,5 мОм @ 5,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА,...SKU: 93563 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Очікується: 27020 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AO3401AP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 15, Qg, нКл = 12,2 @ 4,5 В, Rds = 44 мОм @ 4,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,3 В @ 250 мкА,...SKU: 90275 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Очікується: 6 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AO3402N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 390 @ 15, Qg, нКл = 4.34, Rds = 55 мОм, Ugs(th) = 1.4 В, Р, Вт = 1,4, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 113623 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 46 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AO3404AN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 820 @ 15, Qg, нКл = 17 @ 10 В, Rds = 28 мОм @ 5,8 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1.4, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 114079 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AO3407AP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,3 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 830 @ 15, Qg, нКл = 16 @ 10 В, Rds = 48 мОм @ 4,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,...SKU: 86125 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 46 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AO3409P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 370, Qg, нКл = 9, Rds = 130 мОм, Ugs(th) = 3, Р, Вт = 1,4, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 133159 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AO3419P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 10, Qg, нКл = 4,4 @ 4,5 В, Rds = 85 мОм @ 3,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,4 В @ 250 мкА,...SKU: 94878 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AO3422N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 2,1, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25, Qg, нКл = 3,3, Rds = 160 мОм, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 1,25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 121203 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1242 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AO4404BN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 8,5, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 15, Qg, нКл = 12 @ 4,5 В, Rds = 24 мОм @ 8,5 A, 10 В, Ugs(th) = 1,5 @ 250 мкА, Р, Вт = 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 136678 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: SOIC-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AO4407AP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 12 А, Ptot, Вт = 3,1, Ciss, пФ @ Uds, В = 2600 @ 15, Qg, нКл = 39 @ 10 В, Rds = 11 мОм @ 12 A, 20 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,...SKU: 91927 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AO4441P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1120 @ 30, Qg, нКл = 20, Rds = 100 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 131842 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: SOIC-8
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AO4455P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3400 @ 15, Qg, нКл = 76 @ 10 В, Rds = 6,2 мОм @ 15 A, 20 В, Ugs(th) = 2,6 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 110504 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AO4485N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 10 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3000 @ 20, Qg, нКл = 55 @ 10 В, Rds = 15 мОм @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,7, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 116781 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 1057 Очікується: 1500 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AO48132P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 7,1 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1888 @ 15, Qg, нКл = 40, Rds = 25 мОм @ 7,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 10 В,...SKU: 61594 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 82 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AO48822N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 8 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 415 @ 20, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 19 мОм @ 8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 250 мкА,...SKU: 89014 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 9 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AO6402AN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 82 @ 15, Qg, нКл = 17, Rds = 27 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 121811 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: TSOP-6
|
|
Очікується: 400 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AO78002N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 0,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 120 @ 10, Qg, нКл = 1,9 @ 4,5 В, Rds = 300 мОм @ 900 мA, 4,5 В, Ugs(th) = 0,9 @ 250 мкА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 110827 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: SC70-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AOB240LN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3510 @ 20, Qg, нКл = 72 @ 10 В, Rds = 2,6 @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 1,9, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 125778 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: D2PAK
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 800 |
|
|||||||||||||
AOD2910N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 21,5, Ciss, пФ @ Uds, В = 1190 @ 50, Qg, нКл = 7, Rds = 24 мОм, Ugs(th) = 2,15 В, Р, Вт = 53,5, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 121080 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: DPAK-3
|
|
Очікується: 360 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
AOD409P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 26 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3600 @ 30, Qg, нКл = 54 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 20 А, 10 В, Ugs(th) = 2.4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2.5 (Ta), 60 (Tc), Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 124519 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: TO252
|
|
Є на складі: 334 Очікується: 1200 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
AOD413AP-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 12 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1125 @ 20, Qg, нКл = 21 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 50, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 119884 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: DPAK-3
|
Ціна потребує уточнення | Очікується: 300 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
AOD4184AN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 13 А, Ptot, Вт = 2,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1800 @ 20, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 7 мОм @ 20 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,6 В @ 250 мкА, P2, Вт = 50, Id2 = 50 А ,...SKU: 93821 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: DPAK-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
AOD4185P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 40 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2550 @ 20, Qg, нКл = 55 @ 10 В, Rds = 15 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 89015 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: DPAK-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
AOD4189N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 40 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1870 @ 20, Qg, нКл = 41 @ 10 В, Rds = 22 мОм @ 12 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Ptot2, Вт = 62,5,...SKU: 98466 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: DPAK-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
AOD424N-канальний ПТ, Id = 18 A (Ta), 45 A (Tc), Udss, В = 20, Ciss, пФ @ Uds, В = 4630 @ 10, Qg, нКл = 43 @ 10 В, Rds = 4,4 мОм @ 20 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,6 В @ 250 vrF, Р, Вт = 2,5 (Ta), 100 (Tc), Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 134471 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: DPAK
|
|
Очікується: 2500 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
AON6144N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 3780 @ 20, Qg, нКл = 70, Rds = 2,4 мОм, Ugs(th) = 2,4 В, Р, Вт = 78, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 125032 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: DFN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AON6226N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 48 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3130 @ 50, Qg, нКл = 60 @ 10 В, Rds = 7, 9 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 108, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 118862 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: DFN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AON6298N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1307, Qg, нКл = 16, Rds = 1,25 Ом, Ugs(th) = 2,85, Р, Вт = 78, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 132681 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: DFN5x6
|
|
Є на складі: 70 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AON6407N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 85, Ciss, пФ @ Uds, В = 3505 @ 15, Qg, нКл = 105 @ 10 В, Rds = 4,5 мОм @ 20 А, 10 В, Ugs(th) = 2,6 В @ 250 мкА, Р, Вт = 7,3 (Ta), 83 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 126364 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: DFN-8
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AON6590AN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 8320 @ 20, Qg, нКл = 100 @ 10, Rds = 0,99 @ 10 В, 20 А мОм, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 208, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 126677 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: DFN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AONS62614TN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3660 @ 30, Qg, нКл = 90, Rds = 2,5 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 142, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 128301 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: PowerSMD-8
|
|
Є на складі: 6 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AOSD62666E2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 9,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 755 @ 20, Qg, нКл = 10 @ 4,5 В, Rds = 14, 5 мОм @ 9,5A, 10 В, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 118860 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 12 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AOSP32368N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2270 @ 16, Qg, нКл = 60 @ 10 В, Rds = 5,5 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 2,4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 117202 Виробник: Alpha&Omega Semiconductor Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 180 Очікується: 2700 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AUIRFR4615N-канальний ПТ, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1750 @ 50, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 21 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 144, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 112763 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: DPAK-3
|
|
Є на складі: 31 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
AUIRFR5305TRLP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200, Qg, нКл = 63, Rds = 65 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 110, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 134546 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 4 Очікується: 40 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
AUIRFR540ZN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 35 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1690 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 28,5 мОм @ 21 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 50 мкА, Р, Вт = 91, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 114287 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 126 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
BC 847C E6327Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 47973 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23
|
|
Очікується: 4000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC807-16Транзистор PNP, Uceo, В = 400, Ic = 800 мА, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мА, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 135031 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 2800 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC807-16,215Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, ft, МГц = 80, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 106459 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC807-25Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 800 мА, ft, МГц = 80, hFE = 160/400 @ 100 мА, Р, Вт = 0,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 64944 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 44 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC807-25LT1GТранзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, ft, МГц = 100, hFE = 160 @ 100 мA, 1 В, Р, Вт = 0.3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 122850 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC807-40Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 800, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 114554 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
Ціна потребує уточнення | Є на складі: 17 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BC807-40Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 69723 Виробник: Kingtronics Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC807-40 _R1 _00001Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Р, Вт = 0,25, Тип монт. = smd,...SKU: 100231 Виробник: PanJit Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 2218 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC807-40-7-FТранзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 500, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 115234 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1400 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC807-40,215Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, ft, МГц = 250, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -40...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 34387 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 294 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC807-40,235Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,25, VCEO, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 80, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, VCEO(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 67064 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23
|
|
Є на складі: 238 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BC807-40LT1GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 121 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC807-40WТранзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=250mW, B=250-630@I=100mA, f>200MHz, -65 to +150C)....SKU: 6569 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-323
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC807,215Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 80, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 92368 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC807DS,1152 транзистори PNP, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, ft, МГц = 80, hFE = 160, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7, Р, Вт = 0,37, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 125898 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: TSOP-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC807DSF2 транзистори PNP, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, ft, МГц = 80, hFE = 160 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 0,37, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,...SKU: 114439 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: TSOP-6
|
|
Є на складі: 397 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BC807W,115Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,2, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 80, hFE = 100 @ 100 мА, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 70135 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-323
|
|
Є на складі: 535 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-16Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 0,8 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мА, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 124724 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 896 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-16,215Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 21515 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 44 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-16LT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 99809 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 51 Очікується: 100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-25Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,31, Uceo, В = 45, Ic = 800 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 160/40 @ 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 64943 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 8795 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-40Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 69724 Виробник: Kingtronics Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-40Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 800 мА, ft, МГц = 100, hFE = 250...630, Р, Вт = 0,31,...SKU: 114354 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-40Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 136022 Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-40,215Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 3458 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-40,235Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 66874 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BC817-40LT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 66750 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-40LT3GТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Р, Вт = 0,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 57248 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BC817-40WТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 102712 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-323
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-40WТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, ft, МГц = 100, hFE = 250, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7, Р, Вт = 200, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 123100 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-323
|
Ціна потребує уточнення | Є на складі: 4500 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-40W_R2_00001Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 300 мА,...SKU: 114328 Виробник: PanJit Корпус: SOT-323
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 12000 |
|
|||||||||||||
BC817,215Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.7 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 63859 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC818-40LT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 25, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 79423 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846/T1Транзистор NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=250mW, B=110-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to +150C)....SKU: 13819 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846AТранзистор NPN, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, ft, МГц = 300, hFE = 110, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.6 мВ@ 100mA, 5mA, Опис Транзистор NPN, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -55,,,+150,...SKU: 135358 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846A,215Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мА. 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 83314 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846ALT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 88537 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 3935 Очікується: 3000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846BТранзистор NPN, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 300 @ 5 В, 10 А, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,58 @ 2 мА, 5 В, Р, Вт = 0,2 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 73645 Виробник: Kingtronics Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 110 @ 2 мА, 5 В, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 55787 Виробник: KEC Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 6 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846BТранзистор NPN, Тип монт. = smd,...SKU: 54543 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 777 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846B,215Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 32680 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 767 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846B,235Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 57830 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BC846BE6327Транзистор NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -55 to +150C)....SKU: 28148 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BC846BLT1GТранзистор NPN, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 185 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846BT1(microSOT-23)Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200...290 @ 2 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 13518 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: microSOT-23
|
|
Є на складі: 25973 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846BWТранзистор...SKU: 27504 Виробник: NXP/Nexperia/We-En |
|
Є на складі: 97 Очікується: 100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846CТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 420/800 @ 2, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 66724 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 9 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846S.115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 110 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 100 мА, 5 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 87071 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-363
|
|
Є на складі: 130 Очікується: 100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)....SKU: 40591 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847AТранзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to, ft,МГц = x, Ic = x, Ptot,Вт = 300 mW, VCEO,В = x, Тип монт. = smd,...SKU: 55168 Виробник: Taiwan Semiconductor Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847AТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 27138 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847AТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 300, hFE = 110...120, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 112059 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 343 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847ALT1GТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 40795 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847BТранзистор NPN (, Тип монт. = smd,...SKU: 53013 Виробник: KEC Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, hFE = 290, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 97771 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 280 @ Vce = 5 V, Ic = 10 uA, Icutoff-max = 15 нА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 26020 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23
|
|
Є на складі: 11 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847B,215Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 66418 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847B,235Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 101480 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 188 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BC847BDW1T1GТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, hFE = 200 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,38 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, 2 NPN (здвоєний),...SKU: 94088 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-363
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847BLT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 9870 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847BLT3GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 46685 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BC847BSПодвоєний транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,21, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 22458 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-363
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BC847BS-13-FПодвоєний транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 0,1 А, ft, МГц = 100, hFE = 200...450, Icutoff-max = 5 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 100 мА, 5 мА, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -65...+150,...SKU: 125250 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-363
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BC847BS-7-FПодвоєний транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,21 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 69758 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-363
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847BS-TP2 транзистори NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 200, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 113961 Виробник: Micro Commercial Components Корпус: SOT-363
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847BTT1GТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 124972 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SC-75-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847BWT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,15, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 62940 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-323
|
|
Є на складі: 779 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847CТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, hFE = 520, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 100182 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 11049 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847CТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,2 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 4032 Виробник: Kingtronics Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847C,235Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.4 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 4749 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BC847CB5003Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, Icutoff-max = 15 нА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 53435 Виробник: KEC Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847CLT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 96514 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 104 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847CW,115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,2, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 66076 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-323
|
|
Є на складі: 2900 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC848AE6327Транзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 250, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,33 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 93294 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC848CТранзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 300, Р, Вт = 0,31 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 52160 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 30 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC848CLT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 186 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC849B,215Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 61556 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1995 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC849BLT1GТранзистор NPN, ft,МГц =100, Ic =100mA, Ptot,Вт =225mW, VCEO,В =30, Тип монт. smd,...SKU: 53855 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC849CE6327Транзистор NPN, ft,МГц = 250 MHz, Ic = 100 mA, Ptot,Вт = 250 mW, VCEO,В = 30 V, Тип монт. = smd,...SKU: 54295 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC849CLT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 64025 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 3192 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC850BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200/450 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 65341 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 624 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC850BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,35, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 200 @ 2 А, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 56919 Виробник: KEC Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 16 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC856AТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 65, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 125/250 @ 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 88099 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 60 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC856A,215Транзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 125 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 53100 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1479 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC856ALT1GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 125 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 9304 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC856BТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 475 @ 5 В, 2 мА, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ , Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 82621 Виробник: Kingtronics Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 354 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC856BТранзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 150, Р, Вт = 0,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 53436 Виробник: KEC Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 16 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC856BТранзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, hFE = 290, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 114245 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC856B-7-FТранзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 200, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 114428 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 48570 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC856B,215Транзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 20527 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 3013 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC856B,235Транзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.65 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 63323 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 245 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC856B/T1Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=220-475@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)....SKU: 13758 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC856BLT1Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=220-475@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)....SKU: 12585 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 120 Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BC856BLT1GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.650 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 187 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1750 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC856BLT3GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 97929 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BC856BS,115Транзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,...SKU: 130940 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-363
|
|
Є на складі: 11 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC857AТранзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 125 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 27137 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC857ALTТранзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 58335 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 691 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC857ARFТранзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -55...+ 150, Тип монт. = smd,...SKU: 58336 Виробник: Taiwan Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 109 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC857BТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, hFE = 290 @ 5 В, 2 мА, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 10 мА, 0,5 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 75374 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 654 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC857BТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 53777 Виробник: KEC Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC857B-TPТранзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Icutoff-max = 15 нА, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 135790 Виробник: Micro Commercial Components Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC857B,215Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 1828 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23
|
|
Є на складі: 500 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC857BLT1GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 74996 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC857BWT1GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,15, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.65 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 63828 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-323
|
|
Є на складі: 240 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC857CТранзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 109924 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 2713 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC857C,215Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 4521 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC857C,235Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 95069 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23
|
|
Є на складі: 13781 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BC857CLT1GТранзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 69153 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC857CW,115Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,2, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 66075 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-323
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC858BТранзистор PNP, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 290 @ 5 В, 2 мА, Icutoff-max = 15 нА, Опис Транзистор PNP, Р, Вт = 0.25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 136028 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 84 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC858B,215Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 73571 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC858B,235Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 35732 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BC859C,215Транзистор PNP, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, hFE = 420 @ 2mA, 5V, Опис Транзистор PNP, Р, Вт = 0.25,...SKU: 128603 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 15 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10 |
|
|||||||||||||
BC860BТранзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 250, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.65 @ 5 мA, 100 мA, Р, Вт = 0,33 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 8985 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 2706 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC868,115TRANSISTOR NPN 20V 1A...SKU: 39967 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-89
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCM61B,215Подвоєний транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,39, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 62941 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-143B
|
|
Є на складі: 47 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCM847DS,115Подвоєний транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,38, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 72356 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: TSOP-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCM856DS,1152 транзистори PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 0,4, hFE = 200 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,38, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 135416 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: 6-TSOP
|
|
Є на складі: 86 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCP 55 E6327Транзистор NPN, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 60, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 40 @ 15 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65..+150,...SKU: 12392 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-223-4
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP51,115Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 45, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 145, hFE = 63 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 71364 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 15 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP52-16,115Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 60, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 145, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 65736 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP53-10T1Транзистор PNP (Uce=-80V, Ic=1.5A, P=1.5W, hFE(63~160) -65 to +150C)....SKU: 18854 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCP53-10T1GТранзистор PNP (Uce=-80V, Ic=1.5A, P=1.5W, hFE(63~160) -65 to +150C)....SKU: 23454 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCP53-16,115Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 145, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 25678 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 217 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP53-16T1GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 39256 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP53-16T3GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1,5, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 100 @ 150 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 88839 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
BCP53-16TXТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,35, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 145, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 96082 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 978 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP53,115Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 145, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 61822 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP5310TAТранзистор PNP, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 80, Тип монт. = smd, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 96818 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 6 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP5316TAТранзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 150, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 114860 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 1990 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP5316TAТранзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 150, hFE = 100, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 123595 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 4 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP53T1GТранзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 1,5 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 5872 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 3000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCP53TAТранзистор PNP, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 150, hFE = 40 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 68700 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-223-4
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP54-16,115Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 1 А, ft, МГц = 180, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 0,96 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 86256 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP54-16,135Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,96, Uceo, В = 45, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 180, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 34484 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
BCP54,115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 45, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 180, hFE = 63 @ 15 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 68699 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP54TAТранзистор NPN, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 45, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 150, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 98334 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP55-10Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,65, Uceo, В = 60, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 180, hFE = 105 @ 150 mA, 2 V, Icutoff-max = 100 нА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 47155 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 55 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP55-16Транзистор NPN (Uce=60V, Ic=1A, P=1.0W, B=100-250@I=150mA, f>100MHz, -65 to +150C)....SKU: 20300 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP55,115Транзистор NPN, Uceo, В = 60, Ic = 1 A, ft, МГц = 180, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 1,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 62926 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP56-16,135Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 180, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,96, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 120213 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 385 Очікується: 2000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
BCP56-16T1Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 180, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 0,96 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 38870 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 9 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP56-16T1Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 19223 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP56-16T1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 60861 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP56-16T3GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 70959 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 94 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
BCP56-16TXТранзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 180, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 1,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 89268 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP56,115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,96, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 180, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 39366 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP5616H6327XTSA1Транзистор NPN, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 92951 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP5616TAТранзистор NPN, Uceo, В = 80, hFE = 250, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50мА, 500мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 113650 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 1055 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP56T1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 40 @ 150 мА, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 3793 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 380 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP68-25Транзистор NPN (Uce=20V, Ic=1A, P=1.0W, B=160-375@I=0.5A, f>40MHz, -65 to +150C)....SKU: 20419 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BCP68-25,115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,65, Uceo, В = 20, Ic = 2 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 170, hFE = 160 @ 500 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 200 мA, 2 А, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 88231 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP68,115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,4, Uceo, В = 20, Ic = 1 A, Тип монт. = smd, ft, МГц = 170, hFE = 85 @ 500 мА, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 62917 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP68T1Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 20, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 60, hFE = 85 @ Ic = 500 mA, Vce = 1 V, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 6567 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BCP69Транзистор PNP, Uceo, В = 20, Ic = 2, ft, МГц = 140, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 25641 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP69,115Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,4, Uceo, В = 20, Ic = 1 A, Тип монт. = smd, ft, МГц = 140, hFE = 85 @ 500 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 62003 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 255 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP69T1Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 20, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 60, hFE = 85 @ 500 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 7804 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10 |
|
|||||||||||||
BCP69T1GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 20, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 60, hFE = 85 @ 500 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 21066 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 11 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCV 61B E6433Подвоєний транзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 46461 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-143-4
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCV61B,215Подвоєний транзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, Тексп, °С = -65...+150, для струмового дзеркала,...SKU: 75348 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-143B
|
|
Є на складі: 147 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCV61BE6327Подвоєний транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 59391 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-143-4
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCV61CПодвоєний транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 520 @ Ic = 2 mA, Vce = 5 V, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 45382 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-143
|
|
Є на складі: 90 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCV61C,215Подвоєний транзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 420, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 129950 Виробник: Nexperia Корпус: TO-253-4
|
|
Є на складі: 2240 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCV62B,215Транзистор PNP подвійний, Ptot, Вт = 3, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100...800 @ Ic = 2 mA, Uce = -5 V, Icutoff-max = -15 нА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 55856 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT143B
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCW32LT1Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, -55 to +150C)....SKU: 188 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
BCW33Транзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 0,1, ft, МГц = 100, hFE = 600 @ Ic = 10 uA, Vce = 5 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 15708 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCW33,215Транзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.21 @ 2.5 мA, 50 мA, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 61815 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCW33LT1Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, -55 to +150C)....SKU: 189 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCW33LT1GТранзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, hFE = 420...800 @ Ic = 2 mA, Vce = 5 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 22926 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCW33LT3GТранзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 500, 10, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 134548 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BCW61BE6327Транзистор PNP, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, ft, МГц = 250, hFE = 180 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 20 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,55 @ 1,25 мA, 50 мА, Р, Вт = 0,33, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 19563 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCW61CТранзистор PNP, Uceo, В = -32, Ic = -100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 250...460 @ Ic = -50 mA, Uce = -1 V, Icutoff-max = -20 нА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 23572 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCW61DТранзистор PNP, Uceo, В = -32, Ic = -100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 380...630 @ Ic = -50 mA, Uce = -1 V, Icutoff-max = -20 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = -335 @ -50 mA, -1,25 mA, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 5021 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 2267 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCW69,215Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 120 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 2,5 мA, 50 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 39751 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 244 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCW71,215Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,21 @ 2,5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 39769 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 343 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCX 42 E6327Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 125, Ic = 800 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 150, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,9 @ 30 мA, 300 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 79656 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 61 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCX 53-10 E6327Транзистор PNP (Uce=80V, Ic=1A, P=1W, fm=145MHz, -55 to +150C)....SKU: 45428 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-89
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCX41E6327Транзистор NPN, Ptot,Вт = 0.33, VCEO,В = 125, Ic = 800 мА, Тип монт. = smd, ft,МГц = 100, hFE = 40 @ 200 мА, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, VCEO(sat),В @ Ic, Ib = 0.9 @ 30 мА, 300 мА, Тэксп, °С = -65...+150,...SKU: 63381 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23
|
|
Є на складі: 40 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCX41E6327HTSA1Транзистор NPN, Uceo, В = 125, Ic = 800 мА, ft, МГц = 100, hFE = 40, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,9 @ 30 мА, 300 мА, Р, Вт = 0,33, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,...SKU: 130640 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCX52,115Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 60, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 145, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 28235 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-89-3
|
|
Є на складі: 97 Очікується: 25 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BCX53-16,115Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,3, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 145, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 46421 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-89-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCX54-16,115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 45, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 180, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 83363 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-89-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCX54,115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 45, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 180, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 61284 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-89-3
|
|
Є на складі: 17 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCX55...SKU: 25160 Виробник: NXP/Nexperia/We-En |
|
Є на складі: 34 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCX55-16TFТранзистор NPN, Uceo, В = 60, Ic = 1 А, ft, МГц = 155, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 121866 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-89
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
BCX56Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 80, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 2 В, 500 мА, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 500 мА, 50 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 88269 Виробник: LGE Корпус: SOT-89-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCX56-16Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 180, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 1,25, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 31806 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-89-3
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCX56-16Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 130, hFE = 100, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 134939 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-243AA
|
|
Очікується: 50 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCX56-16,115Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 180, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 46456 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-89-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCX68-25E6327Транзистор NPN, Uceo, В = 20, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ Ic = 500 mA, Vce = 1 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 3 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 48137 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-89-3
|
|
Є на складі: 18 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCX70JТранзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)...SKU: 46799 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BF511N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 30 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 5 @ 10, Rds = 1000 Ом, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 24604 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BF622,115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 250, Ic = 50 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 60, Icutoff-max = 10 нА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 29378 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-89
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BF771E6327Транзистор NPN (Uce=12V, Ic=80mA, P=580mW, B>50@I=30mA, -65 to +150C)....SKU: 42705 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BF820,215Транзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 50 мА, hFE = 50 @ 25мА, 20 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.6V @ 5мА, 30 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 57442 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 2720 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BF822Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 250, Ic = 50 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 60, Icutoff-max = 10 нА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 13557 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BF822,215Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 250, Ic = 50 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 60, Icutoff-max = 10 нА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 85587 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BF861C,215N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 25 мА, Tексп, °C = -65...+150,...SKU: 78634 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BFR31N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 5 mA, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150,...SKU: 49879 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 9 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BFS17AТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 15, Ic = 25 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 2 800, hFE = 90 @ Ic = 25 ma, Vce = 1 V, Icutoff-max = 50 нА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 16451 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BFS17PE6327Транзистор NPN, Uceo, В = 0,3, Ic = 25, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 104088 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1840 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BFS17T116Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,2, Uceo, В = 15, Ic = 50 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 1 000, Icutoff-max = 100 нА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 26111 Виробник: Rohm Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BFS481H6327XTSA1Транзистор NPN, Uceo, В = 0,3, Ic = 25, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 125363 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BFS481H6327XTSA1Транзистор NPN, Uceo, В = 12, Ic = 20 мА, ft, МГц = 8 000, hFE = 70, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,175, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 125364 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-363
|
|
Є на складі: 62 Очікується: 250 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BFT46N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 10 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 5 @ 10, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 11194 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 2562 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BS250FTAP-канальный ПТ, Id = 90 мА, Ptot, Вт = 0.33, Vdss В = 45, Тип монт. = smd, Rds = 14 Ом @ 200 мА, 10 В, Ciss @ Vds = 25 пФ @ 10 В, Tэксп, °C = -55...+150, Vgs(th) = 3.5 В @ 1 мА,...SKU: 44171 Виробник: Diodes/Zetex Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSC009NE2LS5IATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 40 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12, Qg, нКл = 49 @ 10 В, Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 74,...SKU: 90722 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PG-TDSON-8
|
|
Є на складі: 1978 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSC010N04LSTATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 39 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 9520 @ 20, Qg, нКл = 133 @ 10 В, Rds = 1 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3, 167, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd, Id2 = 100 А,...SKU: 114723 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PG-TDSON-8
|
|
Є на складі: 70 Очікується: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSC014N04LSIN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20, Qg, нКл = 55 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 101276 Виробник: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL
|
|
Є на складі: 53 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSC014N04LSIATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 31 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20, Qg, нКл = 55, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 2,5 (Ta), 96 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 131561 Виробник: Infineon Technologies Корпус: 8-PowerTDFN
|
|
Є на складі: 19 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSC014N06NSATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30, Qg, нКл = 89 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 156,...SKU: 90718 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PG-TDSON-8
|
|
Є на складі: 887 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSC015NE2LS5IATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 12, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 1,5 @ 30 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 50, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 123638 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PowerTDFN-8
|
|
Є на складі: 79 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSC019N06NSATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 30, Qg, нКл = 77 @ 10 В, Rds = 1,95 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 3,3 В @ 74 мкА, Р, Вт = 136, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 103681 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PG-TDSON-8 FL
|
|
Є на складі: 4 Очікується: 4 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSC022N04LSN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2600 @ 20, Qg, нКл = 37 @ 10 В, Rds = 1,8 мОм, Ugs(th) = 1,2 В, Р, Вт = 2,5, 69, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 124301 Виробник: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8
|
|
Є на складі: 798 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSC024NE2LSN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 110, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12, Qg, нКл = 23 @ 10, Rds = 2,4 @ 30, 10, Ugs(th) = 2 @ 250, Р, Вт = 48, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 121255 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PG-TDSON-8
|
|
Є на складі: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSC028N06LS3GATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 110 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12, Qg, нКл = 23 @ 10 В, Rds = 2,4 мОм @ 30 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 48 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 90724 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PG-TDSON-8
|
Ціна потребує уточнення | Є на складі: 70 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSC030P03NS3GAUMA1P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 14000 @ 15, Qg, нКл = 186 @ 10 В, Rds = 3 @ 50 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,1 В, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 123647 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PowerTDFN-8
|
|
Є на складі: 59 Очікується: 18 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSC037N08NS5ATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4200, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 3,7 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 3,8 В @ 72 мкА, Р, Вт = 2,5, 114, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 102799 Виробник: Infineon Technologies Корпус: POWERTDFN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSC040N10NS5N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4100 @ 50, Qg, нКл = 58, Rds = 4 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 139, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 124638 Виробник: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8
|
|
Є на складі: 519 Очікується: 1200 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSC0702LSN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4400 pF @ 30 V, Rds = 2.3mOhm @ 50A, 10V, Ugs(th) = 30 nC @ 4.5 V, Р, Вт = 83W, Тексп, °C = -55°C ~ 150°C,...SKU: 119510 Виробник: Infineon Technologies Корпус: 8-PowerTDFN
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSC0702LSATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 134 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4400 @ 30, Qg, нКл = 30 @ 4,5 B, Rds = 2,7 мОм @ 50 A, 10 B, Ugs(th) = 2,3 B @ 49 мкА, Р, Вт = 83, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 135325 Виробник: Infineon Technologies Корпус: 8-PowerTDFN
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSC072N08NS5ATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 74 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2100 @ 40, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 7,20 мОм @ 37 A, 10 B , Ugs(th) = 3,8 B @ 36 мкА, Р, Вт = 2,5 (Ta), 69 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 135324 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PG-TDSON-8-7
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSC098N10NS5ATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 60 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2100 @ 50, Qg, нКл = 28, Rds = 9,8 мОм, Ugs(th) = 3,8 В, Р, Вт = 2,5 (Ta), 69 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 131562 Виробник: Infineon Technologies Корпус: 8-PowerTDFN
|
|
Є на складі: 20 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSC110N06NS3GATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 30, Qg, нКл = 33, Rds = 11 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 50, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 132530 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PowerTDFN-8
|
|
Є на складі: 110 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSC340N08NS3GATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 756 @ 40, Qg, нКл = 9,1 @ 10 В, Rds = 34 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 3,5 В @ 12 мкА, Р, Вт = 2,5, 32, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 23 A,...SKU: 107795 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PG-TDSON-8-5
|
|
Є на складі: 50 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSH111BKRN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 210 мА, Ptot, Вт = 0,302, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 30 @ 30, Qg, нКл = 0,5 @ 4,5 В, Rds = 4 Ом @ 200 мA, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,3 В @ 250 мкА,...SKU: 98124 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSH201,215P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 300 мA, Ptot, Вт = 0,417, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 70 @ 48, Qg, нКл = 3 @ 10 В, Rds = 2,5 Ом @ 160 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1.9 В @ 1 мА,...SKU: 51301 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSO040N03MSGXUMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5700 @ 15, Qg, нКл = 73 @ 10 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,56, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 116826 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PG-DSO-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
BSP149 L6327N-канальний ПТ, Id = 660 мА, Ptot, Вт = 1,8, Udss, В = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 25, Qg, нКл = 14 @ 5, Rds = 1,8 Ом @ 660 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 400 мкА,...SKU: 46542 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BSP149H6327XTSA1N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 660 мА, Ptot, Вт = 1,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 25, Qg, нКл = 14 @ 5 В, Rds = 1,8 Ом @ 660 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 400 мкА,...SKU: 85862 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BSP315PH6327XTSA1P-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 1,17, Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25, Qg, нКл = 7.8, Rds = 800 мОм, Ugs(th) = ±20, Р, Вт = 1.8, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 108164 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PG-SOT223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSP318SH6327XTSA1N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,6 А, Ptot, Вт = 1,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 380 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 90 мОм @ 2,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА,...SKU: 84114 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 207 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BSP33,115Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,3, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 13921 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BSP373NH6327XTSA1N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,8 А, Ptot, Вт = 1,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 265 @ 25, Qg, нКл = 9.3, Rds = 0,24 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 20 В,...SKU: 95969 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BSP613PH6327XTSA1P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,9 А, Ptot, Вт = 1,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 875 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 2,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 1 мА,...SKU: 10886 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BSP76E6433N-канальний ПТ, Udss, В = 42, Id = 1,4 А, Р, Вт = 3,8, Тексп, °C = -40...+155, Тип монт. = SMD,...SKU: 132702 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PG-SOT223-4
|
|
Є на складі: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
BSP89 (568-1769-1-ND)N-канальный полевой транзистор (Vds=240V, Id=360mA, Rds=6 R), smd....SKU: 45027 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
BSP92P-канальный полевой транзистор (Vds=240V, Id=200mA, Rds=20 R), smd....SKU: 2541 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
BSR12,215PNP switching transistor ( Vcbo= -15V, Vceo=-15V, Icm=-200mA, SOT23)...SKU: 48362 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSR14Транзистор PNP, Uceo, В = 40, Ic = 800 мА, ft, МГц = 300, hFE = 300, Icutoff-max = 800 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1, Р, Вт = 0,35, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 121827 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT23
|
|
Є на складі: 483 Очікується: 535 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSR16Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - 300, VCEO(sus), В - 1.6, ft, МГц - 200, - Транзистор,...SKU: 48367 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSR802NL6327HTSA1N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1447 @ 10, Qg, нКл = 4,7, Rds = 23 мОм, Ugs(th) = 750 мВ, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 126312 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS119NH6327N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 190 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 20,9 @ 25, Qg, нКл = 0,6 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 190 мA, 10 В, Ugs(th) = 2,3 В @ 13 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 116357 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 50 Очікується: 250 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 190 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 20,9 @ 25, Qg, нКл = 0,6, Rds = 6 Ом, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 121806 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS123N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА,...SKU: 61597 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS123-7-FN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25, Rds = 6 Ом @ 170 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА,...SKU: 45920 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS123,215N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 150 мА, Ptot, Вт = 0,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 40 @ 25, Rds = 6 Ом @ 120 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА,...SKU: 20923 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS123LT1GN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 0,2, Ptot, Вт = 0,2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25, Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА,...SKU: 48603 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 190 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 20,9 @ 25, Qg, нКл = 0,9 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 190 мА, 10 В, Ugs(th) = 1,8 В @ 13 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 127272 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS126H6327XTSA2N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 21 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 28 @ 25, Qg, нКл = 2,1 @ 5 В, Rds = 500 @ 16 мА, 10 В, Ugs(th) = 2,7 @ 8 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 130816 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS138-7-FN-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 200 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Rds = 3,5 Ом @ 220 мA, 10 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 103077 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 12 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS138BKN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 360 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 42 @ 10, Qg, нКл = 9,6 @ 4,5 В, Rds = 1 Ом @ 0,35 A, 10 В, Ugs(th) = 1.1 В @ 250 мкА, Опис N-канальний ПТ, Р, Вт = 0,42 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 95799 Виробник: Nexperia Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BSS138KN-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 220 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 58 @ 25, Qg, нКл = 2.4 @ 10 В, Rds = 1.6 Ом @ 50 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1.2 В @ 250 мкА,...SKU: 65642 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 14 Очікується: 210 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS138LT1GN-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 200 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 пФ @ 25 В, Rds = 3.5 Ом @ 200 мА, 5 В, Ugs(th) = 1.5 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Без свинцю,...SKU: 13405 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 8549 Очікується: 218 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS138NN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 230 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 41 @ 25, Qg, нКл = 1.4 @ 10 В, Rds = 3.5 Ом @ 230 мА, 10 В, Ugs(th) = 1.4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,36, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 15651 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS138PW,115N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 320 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Rds = 1,6, Ugs(th) = 1,5 , Р, Вт = 0.26, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 128166 Виробник: Nexperia Корпус: SOT-323
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BSS138WH6327XTSA1N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 280 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43 @ 25, Qg, нКл = 1,5 @ 10, Rds = 3,5 Ом @ 200 мА, 10 В, Ugs(th) = 1,4 В @ 26 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 127191 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-323
|
|
Є на складі: 17 Очікується: 100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS169 H6327N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 68 @ 25, Qg, нКл = 2.8 @ 7 В, Rds = 6 Ом @ 170 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,8 В @ 50 мкА,...SKU: 71423 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS169 L6906N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 68 @ 25, Qg, нКл = 2,8 @ 7 В, Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,8 В @ 50 мкА,...SKU: 63820 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 30 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS205NH6327XTSA1N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 419 @ 10, Qg, нКл = 3,2 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,5 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 11 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 106011 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS214NWH6327XTSA1N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 143 @ 10, Qg, нКл = 0,8 @ 5 В, Rds = 140 мОм @ 1.5 А, 4.5 В, Ugs(th) = 1,2 @ 3,7 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 134735 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-323
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 294, Qg, нКл = 2,9, Rds = 140 мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 134545 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 211 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS316NH6327XTSA1N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 1,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 94 @ 15, Qg, нКл = 0,6, Rds = 160 мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 135329 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
Ціна потребує уточнення | Очікується: 500 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS63Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,35, Uceo, В = 100, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 30 @ 10 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 2,5 мA, 25 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 82153 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS63LT1GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,3, Uceo, В = 100, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 5, hFE = 30 @ 25 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 2.5 мA, 25 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 62576 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS84P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 1,3 @ 5 В, Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА,...SKU: 15870 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS84-7-FP-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 25, Rds = 10 Ом @ 100 мA, 5 В, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 102102 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 639 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS84,215P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 25, Rds = 10 Ом @ 130 мA, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 32508 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23
|
Ціна потребує уточнення | Є на складі: 13 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS84AK,215P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 180 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 36 @25, Rds = 7,5 Ом @ 100 мА, 10 В, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,35 (Ta), 1,14 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 131835 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Очікується: 100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS84DW-7-F2P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 25, Rds = 10 Ом @ 100 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА,...SKU: 77881 Виробник: Diodes INC. Корпус: SC70-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS84DWQ-72P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 25, Rds = 10 Ом 100мА, Ugs(th) = 2В @ 1 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 121053 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT363
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS84LT1GP-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 30 @ 5, Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 54152 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 42 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS84P H6327P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 19 @ 25, Qg, нКл = 1,5 @ 10 В, Rds = 8 Ом @ 170 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА,...SKU: 93666 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS84P L6327P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 170 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 19 @ 25, Qg, нКл = 1,5 @ 10 В, Rds = 8 Ом @ 170 мA, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА, Р, Вт = 0,36 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 37841 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS87 L6327P-канальний ПТ, Udss, В = 240, Id = 260 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 77,5 @ 25, Qg, нКл = 3,7, Rds = 4,6 Ом, Ugs(th) = 1,2 B, Р, Вт = 1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 45032 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-89-3
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BSS87,115P-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 400 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 120 @ 25, Rds = 3 @ 400 мА, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 1 мА, Р, Вт = 1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 69667 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-89-3
|
|
Є на складі: 95 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BSS87H6327FTSA1N-канальний ПТ, Udss, В = 240, Id = 260 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 97 @ 25, Qg, нКл = 5,5 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 260 мA, 10 В, Ugs(th) = 1,8 В @ 108 мкА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 109224 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-89-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BST52TATRANS DARL NPN 80V 500MA SOT-89...SKU: 45675 Виробник: Zetex Semiconductors Корпус: SOT-89
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSV52.215Транзистор NPN, Uceo, В = 12, Ic = 100 мА, ft, МГц = 500, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150,...SKU: 47001 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 48 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSZ097N10NS5ATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40, Ciss, пФ @ Uds, В = 2080 @ 50, Qg, нКл = 28, Rds = 9.7 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 69 @ 25°C, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 122597 Виробник: Infineon Technologies Корпус: TSDSON-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSZ100N06LS3 GN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30, Qg, нКл = 45 @ 10 В, Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА, Р, Вт = 2,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 20 A, Ptot2, Вт = 50,...SKU: 90721 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PG-TSDSON-8
|
|
Є на складі: 2503 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSZ146N10LS5ATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 50, Qg, нКл = 15, Rds = 16 мОм, Ugs(th) = 1,7 В, Р, Вт = 52, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 124639 Виробник: Infineon Technologies Корпус: TSDSON-8
|
|
Є на складі: 19 Очікується: 450 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSZ340N08NS3GATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 23, Ciss, пФ @ Uds, В = 630 @ 40, Qg, нКл = 9,1 @ 10 В, Rds = 34 @ 12 A, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,5 @ 12 мкА, Р, Вт = 2,1 (Ta), 32 (Tc), Тексп, °C = -55...+105, Тип монт. = smd,...SKU: 120979 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PG-TSDSON-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BSZ42DN25NS3GATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 250, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 100, Qg, нКл = 5,5 @ 10 В, Rds = 425 мОм @ 2,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 13 мкА, Р, Вт = 33,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 113026 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PG-TSDSON-8
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
C2M0040120DN-канальний ПТ, Udss, В = 1 200, Id = 60 А, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1893 @ 1000, Qg, нКл = 115 @ 20 В, Rds = 52 мОм @ 40 A, 20 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,8 В @ 10 мA,...SKU: 79053 Виробник: Cree/Wolfspeed Корпус: TO-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
C2M1000170JN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,3 А, Ptot, Вт = 78, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 1000, Qg, нКл = 13 @ 20 В, Rds = 1,4 Ом @ 2 A, 20 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3,1 В @ 500 мкА,...SKU: 98934 Виробник: Cree/Wolfspeed Корпус: TO-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
CMPDM7003 TR PBFREEN-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 280 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Qg, нКл = 0,76, Rds = 2 Ом, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,35, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 126471 Виробник: Central Semiconductor Corp. Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
CMPT5401 TRТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,35, Uceo, В = 150, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 60 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 50 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 5 мA, 50 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 85348 Виробник: Central Semiconductor Corp. Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 6 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
CPC5602CTRN-канальний ПТ, Id = 5 мА, Ptot, Вт = 2,5, Udss, В = 350, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 0, Rds = 14 Ом @ 50 мA, 350 мВ, Tексп, °C = -40...+85,...SKU: 12838 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
CSD16301Q2N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 12,5, Qg, нКл = 2,8 @ 4,5 В, Rds = 24 мОм @ 4 А, 8 В, Ugs(th) = 1,55 @ 250 мкА, Р, Вт = 2,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 134963 Виробник: Texas Instruments Корпус: 6-SON
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
CSD16413Q5AN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 24, Ciss, пФ @ Uds, В = 1780, Qg, нКл = 11,7, Rds = 3,9 мОм, Ugs(th) = 1,9, Р, Вт = 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 120591 Виробник: Texas Instruments Корпус: 8-VSONP(5x6)mm
|
|
Є на складі: 4 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
CSD17303Q5N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3420 @ 15, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 2,4 мОм, Ugs(th) = 1,6 В, Р, Вт = 3,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 123386 Виробник: Texas Instruments Корпус: VSON-CLIP-8
|
|
Є на складі: 1398 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
CSD17308Q3N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 14 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 15, Qg, нКл = 5,1 @ 4,5 В, Rds = 10,3 мОм @ 10 A, 8 В, Ugs(th) = 1,8 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,7, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 44 A,...SKU: 112551 Виробник: Texas Instruments Корпус: TDFN-8
|
|
Є на складі: 804 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
CSD17312Q5N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5240 @ 15, Qg, нКл = 36 @ 4.5 В, Rds = 1.5 мОм @ 35 А, 8 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 65091 Виробник: Texas Instruments Корпус: SON-8
|
|
Є на складі: 84 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
CSD17313Q2TN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 15, Qg, нКл = 2,7 @ 4,5 В, Rds = 30 мОм @ 4 A, 8 В, Ugs(th) = 1,8 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,4, 17, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 113772 Виробник: Texas Instruments Корпус: WDFN-6 (Exp. Pad)
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 250 |
|
|||||||||||||
CSD17318Q2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25 А, Ptot, Вт = 16, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 879 @ 15, Qg, нКл = 6 @ 4,5 В, Rds = 15,1 мОм @ 8 A, 8 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,...SKU: 95862 Виробник: Texas Instruments Корпус: WDFN-6 (Exp. Pad)
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 250 |
|
|||||||||||||
CSD17506Q5AN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ptot, Вт = 3,2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1650 @ 15, Qg, нКл = 11 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,8 В @ 250 мкA,...SKU: 81026 Виробник: Texas Instruments Корпус: SON-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
CSD18502Q5BN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5070 @ 20, Qg, нКл = 68 @ 10, Rds = 2,3 @ 30 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 156, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 126227 Виробник: Texas Instruments Корпус: PowerTDFN-8
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
CSD18532Q5BN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5070 @ 30, Qg, нКл = 58 @ 10, Rds = 3,2 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 156, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 123387 Виробник: Texas Instruments Корпус: PowerTDFN-8
|
|
Є на складі: 3081 Очікується: 1300 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
CSD18536KTTTN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 А, Ptot, Вт = 375, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 11430 @ 30, Qg, нКл = 140 @ 10 В, Rds = 1,6 мОм @ 100 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА, Id2 = 279 А,...SKU: 96343 Виробник: Texas Instruments Корпус: D2PAK
|
|
Є на складі: 30 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
CSD18540Q5BN-канальний ПТ, Udss, В = 60 60, Id = 100 А, Опис N-канальний ПТ,...SKU: 134132 Виробник: Texas Instruments Корпус: VSON-CLIP EP
|
|
Є на складі: 5 Очікується: 550 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
CSD19502Q5BN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 4870 @ 40, Qg, нКл = 62 @ 10 В, Rds = 4,1 мОм, Ugs(th) = 3.3 @ 250 мкA В, Опис N-канальний ПТ, Р, Вт = 191 @ 25°C, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 122594 Виробник: Texas Instruments Корпус: VSON-CLIP-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
CSD19536KTTTN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 200 А, Ptot, Вт = 375, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 12000 @ 50, Qg, нКл = 153 @ 10 В, Rds = 2,4 мОм @ 100 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3,2 В @ 250 мкА,...SKU: 80696 Виробник: Texas Instruments Корпус: D2PAK-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
CSD25404Q3TP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 104 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2120 @ 10, Qg, нКл = 14,1 @ 4,5 В, Rds = 6,5 мОм @ 10 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,15 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,8, 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 102100 Виробник: Texas Instruments Корпус: PowerVDFN-8
|
|
Є на складі: 50 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 250 |
|
|||||||||||||
CSD88599Q5DC2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Ptot, Вт = 12, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 4840, Qg, нКл = 27 @ 4,5 В, Rds = 2,1 мОм @ 30 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,...SKU: 99053 Виробник: Texas Instruments Корпус: PowerTFDFN-22
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 250 |
|
|||||||||||||
DCP56-13Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 200, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 79197 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DDTA114EKA-7-FТранзистор PNP, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, ft, МГц = 250, hFE = 30 @ 5 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.3 @ 500 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0,2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 58398 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 7 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DDTC114ECA-7-FТранзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, ft, МГц = 250, hFE = 30, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0,2, Тип монт. = на плату,...SKU: 136138 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DDTC114EKA-7-FТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,2, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 30 @ 5 мА, 5 В, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.3 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 63191 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DDTD113ZC-7-FТранзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, ft, МГц = 200, hFE = 56, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 50 мА, 2,5 мА, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 123383 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 88 Очікується: 100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DI048N04PT-AQN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 48 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2268 @ 25, Qg, нКл = 48,5, Rds = 7,6 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 130856 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: PowerVDFN-8
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
DI050N04PT-AQN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3255, Qg, нКл = 59, Rds = 6,5 мОм, Ugs(th) = 1,7, Р, Вт = 37, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 128165 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: PowerQFN 3x3
|
|
Є на складі: 4 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
DI075N04PT-AQN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 75 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2936 @ 25, Qg, нКл = 46, Rds = 2,8 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 35,7, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = SMD,...SKU: 126767 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: PowerVDFN-8
|
|
Є на складі: 39 Очікується: 60 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
DMG1013T-7P-канальний ПТ, Udss, В = 16, Id = 460 мА, Ptot, Вт = 0,27, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 0.622, Rds = 700 мОм, Ugs(th) = 4.5 В,...SKU: 55368 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-523
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMG1026UV-72N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 410 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 32 @ 25, Qg, нКл = 0,45 @ 10 В, Rds = 1.8 Ом @ 500 мA, 10 В, Ugs(th) = 1,8 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,58, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 111784 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-563
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMG2305UX-13P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,2 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 808 @ 15, Qg, нКл = 10,2 @ 4,5 В, Rds = 52 мОм @ 4,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 900 мВ @ 250 мкА,...SKU: 79920 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMG2305UX-7P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,2 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 808 @ 15, Qg, нКл = 10,2 @ 4,5 В, Rds = 52 мОм @ 4,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,9 В @ 250 мкА,...SKU: 98164 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMG4496SSS-13N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 10, Ptot, Вт = 1,42, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 493,5 @ 15, Qg, нКл = 10,2 @ 10 В, Rds = 21,5 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 72067 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
DMMT5551-7TRANS MATCHED NPN 300MW SOT26...SKU: 43942 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-26
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
DMN2029USD-13N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1171 @ 10, Qg, нКл = 18,6 @ 8 В, Rds = 25 мОм @ 6,5 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 115005 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 8 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
DMN2056U-7N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 339 @ 10, Qg, нКл = 4,3 @ 4,5 В, Rds = 38 мОм @ 3,6 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,94, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 109154 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1479 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMN2058U-13N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 281 @ 10, Qg, нКл = 7,7 @ 10 В, Rds = 35 мОм @ 6 A, 10 В, Ugs(th) = 1,2 @ 250 мкА, Р, Вт = 1,13, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 117724 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
DMN2058U-7N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 281 @ 10, Qg, нКл = 7,7 @ 10 В, Rds = 35 мОм @ 6A, 10 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,13, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 117030 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMN3027LFG-7N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 580 @ 15, Qg, нКл = 11,3 @ 10 В, Rds = 18,6 мОм @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 1,8 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 83264 Виробник: Diodes INC. Корпус: PowerDI3333-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
DMN3042L-7N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 15, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 26,5 мОм @ 5,8 A, 10 В, Ugs(th) = 1,4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,72 Вт, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 114167 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMN313DLT-7N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 270 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 36,3 @ 5, Qg, нКл = 0,5, Rds = 2 Ом, Ugs(th) = 1,5, Р, Вт = 0,28, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 121527 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-523-3
|
|
Є на складі: 2800 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMN4026SSD-132N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 7 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1060 @ 20, Qg, нКл = 19,1 @ 10 В, Rds = 24 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,...SKU: 92294 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
DMN53D0LDW-72N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 360 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 46 @ 25, Qg, нКл = 0,65, Rds = 1,6 мом, Ugs(th) = 1,5 В, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 121055 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-363
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMN6075S-7N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 606 @ 20, 1, Qg, нКл = 12,3, Rds = 75 мОм, Ugs(th) = 1...3 В, Р, Вт = 1,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 126470 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMP2003UPS-13P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 150 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 8352 @ 10, Qg, нКл = 177, Rds = 2,2 мОм, Ugs(th) = 1,4 В, Р, Вт = 1,4, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 126464 Виробник: Diodes INC. Корпус: PowerTDFN-8
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
DMP21D0UT-7P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 590 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 80 @ 10, Qg, нКл = 1,54 @ 8 В, Rds = 495 мОм @ 400 мA, 4,5 В, Ugs(th) = 0,7 @ 250 мкА, Р, Вт = 0,24, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 115044 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-523
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMP3056L-7P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,3 А, Ptot, Вт = 1,38, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 642 @ 25, Qg, нКл = 11,8 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА,...SKU: 97233 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMP3056LSS-13P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 7,1, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 722 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 4,5 В, Rds = 45 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА,...SKU: 72068 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMP3099L-7P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 563 @ 25, Qg, нКл = 5,2 @ 4,5 В, Rds = 65 мОм @ 3,8 A, 10 В, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,08, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 114519 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
Ціна потребує уточнення | Очікується: 30 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMP4065S-7P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 2,4 А, Ptot, Вт = 0,72, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 587 @ 20, Qg, нКл = 12,2 @ 10 В, Rds = 80 мОм @ 4,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,...SKU: 97227 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMP6023LSS-13P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2569 @ 30, Rds = 25 мОм @ 5 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 102881 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 100 Очікується: 4025 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMP6050SSD-132P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 4,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1293 @ 30, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 55 мОм @ 5 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 111567 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
DMP6110SSS-13P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 30, Qg, нКл = 19,4 @ 10 В, Rds = 110 мОм @ 4,5 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 108882 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25000 |
|
|||||||||||||
DMP6350S-7P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 206 @ 30, Qg, нКл = 4,1 @ 10 В, Rds = 350 мОм @ 900 мA, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,72, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 106016 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 22 Очікується: 50 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMT10H009LPS-13N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 10 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2309 @ 50, Qg, нКл = 40,2 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 90 А,...SKU: 115643 Виробник: Diodes INC. Корпус: PowerDI5060-8
|
|
Очікується: 2500 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
DMT10H009LPS-13N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 10 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2309 @ 50, Qg, нКл = 40,2 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 117624 Виробник: Diodes INC. Корпус: PowerDI5060-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
DMT6007LFGQ-7N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 80 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2090 @ 30, Qg, нКл = 41,3, Rds = 6 мОм, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 62,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 130097 Виробник: Diodes INC. Корпус: PowerVFDN-8
|
|
Є на складі: 99 Очікується: 4100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
DTA114EET1GТранзистор PNP, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5 мА, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 135339 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SC-75
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DTA114EKAТранзистор PNP, Ptot, Вт = 5, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 30 @ 5 мА, 5 В), Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА),...SKU: 56471 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 90 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DTA123EKAT146Транзистор PNP, Ptot,Вт = 0.2, VCEO,В = 50, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft,МГц = 250, hFE = 20 @ 20 мА, 5 В, VCEO(sat),В @ Ic, Ib = 0.3V @ 500 мкА, 10 мА, Тэксп, °С = -55...+150, R1 = 2.2 кОм, R2= 2.2 кОм,...SKU: 58625 Виробник: Rohm Корпус: SOT-346
|
|
Є на складі: 2350 Очікується: 500 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
EM6K7T2R2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 200 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 25 @ 10, Rds = 1,2 Ом, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 128597 Виробник: Rohm Корпус: SOT-563
|
|
Є на складі: 10 Очікується: 100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 8000 |
|
|||||||||||||
EMT2T2R2 транзистор PNP, Uceo, В = 50, Ic = 150 мА, ft, МГц = 140, hFE = 120, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 129603 Виробник: Rohm Корпус: SOT-666
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 8000 |
|
|||||||||||||
F ZT751Транзистор PNP (Uce= 60V, Ic= 3A, P= mW, -55 to +150C, SOT - 223)....SKU: 43465 Виробник: Zetex Semiconductors Корпус: SOT - 223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
F ZT761Транзистор PNP (Uce= 60V, Ic= 3 A, P= 2W, -55 to +150C, SOT - 223)....SKU: 43466 Виробник: Zetex Semiconductors Корпус: SOT - 223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
FB190SA10N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 190 А, Ptot, Вт = 480, Тип монт. = на шасі, Ciss, пФ @ Uds, В = 10700 @ 25, Qg, нКл = 380 @ 10 В, Rds = 6,5 мОм @ 180 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, td(on), нс = 45, td(off), нс = 181,...SKU: 82173 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOT-227-4
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 20 |
|
|||||||||||||
FDC610PZP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 A, Ptot, Вт = 0,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1005 @ 15, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 4,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,...SKU: 63904 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SSOT-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FDC655BNN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,3 А, Ptot, Вт = 0,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 570 @ 15, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 25 мОм @ 6,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,...SKU: 20999 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SSOT-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FDD6685-...SKU: 20801 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-252
|
Ціна потребує уточнення | Очікується: 2500 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
FDD9510L-F085P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2020 @ 20, Qg, нКл = 37, Rds = 13,5 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 75, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 124644 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-252-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
FDMC2523PP-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 3 А, Ptot, Вт = 42, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 9 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 1,5 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,...SKU: 71584 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: PowerVDFN-8
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FDMC86244N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 2,8 А, Ptot, Вт = 2,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 345 @ 75, Qg, нКл = 5,9 @ 10 В, Rds = 134 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Id2 = 9,4 А,...SKU: 71585 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: POWER-33
|
|
Є на складі: 52 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FDMC86260N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 75, Qg, нКл = 15, Rds = 34 мОм, Ugs(th) = 2,7 В, Р, Вт = 54, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 124641 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: Power-33-8
|
|
Є на складі: 37 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FDMS030N06BN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 7560 @ 30, Qg, нКл = 75 @ 10 В, Rds = 3 мОм, Ugs(th) = 4,5, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 121668 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: PowerTDFN-8
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FDMS86163PP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3070 @ 50, Qg, нКл = 42, Rds = 22 мОм, Ugs(th) = 2,8 В, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 124642 Виробник: ON Semiconductor Корпус: Power-56-8
|
|
Є на складі: 66 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FDMS86181N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 124 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4125, Qg, нКл = 59, Rds = 4,2 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 132753 Виробник: ON Semiconductor Корпус: PowerPQFN-8
|
|
Є на складі: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FDMT80080DCN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 36 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 20720 @ 40, Qg, нКл = 273 @ 10 В, Rds = 1,35 мОм @ 36 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,2, 156, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 254 A,...SKU: 116110 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: PowerVDFN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FDN327NN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10, Qg, нКл = 6,3, Rds = 70 мОм, Ugs(th) = 1,5 В, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 121585 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SSOT-3
|
|
Є на складі: 2973 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FDN337NN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,2 А, Ptot, Вт = 0,46, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 10, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 65 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,...SKU: 70915 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SSOT-3
|
|
Є на складі: 1 Очікується: 550 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FDN360PP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 298 @ 15, Qg, нКл = 9 @ 10 В, Rds = 80 мОм @ 2 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 105804 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SSOT-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FDS4685P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 8,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1872 @ 20, 1, Qg, нКл = 27, Rds = 42 мОм, Ugs(th) = 1,6 В, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 126472 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SO-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
FDS6675BZP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2470 @ 15, Qg, нКл = 62 @ 10 В, Rds = 13 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 34347 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
FDS6679AZP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 13 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3845 @ 15, Qg, нКл = 96 @ 10 В, Rds = 9,3 мОм @ 13 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,...SKU: 34752 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
FDS6898A2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 9,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1821 @ 10, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 9,4 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 35486 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
FDS8638N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 18, Ciss, пФ @ Uds, В = 5680 @ 15, Qg, нКл = 86, Rds = 4,3 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 124776 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOIC-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
FDS8870N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4615 @ 15, Qg, нКл = 112 @ 10 В, Rds = 4,2 мОм @ 18 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 111391 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
FDS9431AP-канальный ПТ (Vds=-20V, Id=-3,5A, Rds(on) =130mOhm@Vgs=4,5V, P=1W)...SKU: 43896 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SO-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
FDS9926AN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 10, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 30 мОм @ 6,5 А, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 56411 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 13 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
FDT3612N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 3,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 632 @ 50, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 120 мОм @ 3,7 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 113075 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 4 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
FDT434PP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1187 @ 10, Qg, нКл = 19 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 6 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 88564 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 118 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
FDV301NN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 220 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10, Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В, Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА,...SKU: 60012 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 940 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FDV303NN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 680 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Qg, нКл = 2,3 @ 4,5 В, Rds = 450 мОм @ 500 мA, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,35, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 102464 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FDV304PP-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 460 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 63 @ 10 В, Qg, нКл = 1,5 @ 4,5 В, Rds = 1,1 Ом @ 500 мA, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА,...SKU: 74898 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FMMT494QTAТранзистор NPN, Uceo, В = 120, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,...SKU: 122730 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FMMT560TAТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 500, Ic = 150 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 60, hFE = 80 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 10 мA, 50 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 98083 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FMMT593TAТранзистор PNP, Uceo, В = 100, Ic = 1 А, ft, МГц = 50, hFE = 100 @ 500 мА, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 125415 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 7 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FMMT619TAТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 50, Ic = 2 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 165, hFE = 200 @ 1 А, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.22 @ 50 мА, 2 А, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 46101 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FMMT720TAТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 40, Ic = 1,5 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 190, hFE = 300 @ 100 мА, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,33 @ 100 мA, 1,5 A, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 46102 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FQD1N80TMN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 1 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 195 @ 25, Qg, нКл = 7,2 @ 10 В, Rds = 20 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,...SKU: 85310 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: DPAK-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FQD2N60CTMN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 1,9 А, Ptot, Вт = 44, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 235pF @ 25V, Qg, нКл = 12, Rds = 4.7 Ом, Tексп, °C = -55...150, Ugs(th) = ±30 В,...SKU: 94522 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: DPAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
FQD5P20TMP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,7 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 25, Qg, нКл = 13 @ 10 В, Rds = 1,4 Ом @ 1,85 A, 10 В, Ugs(th) = 5 @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 45, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 63470 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: DPAK-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
FQD7P20TMP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 5,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 770 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 690 мОм @ 2,85 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 55, Тексп, °C = -55..+150, Тип монт. = smd,...SKU: 101656 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: DPAK-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
FS8205A2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 8, Qg, нКл = 11, Rds = 18 мОм, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 125528 Корпус: SOT-23-6
|
|
Є на складі: 211 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
FZT1053ATAТранзистор NPN, Ptot, Вт = 2,5, Uceo, В = 75, Ic = 4,5 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 140, hFE = 300 @ 500 мA, 2 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,44 @ 200 мA, 4,5 A, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 79810 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FZT651Транзистор NPN (Uce=60V, Ic=3A, P=2W, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)....SKU: 43468 Виробник: Zetex Semiconductors Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FZT653TAТранзистор NPN, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 100, Ic = 2 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 175, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 @ 200 мА, 2 А,...SKU: 82436 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 6000 |
|
|||||||||||||
FZT751Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=2A, P=2W, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)....SKU: 43467 Виробник: Zetex Semiconductors Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FZT953QTAТранзистор PNP, Uceo, В = 100, Ic = 5 А, ft, МГц = 120, hFE = 100 @ 2A, 1 В, Icutoff-max = 50 нА, Опис Транзистор PNP, automotive,...SKU: 134069 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 60 Очікується: 657 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FZT957TAТранзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 1 А, ft, МГц = 85, hFE = 100 @ 500 мA, 10 В, Icutoff-max = 50 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,24 @ 300 мA, 1 А, Р, Вт = 3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 113023 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
G65P06D5N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 65 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6138 @ 25, Qg, нКл = 75, Rds = 18 мОм, Ugs(th) = 3,5 В, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 135156 Корпус: PowerTDFN-8
|
Ціна потребує уточнення | Очікується: 40 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
G7P03LP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 15, Qg, нКл = 29, Rds = 23 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 1,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 121534 Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 5800 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IAUC120N04S6L005ATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11203 @ 25, Qg, нКл = 177, Rds = 0,55 Ом, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 187, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 125999 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PowerTDFN-8
|
|
Є на складі: 70 Очікується: 1700 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
IAUC120N04S6L012ATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4832 @ 25, Qg, нКл = 80, Rds = 1,21, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 115, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 123915 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PowerTDFN-8
|
Ціна потребує уточнення | Очікується: 20 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
IAUS200N08S5N023ATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 200 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7670 @ 40, Qg, нКл = 110, Rds = 2,3 мОм, Ugs(th) = 3,8 В, Р, Вт = 200, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 124022 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PowerSMD-8
|
|
Є на складі: 20 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1800 |
|
|||||||||||||
IAUS300N10S5N014ATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 360 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 16011 @ 50, Qg, нКл = 216, Rds = 1,4 мОм, Ugs(th) = 3,8, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 130247 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PowerSMD-8
|
|
Є на складі: 12 Очікується: 160 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1800 |
|
|||||||||||||
IPB180P04P4L02ATMA2P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 180 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 18700 @ 25, Qg, нКл = 286 @ 10 В, Rds = 2,4 мОм @ 100 A, 10 В, Ugs(th) = 2,2 @ 410 мкА, Р, Вт = 150, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 130158 Виробник: Infineon Technologies Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
IPB320N20N3GATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 34 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2350 pF @ 100 V, Qg, нКл = 29 @ 10 V, Rds = 32mOhm @ 34A, 10V, Опис N-канальний ПТ, Тексп, °C = -55°C ... 175°C,...SKU: 134078 Виробник: Infineon Technologies Корпус: D2PAK
|
|
Є на складі: 10 Очікується: 100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
IPD048N06L3GATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 90 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 8400 @ 30, Qg, нКл = 50, Rds = 4,8 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 115, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 129693 Виробник: Infineon Technologies Корпус: TO-252-3
|
|
Є на складі: 55 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
IPD110N12N3GATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 120, Id = 75, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 60, Qg, нКл = 65 @ 10 B, Rds = 11 мОм @ 75 A, 1 B, Ugs(th) = 3 @ 83 мА, Р, Вт = 136, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 132314 Виробник: Infineon Technologies Корпус: TO-252-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
IPD90P03P404ATMA2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 90 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 10300 @ 25, Qg, нКл = 13 @ 10, Rds = 4,5 мОм, Ugs(th) = 3 В @ 253 мкА, Р, Вт = 137, Тексп, °C = -55...+175,...SKU: 118813 Виробник: Infineon Technologies Корпус: DPAK-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
IPD90P03P4L04ATMA2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 90 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25, Qg, нКл = 160 @ 10, Rds = 4,1 мОм @ 90 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 253 мкА, Р, Вт = 137 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 93812 Виробник: Infineon Technologies Корпус: DPAK-3
|
|
Є на складі: 90 Очікується: 520 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
IPG16N10S461ATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 7, Rds = 61 @ 16 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,5 В, Р, Вт = 29, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 123012 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PowerVDFN-8
|
|
Є на складі: 6 Очікується: 32 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
IPL60R085P7AUMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 650, Id = 39 А, Ptot, Вт = 154, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2180 @ 400, Qg, нКл = 51 @ 10 В, Rds = 85 мОм @ 11,8 A, 10 D, Tексп, °C = -40...+150, Ugs(th) = 4 В @ 590 мкА,...SKU: 99229 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PG-VSON-4
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IPL60R125P7AUMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 650, Id = 27 А, Ptot, Вт = 111, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1544 @ 400, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 125 мОм @ 8,2 A, 10 В, Tексп, °C = -40...+150, Ugs(th) = 4 В @ 410 мкА,...SKU: 99217 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PG-VSON-4
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IPT009N08NM6ATMA1N-канальний ПТ, Id, A = 43 (Ta), 425 (Tc), Udss, В = 80, Ciss, пФ @ Uds, В = 13000 @ 40, Qg, нКл = 186 @ 10 В, Rds = 0,95 мОм @ 150 А, 10 В, Ugs(th) = 3,5 @ 278 мкА, Р, Вт = 3,8 (Ta), 375 (Tc), Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 135976 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PG-HSOF-8-1
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IPTC014N10NM5ATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 37 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 16000 @ 50, Qg, нКл = 211, Rds = 1,4 мОм, Ugs(th) = 3,8, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 133422 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PowerSOP-16
|
|
Є на складі: 10 Очікується: 630 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1800 |
|
|||||||||||||
IRF1010NSTRLPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 85, Ciss, пФ @ Uds, В = 3210@25, Qg, нКл = 120, Rds = 0.011 Ом, Ugs(th) = 4, Опис N-канальний ПТ, Р, Вт = 180, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 136668 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 800 |
|
|||||||||||||
IRF1407STRLPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5600 @ 25, Qg, нКл = 250 @ 10 В, Rds = 7,8 мОм @ 78 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 200, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 115728 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 800 |
|
|||||||||||||
IRF3205SN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 40543 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF3205SPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 57877 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Є на складі: 16 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF3205STRLPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 79259 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 800 |
|
|||||||||||||
IRF3707ZCSN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 59 А, Ptot, Вт = 57, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1210 @ 15, Qg, нКл = 15 @ 4,5 В, Rds = 9,5 мОм @ 21 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,25 @ 250 мкА,...SKU: 79375 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF4905SP-канальный ПТ (Vds=55V, Id=70A@T=25C, Id=44A@T=100C, Rds...SKU: 31775 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF4905SPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 27778 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF4905STRLPBFP-канальний ПТ, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 54150 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Є на складі: 11 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 36 |
|
|||||||||||||
IRF5210SPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 A, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мOм @ 38 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 53403 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF5210STRLPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 10367 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Є на складі: 581 Очікується: 200 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 800 |
|
|||||||||||||
IRF5305SPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 51080 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF5305STRLPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63, Rds = 60 мОм @ 16 A , 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 10 В, Pb-free,...SKU: 55517 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 800 |
|
|||||||||||||
IRF530NSPBFN-канальный ПТ (Vds=100V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.09R, P=70W, T=-55 to 175C)....SKU: 34402 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF540ZPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 36 А, Ptot, Вт = 92, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1770 @ 25, Qg, нКл = 63, Rds = 26.5 мОм @ 22 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 10 В,...SKU: 60365 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF5802TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 900 мА, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 88 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 540 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,...SKU: 35445 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TSOP-6
|
|
Є на складі: 724 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRF5803TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 3,4 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1110 @ 25, Qg, нКл = 37 @ 10 В, Rds = 112 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,...SKU: 63077 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TSOP-6
|
|
Є на складі: 1975 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRF640NSPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 61814 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Є на складі: 70 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF6638TR1PBFN-канальный combines the latest HEXFET® Power MOSFET...SKU: 44879 Виробник: International Rectifier/Infineon |
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRF7101PBF2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 320 @ 15, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,...SKU: 49003 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF71032N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,...SKU: 100990 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7103PBF2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,...SKU: 27910 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7103QTRPBF2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,...SKU: 32402 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 73 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7103TRPBF2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,...SKU: 23203 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7104PBF2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 15, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 1 А, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 24906 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 2519 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7204PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 10, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 5.3 А, 10 В, Ugs(th) = 2.5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 26536 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7205P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 870 @ 10, Qg, нКл = 40 @ 10 В, Rds = 70 мОм @ 4,6 A, 10 В, Ugs(th) = 3V @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 13195 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 88 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF7220P-канальний ПТ, Udss, В = -14, Id = 11, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 8075 @ -10, Qg, нКл = 84, Rds = 8,2 мОм, Tексп, °C = -55...+170, Ugs(th) = -0,6 В,...SKU: 39878 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SO-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7240PBFP-канальний ПТ, Udss, В = -40, Id = -10,5, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9250 @ -25, Qg, нКл = 73, Rds = 15 мОм, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = -2 В,...SKU: 41261 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7240TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = -40, Id = 10,5, Ciss, пФ @ Uds, В = 9250 @ -25, Qg, нКл = 73, Rds = 15 мОм, Ugs(th) = -2 В, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 104125 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7301PBF2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,2 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15, Qg, нКл = 20 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,...SKU: 24618 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 37 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7303PBF2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,...SKU: 23204 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7303TRPBF2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,...SKU: 1788 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Очікується: 475 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7304PBF2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15, Qg, нКл = 22 @ 4,5 В, Rds = 90 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА,...SKU: 409 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7304TRPBF2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,3, Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15, Qg, нКл = 22 @ 4,5 В, Rds = 90 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА, , Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,...SKU: 104294 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7306PBF2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3,6 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,...SKU: 34080 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 82 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7311Сдвоенный N-канальный ПТ (Vds=20V, Id=6.6A@t=25C, 5.3A@t=70C, Rds=0.023 R@Vgs=4.5V, P=2.0W, -55 to +150C), smd....SKU: 3406 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SO-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF7313N-канальный ПТ (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, P=2W, -55 to +150C)....SKU: 14260 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SO-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF7313PBF2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0, Qg, нКл = 22 @ 5,8 A, Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 33534 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7313TRN-канальный ПТ (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, P=2W, -55 to +150C)....SKU: 15985 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SO-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF7313TRPBF2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 128699 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: 8-SOIC
|
|
Є на складі: 70 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF73142P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 780 @ 15, Qg, нКл = 29 @ 4,5 В, Rds = 58 мОм @ 2,9 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА,...SKU: 410 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF7314PBF2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 780 @ 15, Qg, нКл = 29 @ 4,5 В, Rds = 58 мОм @ 2,9 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,...SKU: 19671 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7314TRPBF2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 780 @ 15, Qg, нКл = 29 @ 4,5 В, Rds = 58 мОм @ 2,9 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,...SKU: 50268 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7316PBF2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,...SKU: 22635 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 36 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7316TRPBF2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 7809 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 6732 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7324PBF2P-канальний ПТ, Udss, В = -20, Id = -9, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2940 @ -15, Qg, нКл = 42, Rds = 18 мОм, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = -0,75 В,...SKU: 25072 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SO-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7324TRPBF2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2940 @ 15, Qg, нКл = 63 @ 5 В, Rds = 18 мОм @ 9 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 36828 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 53 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7328PBF2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2675 @ 25, Qg, нКл = 78 @ 10 В, Rds = 21 мОм @ 8 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 35995 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 44 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7341PBF2N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,...SKU: 67822 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7341TRPBF2N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 4,7 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,...SKU: 53402 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7342PBF2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,...SKU: 42637 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7342TRPBF2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,...SKU: 27362 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Очікується: 700 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7351TRPBF2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1330 @ 30, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 17,8 мОм @ 8 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 50 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 101598 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7404PBFР-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,7 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 15, Qg, нКл = 50 @ 4,5 В, Rds = 40 мОм @ 3,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,...SKU: 49141 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 68 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7406PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,8 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 45 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,...SKU: 32590 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 147 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7406TRPBFP-канальний ПТ, Id = 5.8 А, Ptot, Вт = 2.5, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25 В, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 45 мОм @ 2.8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,...SKU: 64987 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOIC-8
|
|
Є на складі: 164 Очікується: 2000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF740ASPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 79109 Виробник: Vishay/IR Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF7413PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 13, Ciss, пФ @ Uds, В = 1800 @ 25, Qg, нКл = 52 @ 7,3 A, Rds = 18 мО @ 4,5 B, 3,7 A, Ugs(th) = 1...3 @ Vds = Vgs, 250 uA, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 21422 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF7416PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 10 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 92 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 5,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,...SKU: 20036 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Очікується: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7416TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 10 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 92 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 5,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,...SKU: 55074 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7420PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 11,5 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3529 @ 10, Qg, нКл = 38 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 11,5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,9 @ 250 мкA,...SKU: 41262 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7420TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 11,5, Ciss, пФ @ Uds, В = 3529 @ 10, Qg, нКл = 38 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 11,5 A, 4,5 В, Ugs(th) = 0,9 @ 250 мкA, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 101596 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7421D1N-канальный ПТ с диодом Шоттки (Vds=30V, Id=5,8A@T=25C, Id=4,6A@T=70C, Rds=0.035 R , P=2.0W, -55 to +150C), Schottky Vf = 0.39V...SKU: 16280 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SO-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF7424P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4030 @ 25, Qg, нКл = 110, Rds = 13.5 мОм, Ugs(th) = 10, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 22430 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 8 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7425PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 15 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 7980 @ 15, Qg, нКл = 130 @ 4,5 В, Rds = 8,2 мОм @ 15 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,...SKU: 37081 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 30 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7425TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 15, Ciss, пФ @ Uds, В = 7980 @ 15, Qg, нКл = 130, Rds = 8,2 мОм, Ugs(th) = 1.2 В @ 250мкА, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 109502 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7467PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 11 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2530 @ 15, Qg, нКл = 32 @ 4,5 В, Rds = 12 мОм @ 11 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 51004 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 158 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7469PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 9 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2000 @ 20, Qg, нКл = 23 @ 4,5 B, Rds = 12 мОм @ 9 А, 10В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,...SKU: 82551 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 6 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7473TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 6,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3180, Qg, нКл = 61, Rds = 26 мОм, Ugs(th) = 5,5, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 132770 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOIC-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7476PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 15 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2550 @ 6, Qg, нКл = 40 @ 4,5 В, Rds = 8 мОм @ 15 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,9 В @ 250 мкА,...SKU: 41263 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7484QN-канальный ПТ (Vds=40V, Id=14A@Vgs=7V, P=2.5W, ), Pb-free....SKU: 41183 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SO-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1000 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7492PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,7 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1820 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 79 мОм @ 2,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,...SKU: 58689 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7493PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 9,3 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1510 @ 25, Qg, нКл = 53 @ 10 В, Rds = 15 мОм @ 5,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 98525 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7493TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 9,3, Ciss, пФ @ Uds, В = 1510 @ 25, Qg, нКл = 53 @ 10, Rds = 15 мОм @ 5,6 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 125233 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Очікується: 20 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7494PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 5,1 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1783 @ 25, Qg, нКл = 53 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 3,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 46454 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRF7495PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 7,3, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1530pF @ 25V, Qg, нКл = 51, Rds = 22 mOhm @ 4.4A, 10V, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = ±20V,...SKU: 93838 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 21 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7495TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 7,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1530 @ 25, Qg, нКл = 51, Rds = 22 mOhm @ 4.4A, 10V, Ugs(th) = ±20V, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 113591 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7501TR2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,4 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 260 @ 15, Qg, нКл = 8 @ 4,5 В, Rds = 135 мОм @ 1,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА,...SKU: 412 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: MICRO-8
|
|
Є на складі: 2918 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF7530TRСдвоенный N-канальный ПТ (Vds=20V, Id=5.4A@t=25C, 4.3A@t=70C, Rds=0.03 R , P=1.3W, -55 to +150C), smd....SKU: 13401 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: MICRO-8
|
|
Є на складі: 49 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF7750TRPBF2P-канальний ПТ, Udss, В = -20, Id = 4,7, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ -15, Qg, нКл = 26, Rds = 0,030 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = -0,8 В,...SKU: 27820 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TSSOP-8
|
|
Є на складі: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7807TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 8,3, Rds = 25 мО, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 31808 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7807VPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 8,3 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 14 @ 5 В, Rds = 25 мОм @ 7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,...SKU: 26120 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7811AVPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 28, Id = 11 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 1801 @ 10, Qg, нКл = 17, Rds = 11 мОм, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 53979 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 55 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF7822PBFN-канальный ПТ (Vds=30V, Id=18A, 6.5 mOhms @ 15A, 10V, P=3.1W, 5500pF @ 16V, -55 to +155C)....SKU: 46359 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SO-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7831TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 21 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6240 @ 15, Qg, нКл = 60 @ 4,5 В, Rds = 3,6 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,35 @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 118615 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7832PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15, Qg, нКл = 51 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,...SKU: 28175 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 19 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3800 |
|
|||||||||||||
IRF7832TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15, Qg, нКл = 51 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,...SKU: 20035 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 213 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7855PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 12, Ciss, пФ @ Uds, В = 1560 @ 25, Qg, нКл = 26, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 54701 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 2 Очікується: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3800 |
|
|||||||||||||
IRF7855TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 12, Ciss, пФ @ Uds, В = 1560, Qg, нКл = 26, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55///+150, Тип монт. = smd,...SKU: 102297 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOIC-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF8313TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 9,7, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 15, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 15,5 мОм @ 9,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,35 @ 25 мкА,...SKU: 48922 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 943 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF840ASPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1018 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 27744 Виробник: Vishay/IR Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF840ASTRLPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1018 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 19929 Виробник: Vishay/IR Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 800 |
|
|||||||||||||
IRF840SPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Ptot2, Вт = 125,...SKU: 92563 Виробник: Vishay/IR Корпус: D2PAK
|
|
Є на складі: 62 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF8734TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 21 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3175 @ 15, Qg, нКл = 30 @ 4,5 В, Rds = 3.5 мОм @ 2 1A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2.35 В @ 50 мкА,...SKU: 63794 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICW-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF8910TRPBF2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 10, Rds = 14,6 мОм, Ugs(th) = 1,65...2,65 @ Uds = Ugs, 250 uA, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 36330 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Очікується: 188 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF9310TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 15, Qg, нКл = 165 @ 10 В, Rds = 4,6 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,4 В @ 100 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 111164 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 25 Очікується: 4 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF9358PBF2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 9,2 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1740 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 16,3 мОм @ 9,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 25 мкА,...SKU: 78192 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF9530NSPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 A, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 52014 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Є на складі: 69 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF9540SPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 19 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400, Qg, нКл = 61, Rds = 200 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 150, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 128793 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
IRF9956TRPBFСдвоенный N-канальный ПТ (Vds=30V, Id=3.5A@t=25C, 2.8A@t=70C, Rds=0.1Ohm, P=2W, -55 to +150C)...SKU: 40035 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SO-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF9Z14PBF-BE3P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 12, Rds = 500 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 43, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,...SKU: 130923 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: TO-220-3
|
|
Очікується: 2000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF9Z34NSPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 27743 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Є на складі: 22 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFL014NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 1,9 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 190 @ 25, Qg, нКл = 11 @ 10 В, Rds = 160 мОм @ 1,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 8571 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 80 |
|
|||||||||||||
IRFL014NTRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 1,9 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 190 @ 25, Qg, нКл = 11 @ 10 В, Rds = 160 мОм @ 1,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 24605 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
IRFL014PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25, Qg, нКл = 11 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 1,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 43194 Виробник: Vishay/IR Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 1724 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 80 |
|
|||||||||||||
IRFL014TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25, Qg, нКл = 11 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 1,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 57875 Виробник: Vishay/IR Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
IRFL024NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 2,8 A, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18,3 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 39969 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 80 |
|
|||||||||||||
IRFL024NTRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 2,8 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18,3 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 94731 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 155 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
IRFL024ZTRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 5,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 25, Qg, нКл = 14, Rds = 57,5 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 130267 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-261AA
|
|
Є на складі: 38 Очікується: 35 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
IRFL110PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 900 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Ptot2, Вт = 3,1,...SKU: 45409 Виробник: Vishay/IR Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
IRFL110TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 900 мA, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 104738 Виробник: Vishay/IR Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
IRFL214TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 250, Id = 790 мА, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25, Qg, нКл = 8,2 @ 10 B, Rds = 2 Oм @ 470 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 81636 Виробник: Vishay/IR Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
IRFL4310PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,6 A, Ptot, Вт = 2,1, Тип монт. = smd, Rds = 200 мОм, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2...4, Pb-free,...SKU: 56972 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 6 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
IRFL9014PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,8 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 пФ, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 1.1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 @ 250 мкА,...SKU: 21346 Виробник: Vishay/IR Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRFL9014TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 1,1 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 46173 Виробник: Vishay/IR Корпус: SOT-223
|
|
Очікується: 2902 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
IRFL9110PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,1 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25, Qg, нКл = 8,7 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 8537 Виробник: Vishay/IR Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRFL9110TRPBF-BE3P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25, Qg, нКл = 8,7 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 113254 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 5 Очікується: 50 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
IRFM120ATFСдвоенный N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=2.3A@t=25C, 1.84A@t=70C, Rds...SKU: 45321 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRFR014PBFN-канальный ПТ (MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK - Vishay IR Surface Mount N-Channel 60V 7.7A 200 mOhm @ 4.6A, 10V 300pF @ 25V 2.5W Tube 11nC @ 10V DPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab) Standard )....SKU: 45904 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: DPAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFR024NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 50003 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: DPAK
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFR024NTRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 13752 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRFR024PBFN-канальный ПТ (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds...SKU: 36351 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: DPAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFR120NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 9,4 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 210 мОм @ 5,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 3407 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 7 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFR120NTRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 9,4 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 210 мОм @ 5,6 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @,...SKU: 37696 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRFR15N20DPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 17 А, Ptot, Вт = 3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 910 @ 25, Qg, нКл = 41 @ 10 В, Rds = 165 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,...SKU: 51639 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFR15N20DTRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 17 А, Ptot, Вт = 3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 910 @ 25, Qg, нКл = 41 @ 10 В, Rds = 165 мОм @ 10 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,...SKU: 61826 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRFR220NTRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 5 А, Ptot, Вт = 43, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25, Qg, нКл = 23 @ 10 В, Rds = 600 мОм @ 2,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55 .. + 175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 47991 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 85 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRFR2405PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 56 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2430 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 16 мОм @ 34 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 58522 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRFR2407TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 42 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2400 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 26 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 13317 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRFR2905ZTRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1380 @ 25, Qg, нКл = 44 @ 10 В, Rds = 14,5 мОм @ 36 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 71677 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRFR320PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,1, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 20, Rds = 1,8 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2...4 В, Pb-free,...SKU: 36352 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: DPAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFR320PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 3,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 20, Rds = 1,8 Ом, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 2,5, 45, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 120082 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: DPAK
|
|
Є на складі: 50 Очікується: 200 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRFR320TRPBFN-канальний ПТ , Udss, В = 400, Id = 3,1 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 20 (10 В), Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 10 В,...SKU: 55672 Виробник: Vishay (passive) Корпус: D-Pak
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRFR3410PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 250 µA, Ptot, Вт = 3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1690 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 10 В, Rds = 39 мОм @ 18 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, P2 = 100 Вт,...SKU: 50427 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: DPAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFR3607TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 56 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3070 @ 50, Qg, нКл = 84 @ 10 В, Rds = 9 мОм @ 46 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 100 мкА, Р, Вт = 140, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 102892 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: DPAK-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRFR3806PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 43, Rds = 15,8 мОм, Р, Вт = 71, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd, DPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab) ,...SKU: 102298 Виробник: ON Semiconductor Корпус: D-Pak
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRFR3806TRPBFN-канальный ПТ (Vds=60V, Id=43A@T=25C, 15.8 mOhm @ 25A, 10V, P=71W, DPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab) -55 to 175C),...SKU: 44931 Виробник: ON Semiconductor Корпус: D-Pak
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRFR430APBFN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 5 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 1,7 Ом @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА,...SKU: 48537 Виробник: Vishay/IR Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 267 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFR4615PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1750 пФ @ 50 В, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 21 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 144 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 52049 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 14 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFR5305PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 29535 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 200 Очікується: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFR5305TRLPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 15683 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 15 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRFR5305TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 57795 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: DPAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRFR540ZPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 35 А, Ptot, Вт = 91, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1690 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 28,5 мОм @ 21 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 50 мкA,...SKU: 79363 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 16 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFR540ZTRLPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 35 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1690 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 28,5 мОм @ 21 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 50 мкА, Р, Вт = 91, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 101699 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRFR5410PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 13 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25, Qg, нКл = 58, Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В, Ugs(th) = 10, Р, Вт = 66 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 13509 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFR5410TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 13 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 760, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 66, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 108309 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 1088 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRFR5505PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 32, Rds = 110 мОм @ 9,6 A, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 57, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 37336 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 23 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRFR5505TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 32, Rds = 110 мОм @ 9.6 A, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 57, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 120702 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 470 Очікується: 500 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRFR6215PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 13 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25, Qg, нКл = 66 @ 10 В, Rds = 295 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 43353 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFR825TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1346 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 1,3 Ом, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 119, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 109554 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 743 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRFR9024NPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 21507 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFR9024NTRLPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 38, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 106681 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRFR9024NTRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 2894 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 518 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRFR9024PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 8,8 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 570 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 280 мОм @ 5,3 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 53019 Виробник: Vishay/IR Корпус: D-PAK
|
|
Очікується: 6 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFR9210PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 1,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ 25, Qg, нКл = 8,9 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 1,1 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 47160 Виробник: Vishay/IR Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 1048 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFR9220PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,6 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 1.5 Ом @ 2.2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 85160 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: DPAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRFR9220TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 1.5 Ом @ 2.2 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 60095 Виробник: Vishay/IR Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRFS23N15DMOSFET N-CH 150V 23A D2PAK, Vdss В 150V, Id x, Ptot, Вт 3.8W,...SKU: 52136 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-263 (D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFS23N15DPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 23 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 10 В, Rds = 0,09 Ом @ 14 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175,...SKU: 61825 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFS23N20DMOSFET N-CH 200V 24A D2PAK...SKU: 45608 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-263 (D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFS3004-7PPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 400, Ptot, Вт = 380, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9130 @ 25, Qg, нКл = 240 @ 10 В , Rds = 1.25 мОм @ 195 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 10,...SKU: 84281 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFS31N20DPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 31 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2370 @ 25, Qg, нКл = 107 @ 10 В, Rds = 82 мОм @ 18 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкA,...SKU: 79059 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFS4115TRLPBFN-канальний ПТ, Id = 195 A, Ptot, Вт = 375, Udss, В = 150, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 5270 @ 50, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 12.1 мОм @ 62 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,...SKU: 63751 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 800 |
|
|||||||||||||
IRFS4227PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 62 А, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 4600 @ 25, Qg, нКл = 98 @ 10 В, Rds = 26 мОм @ 46 A, 10 В, Tексп, °C = -40...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,...SKU: 76466 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFS7530-TRL7PPN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 240 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 12960 @ 25, Qg, нКл = 354 @ 10 B, Rds = 1,4 мОм, Ugs(th) = 3,7 @ 250 мкА, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 130159 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 800 |
|
|||||||||||||
IRFTS9342TRPBFP-канальний ПТ, Id = 5,8 А, Ptot, Вт = 2, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 595 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 5,8 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 25 мкА,...SKU: 67984 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TSOP-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRFZ34NSTRLPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 110082 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 800 |
|
|||||||||||||
IRL540NSPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 36 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1800 @ 25, Qg, нКл = 74 @ 5 В, Rds = 44 мОм @ 18 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 48218 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRL540NSTRLPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 36 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1800 @ 25, Qg, нКл = 74 @ 5 В, Rds = 44 мОм @ 18 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 71586 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Є на складі: 576 Очікується: 1550 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 800 |
|
|||||||||||||
IRL6372TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 8,1 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 25, Qg, нКл = 11 @ 4,5 В, Rds = 17,9 мОм @ 8,1 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,...SKU: 74829 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRL640SPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 17 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1800 @ 25, Qg, нКл = 66 @ 5 В, Rds = 180 мОм @ 10 A, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 76456 Виробник: Vishay/IR Корпус: D2PAK
|
|
Очікується: 60 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRLHM620TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 40 А, Rds = 2,5 мОм, Р, Вт = 37, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 117503 Виробник: Infineon Technologies Корпус: DPAK-3
|
|
Є на складі: 615 Очікується: 1500 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRLHS2242TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 7,2, Ciss, пФ @ Uds, В = 877 @ 10, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 31 мОм @ 8,5 А, 4,5 В, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА, Р, Вт = 2.1, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 133045 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: 6-PowerVDFN
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRLL014NN-канальный ПТ, Vdss В = 55, Id = 2 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Rds = 140 мОм, Qg,нКл = 14, Tэксп, °C = -55...+150, Vgs(th) = 10, Входная ёмкость = 230 пФ (при напряжении 25 В),...SKU: 6884 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
IRLL014NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 2 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 230 @ 25, Qg, нКл = 14 @ 10 В, Rds = 140 мОм @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -65 ...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 63689 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 80 |
|
|||||||||||||
IRLL014NTRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 2 A, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 230 @ 25, Qg, нКл = 14 @ 10 В, Rds = 140 мОм @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -65...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 54609 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
IRLL024NN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,1 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 510 @ 25, Qg, нКл = 15,6 @ 5 В, Rds = 65 мОм @ 3,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 19887 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 80 |
|
|||||||||||||
IRLL110PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 250 @ 25, Qg, нКл = 6,1 @ 5 В, Rds = 540 мОм @ 900 мА, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 29994 Виробник: Vishay/IR Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 40 |
|
|||||||||||||
IRLL110TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 250 @ 25, Qg, нКл = 6.1 @ 5, Rds = 540 мОм @ 900 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 35115 Виробник: Vishay/IR Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
IRLL2705N-канальный ПТ (Vds=55V, Id=5.2A@T=25C, Id=3.0A@T=70C, Rds=0.04 R, P=2.1W, -55 to +175C)....SKU: 12202 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRLL2705PBFN-канальный ПТ (Vds=55V, Id=5.2A@T=25C, Id=3.0A@T=70C, Rds=0.04 R, P=2.1W, -55 to +175C)....SKU: 28915 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 80 |
|
|||||||||||||
IRLL2705TRPBFN-канальний ПТ, Id = 3.8 А, Ptot, Вт = 1, Vdss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Vds, В = 870 @ 25, Qg,нКл = 48 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 3.8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Vgs(th) = 2 @ 250 мкА,...SKU: 64435 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 80 |
|
|||||||||||||
IRLL3303TRPBFТранзистор полевой N канальный, Vdss=30V, Id=4.6A, Rds(on)=0.031 Ohm, HEXFET® Power MOSFET, SOT-223...SKU: 44974 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 80 |
|
|||||||||||||
IRLM220ATFN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 1,13 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 800 мОм @ 570 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150,...SKU: 99516 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRLML0030TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,3 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 382 @ 15, Qg, нКл = 2,6 @ 4,5 В, Rds = 27 мОм @ 5,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,3 В @ 25 мкА,...SKU: 62486 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML0040TRPBFN-канальный ПТ, Id = 3.6 А, Ptot, Вт = 1.3, Vdss В = 40, Тип монт. = smd, Rds = 56 мОм @ 3.6 A, 10 В, Ciss @ Vds = 266 @ 25, Qg,нКл = 3.9, Tэксп, °C = -55...+150, Vgs(th) = 4.5 В,...SKU: 61136 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1 Очікується: 300 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML0060TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 25 4,5 В, Rds = 92 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,...SKU: 71997 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1947 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML0100TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 4,5 В, Rds = 220 мОм @ 1,6 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 60521 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML2030TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 110 @ 15, Qg, нКл = 1 @ 4,5 В, Rds = 100 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,3 В @ 25 мкA,...SKU: 76754 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 84 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML2060TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 64 @ 25, Qg, нКл = 0.67, Rds = 480 мОм @ 1,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,...SKU: 57241 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML2244TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 570 @ 16, Qg, нКл = 6,9 @ 4,5 В, Rds = 54 мОм @ 4,3A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА, Р, Вт = 1,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 95306 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 5954 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML2246P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,6, Ciss, пФ @ Uds, В = 220, Qg, нКл = 2,9 @ 4,5 В, Rds = 135 мОм @ 2,6 A мОм, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = 55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 115593 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 145 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML2246TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,6, Ciss, пФ @ Uds, В = 220 @ 16, Qg, нКл = 2,9 @ 4,5 В, Rds = 135 мОм @ 2,6 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 100675 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML2402TRN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 110 @ 15, Qg, нКл = 3,9 @ 4,5 В, Rds = 250 мОм @ 930 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА,...SKU: 6121 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRLML2402TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 110 @ 15, Qg, нКл = 3,9 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 930 мA, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,...SKU: 21127 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 5166 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML2502TRN-канальный ПТ (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C, Rds...SKU: 13311 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML2502TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,2 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 15, Qg, нКл = 12 @ 5 В, Rds = 45 мОм @ 4,2 А, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,...SKU: 19388 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 5274 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML2803TRN-канальный ПТ (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, P=540mW, -55 to +150C), упр-е логич. уровнем....SKU: 9826 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML2803TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 85 @ 25, Qg, нКл = 5 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 910 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,...SKU: 23443 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 31 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML5103TRP-канальный ПТ (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, P=540mW, -55 to +150C)....SKU: 17004 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRLML5103TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 760 мА, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 75 @ 25, Qg, нКл = 5.1 @ 10 В, Rds = 600 мОм @ 600 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,...SKU: 23442 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23
|
|
Є на складі: 1538 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML5203TR(PBF)P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 510 @ 25, Qg, нКл = 14 @ 10 В, Rds = 98 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,...SKU: 17385 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML6244TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,3 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 16, Qg, нКл = 8,9 @ 4,5 В, Rds = 21 мОм @ 6,3 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,...SKU: 63819 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 124 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML6246TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 16, Qg, нКл = 3,5 @ 4,5 B, Rds = 46 мОм @ 4,1 A, 4,5 B, Ugs(th) = 1,1 @ 5 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 132019 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML6302TRPBFP-канальний ПТ з керуванням логічного рівня, Udss, В = 20, Id = 780 мА, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 97 @ 15, Qg, нКл = 3,6 @ 4,45, Rds = 600 мОм @ 610 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА,...SKU: 24146 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23
|
|
Є на складі: 11 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML6344TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5 A, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 4,5 В, Rds = 29 мОм @ 5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,...SKU: 58719 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 2024 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML6346TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 24, Qg, нКл = 2,9 @ 4,5 В, Rds = 63 мОм @ 3,4 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,...SKU: 98079 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML6401TRP-канальный ПТ (Vds=12V, Id=4.3A@T=25C, Id=3.4A@T=70C, Rds=0.05 R, P=1.3W, -55 to +150C)...SKU: 15381 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
IRLML6401TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 4,3 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 830 пФ @ 10 В, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 50 мОм @ 4,3 A, 4,5 В, Ugs(th) = 950 мВ @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 62104 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML6402TRP-канальный ПТ (Vds=20V, Id=3.7A@T=25C, Id=2.2A@T=70C, Rds=0.065 R, P=1.3W, -55 to +150C), упр-е логич. уровнем...SKU: 21133 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
IRLML6402TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,7 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 633 @ 10, Qg, нКл = 12 @ 250 мкА, Rds = 65 мОм @ 3,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,...SKU: 7927 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 141 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML9301TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3,6 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 388 @ 25, Qg, нКл = 4,8 @ 10 В, Rds = 64 мОм @ 3.6 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 10 мкА,...SKU: 56772 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1176 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLML9303TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,3 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 160 @ 25, Qg, нКл = 2 @ 4.5 В, Rds = 165 мОм @ 2,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 10 мкА,...SKU: 58533 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLR024NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 17 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 65 Ом @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 45, Тексп, °C = -55 ...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 55870 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLR024NTRPBFN-канальний ПТ, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25, Qg, нКл = 15, Rds = 65 мОм, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В,...SKU: 48536 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: DPAK
|
|
Є на складі: 132 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRLR120NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 10 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 5 В, Rds = 185 мОм @ 6 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 35296 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRLR120NTRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 11, Ptot, Вт = 39, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25, Rds = 185 @ 10 В, 6 А мОм, Tексп, °C = -55...+175,...SKU: 84042 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRLR2705TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 28 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 5 В, Rds = 40 мОм @ 17 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 115709 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRLR2905PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 27 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 22517 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRLR2905TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 27 мОм @ 25 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 49778 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 94 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRLR2908PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 30 А, Ptot, Вт = 120, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1890 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 4,5 В, Rds = 28 мОм @ 23 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,...SKU: 74660 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRLR3110ZTRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 42 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3980 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 38 А, 10 В, Ugs(th) = 2.5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 140, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 125537 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 35 Очікується: 320 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRLR3410PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ptot, Вт = 79, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 5 В, Rds = 105 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 50810 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 6 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRLR3410TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 5 В, Rds = 105 мОм @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 79, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 118395 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRLR3636TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 50 A, Ptot, Вт = 143, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3779 @ 50, Qg, нКл = 49 @ 4,5 В, Rds = 6,8 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,5 @ 100 мкА,...SKU: 58192 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
Ціна потребує уточнення | Очікується: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRLR8726PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 86 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2150 @ 15, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 5,8 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,35 В @ 50 мкА,...SKU: 91370 Виробник: Infineon Technologies Корпус: DPAK-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRLR9343TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 20, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 50, Qg, нКл = 47 нС @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3.4 А, 10 В, Ugs(th) = ±20 В, Р, Вт = 79 Вт, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = smd, TO-252AA,...SKU: 98347 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 12 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRLTS2242TRPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 905 @ 10, Qg, нКл = 12, Rds = 32 мОм, Ugs(th) = 1,1, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 131918 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6
|
|
Є на складі: 40 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRLZ34NSTRLPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 5 В, Rds = 35 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 111392 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Є на складі: 11 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 800 |
|
|||||||||||||
ISC009N06LM5ATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 348, Ciss, пФ @ Uds, В = 13000 @ 30, Qg, нКл = 209, Rds = 0,9 Ом, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 214, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 128277 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: PowerTDFN-8
|
|
Є на складі: 6 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
ISC0703NLSATMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 13, Опис N-канальний ПТ,...SKU: 134134 Виробник: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8
|
|
Є на складі: 10 Очікується: 1100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IXFN300N10PN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 295 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 23000 @ 25, Qg, нКл = 279, Rds = 5,5 мОм, Ugs(th) = 5 В, Р, Вт = 1070, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 122773 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: SOT-227-4
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10 |
|
|||||||||||||
IXKN75N60CN-канальний ПТ на шасі, Id = 75 А, Udss, В = 600, Qg, нКл = 500 @ 10 В, Rds = 36 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -40...+125, Ugs(th) = 3,9 В @ 5 мА,...SKU: 37817 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: SOT-227B
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10 |
|
|||||||||||||
KMB030N30D-RTF/PN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 30, Ptot, Вт = 50, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 872 @ 10, Qg, нКл = 15,3, Rds = 18 мОм, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 10 В,...SKU: 33797 Виробник: KEC Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 920 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
MBT2222ADW1T1GТранзистор NPN PB-Free, (Uce=40V, Ic=0.6A, P=150mW, B=100-300@I=150mA, f>300MHz, SOT-363,-55 to +150C)....SKU: 35754 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-363
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MBT3906DW1T1GПодвоєний транзистор PNP, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 10 мА, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мА, 50 мА, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 116639 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SC70-6
|
|
Є на складі: 85 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MJB41CT4GТранзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 6 А, ft, МГц = 3, hFE = 15 @ 3 A, 4 В, Icutoff-max = 700 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 600 мA, 6 A, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 117709 Виробник: ON Semiconductor Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 800 |
|
|||||||||||||
MJD31CGТранзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 3, ft, МГц = 3, hFE = 10 @ 3А, 4В, Icutoff-max = 50 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1.2 @ 375мА, 3А, Р, Вт = 1,56, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 123781 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
MJD31CT4GТранзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 3 А, ft, МГц = 3, hFE = 10 @ 3 A, 4 В, Icutoff-max = 50 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,2 @ 375 мA, 3 A, Р, Вт = 1,56, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 115716 Виробник: ON Semiconductor Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
MJD32CT4-AТранзистор PNP, Uceo, В = 100, Ic = 3 А, Тип монт. = smd, hFE = 10 @ 3 А, 4 В, Icutoff-max = 50 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1.2 В @ 375 мА, 3 A, Тексп, °С = +150,...SKU: 98346 Виробник: STMicroelectronics Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
MJD340GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 10, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 мкА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 78377 Виробник: ON Semiconductor Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
MJD340T4Транзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, hFE = 30...240, Р, Вт = 15, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,...SKU: 118759 Виробник: STMicroelectronics Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
MJD340T4GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 мкА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 12397 Виробник: ON Semiconductor Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
MJD350T4GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 2015 Виробник: ON Semiconductor Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
MJD44H11GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 85, hFE = 40@ 4А, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 А, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 58151 Виробник: ON Semiconductor Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
MJD44H11TMТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 4 А. 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A, Тексп, °С = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 53457 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
MJD45H11GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 90, hFE = 40 @ 4 А, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 A, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 58152 Виробник: ON Semiconductor Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
MJD45H11T4Транзистор PNP, Ptot, Вт = 20, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, hFE = 40 @ 4 A, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 А, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 60425 Виробник: STMicroelectronics Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
MJD45H11TMТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 40, hFE = 40 @ 4 A, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мA, 8 A, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 53456 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
MMBF170N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 500 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 40 @ 10, Rds = 5 Ом @ 200 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 1000 мкА,...SKU: 87144 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBFJ111N-канальний ПТ, Udss, В = 35, Id = 50 мА, Rds = 30 Ом, Ugs(th) = 3 В @ 1 мкА, Р, Вт = 0,36, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 111684 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 50 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBFJ177LT1GP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Ptot, Вт = 0,225, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 11 @ 10, Rds = 300 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 800 мВ @ 10 нА, Idss = 1,5 мА @ 15 В,...SKU: 19185 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBFJ202N-канальний ПТ з функцією J-FET, Udss, В = 40, Ugs(th) = 800 мВ @ 10 нА, Тексп, °C = -55...+150, Idss = 900 мкА @ 20 В,...SKU: 17847 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBFJ309LT1GN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 30 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 5, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,225, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 121830 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Очікується: 3000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBFJ310LT1GN-канальний ПТ з функцією J-FET, Udss, В = 25, Id = 60 мА, Тип монт. = smd, Tексп, °C = -55...+150,...SKU: 33665 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBT2222AТранзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 600 мА, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 150 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 62491 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
MMBT2222A,215Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мА, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,...SKU: 116585 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
MMBT2222ALT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 61833 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBT2222AWT1GТранзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 0,15 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 25696 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-323
|
|
Є на складі: 8880 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
MMBT2222LT1Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)....SKU: 19372 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 |
|
|||||||||||||
MMBT2907ALT1GТранзистор PNP, Uceo, В = -60, Ic = -600 мА, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ -10 mA, -10 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 19363 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1882 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
MMBT3904Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, hFE = 100/300 @ 10, Р, Вт = 0,25 Вт,...SKU: 66693 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBT3904,215Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 0,2 А, ft, МГц = 300, Опис Транзистор NPN, Р, Вт = 0.25,...SKU: 134068 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 398 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBT3904LP-7BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мA, 50 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 96563 Виробник: Diodes INC. Корпус: DFN1006-3
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
MMBT3904LT1GТранзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мА, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.3 @ 5 мА, 50 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 29850 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 74 Очікується: 4 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBT3904TТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мА, 50 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 97084 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-523F
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBT3904T-7-FТранзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100, Icutoff-max = 200 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 127386 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-523
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBT3906-TPТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 50 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 55621 Виробник: Micro Commercial Components Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 75 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBT3906LT1GТранзистор PNP, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 50 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 32781 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 7095 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBT4401LT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 150 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,75 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 40651 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBT5401Транзистор PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C)....SKU: 6423 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
MMBT5401Транзистор PNP, Uceo, В = 150, Ic = 600 мА, hFE = 50...240, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 40062 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 20 |
|
|||||||||||||
MMBT5401LT1GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 150, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 60 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 50 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 29593 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBT5551LT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 160, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, hFE = 80 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 23606 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 281 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBT8099LT1GТранзистор NPN (Uce=80V, Ic=0.5A, P=250mW, hfe>40 , f>400MHz, -65 to +150C)....SKU: 47002 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
MMBT9018Транзистор NPN, Uceo, В = 15, Ic = 0,05 А, Опис Транзистор NPN,...SKU: 134786 Виробник: Semtech Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBTA06LT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 22995 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 16 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBTA42Транзистор NPN, Ptot,Вт = 0.35, VCEO,В = 500 мВ @ 2 мA, 20 мA, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft,МГц = 50, hFE = 40 @ 30 мA, 10 В, VCEO(sat),В @ Ic, Ib = 300, Тэксп, °С = -65...+150,...SKU: 60200 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBTA42LT1Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 30 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мA, 20 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 611 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10 |
|
|||||||||||||
MMBTA42LT1GТранзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 30 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мA, 20 мA, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 20299 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBTA92Транзистор PNP, Ptot, Вт = 250, Uceo, В = 300, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 10 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 70023 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 6 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
MMBTA92LT1GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 300, Ic = 50 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 25 @ 30 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мА , 20 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 33698 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMSS8050-H-TPТранзистор NPN, Uceo, В = 25, Ic = 1,5 А, ft, МГц = 100, hFE = 120 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 80 мA, 800 мА, Р, Вт = 0,625, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 102475 Виробник: Micro Commercial Components Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MTD20N06HDLN-канальный ПТ (Vds=60V, Id=20A, Rds=0.05R, -55 to +150C)....SKU: 3441 Виробник: ON Semiconductor Корпус: DPAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
MUN5211DW1T1GТранзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5 мА, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 250 мВ @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0.25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 133046 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-363
|
|
Є на складі: 2800 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MUN5211T1GТранзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5мА, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 250 @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0,202, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 134104 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-323
|
|
Очікується: 500 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MUN5311DW1T2GТранзистор NPN подвоєний, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25, Р, Вт = 0,25, Тип монт. = SMD,...SKU: 135234 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-363
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
NDS331NN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,3 А, Ptot, Вт = 0,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 162 @ 10, Qg, нКл = 5 @ 4,5 В, Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,...SKU: 36021 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
NDS7002AN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1 500 мА, Ptot, Вт = 300 mW, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 2 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,...SKU: 49573 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 13 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
NDT452APP-канальный ПТ (Vds=30V, Id=5A, P=3W , Rds=0.065R)....SKU: 24700 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 5 Очікується: 62 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
NDT456PP-канальный ПТ (Vds=30V, Id=7.5A, P=1.1W , Rds=0.03R)....SKU: 43628 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
NE85634-T1-AТранзистор, Тип монт. smd, VCEO,В 12V, Ic 100mA¶, Ptot,Вт 2W, ft,МГц 6.5GHz,...SKU: 53427 Виробник: NEC Electronics America Корпус: SOT-89
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
NP100P06PDG-E1-AYТранзистор P-channel MOS Field Effect Transistor ПТ (Vds=-60V, Id=300mA@t=25C, 1.8A@t=70C, Rds...SKU: 43464 Виробник: NEC Electronics America Корпус: TO-263 (MP-25ZP)
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 800 |
|
|||||||||||||
NST45010MW6T1GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,38, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65V @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 79956 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-363
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
NTA4153NT1GN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 0,915 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 110@4,5, Qg, нКл = 1.82, Rds = 0.23 Ом, Ugs(th) = 1.1V @ 250 мкА, Опис N-канальний ПТ, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 136909 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Очікується: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
NTBLS0D8N08XN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 457, Ciss, пФ @ Uds, В = 12920 @ 40, Qg, нКл = 174 @ 10, Rds = 790 мкОм, Ugs(th) = 3,6, Р, Вт = 325, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 129702 Виробник: ON Semiconductor Корпус: H-PSOF8L-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
NTD14N03RT4GN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 2,5 А, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 115 @ 20, Qg, нКл = 1,8 @ 5 В, Rds = 95 мОм @ 5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 29744 Виробник: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3
|
|
Є на складі: 1274 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
NTD5867NLT4GN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 675 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 39 мОм @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 36, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 102998 Виробник: ON Semiconductor Корпус: DPAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
NTF3055L108T1GN-канальный ПТ (MOSFET N-CH 60V 3A SOT223, -55 to , Id 2V @ 250µA, Ptot, Вт 1.3W, Vdss В 440pF @ 25V,...SKU: 50281 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
NTK3139PT1GP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 660 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ 16, Rds = 480 мОм @ 780 мА, 4.5 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 133044 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-723
|
|
Є на складі: 50 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
NTMD4840NR2G2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15, Qg, нКл = 9,5 @ 10 В, Rds = 24 мОм @ 6,9 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,68, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 116646 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
NTMD5838NLR2G2N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 7,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 785 @ 20, Qg, нКл = 17 @ 10 В, Rds = 25 мОм @ 7 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 92293 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
NTMTS001N06CTXGN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 376 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 8705, Qg, нКл = 113, Rds = 0,91, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 244, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 134531 Виробник: ON Semiconductor Корпус: PowerTDFN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
NTR4003NT1GN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 500 мА, Ptot, Вт = 0,69, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 21 @ 5, Qg, нКл = 1,15 @ 5 В, Rds = 1,5 Ом @ 10 мA, 4 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,4 В @ 250 мкА,...SKU: 95856 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 256 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
NTR4101PT1GP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 675, Qg, нКл = 8,5, Rds = 85 мОм, Ugs(th) = 1,2, Р, Вт = 0,42, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 133122 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
NTS4001NT1GN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 270 мА, Ptot, Вт = 0,33, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 33 @ 5, Qg, нКл = 1,3 @ 5 В, Rds = 1,5 Ом @ 10 мA, 4 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 100 мкА,...SKU: 95863 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-323
|
|
Є на складі: 74 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
NTTFS012N10MDTAGN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 45 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 965 @ 50, Qg, нКл = 13 @ 10, Rds = 14,4 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 62, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 124643 Виробник: ON Semiconductor Корпус: 8-PowerWDFN
|
|
Є на складі: 48 Очікується: 6 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1500 |
|
|||||||||||||
NVMFS4C05NT1GN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 24,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1972 @ 15, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 3,4 мОм @ 30 A, 10 В, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,61, 79, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd, Id2 = 116 А,...SKU: 111786 Виробник: ON Semiconductor Корпус: PowerTDFN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1500 |
|
|||||||||||||
NVR4003NT3GN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 500 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 21 pF @ 5 V, Опис N-канальний ПТ, Р, Вт = 0,69, Тип монт. = smd, Automotive,...SKU: 121724 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 7 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
NX7002AK,215N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 190 мА, Ptot, Вт = 0,265, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 17 @ 10, Qg, нКл = 0,43 @ 4,5 В, Rds = 4,5 Ом @ 100 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА,...SKU: 77954 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 95 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
NZT560AТранзистор NPN (Uce=60V, Ic=3A, "low saturation" - Vcesat75MHz, -55 to +150C)....SKU: 20690 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 147 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
PBHV8115Z,115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,4, Uceo, В = 150, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 30, hFE = 50 @ 500 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,35 @ 200 мА, 1 А, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 69339 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-323
|
|
Є на складі: 314 Очікується: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
PBSS4540Z,115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 40, Ic = 5 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 250 @ 2 A, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,355 @ 0.5 A, 5 A, Тексп, °С = -40...+150,...SKU: 68309 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
PBSS5350T,215Транзистор PNP, Uceo, В = 50, Ic = 2 А, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 1 A, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,39 @ 300 мA, 3 A, Р, Вт = 0,54 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 93703 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PBSS5440D,115Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,1, Uceo, В = 40, Ic = 4 A, Тип монт. = smd, ft, МГц = 110, hFE = 175 @ 2 A, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,45 @ 600 мА, 6 А, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 57509 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-457
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PBSS5520X,135Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,6, Uceo, В = 20, Ic = 5 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 2 A, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,270 @ 500 мA, 5 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 61426 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-89-3
|
|
Є на складі: 28 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
PBSS5540Z,115Транзистор PNP, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 40, Ic = 5 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 120, hFE = 150 @ 2 A, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,16 @ 200 мA, 2A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 88413 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 128 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
PBSS8110Z,135Транзистор PNP, Uceo, В = 100, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 150 @ 250 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2 @ 100 мA, 1 A, Р, Вт = 1,4, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 107193 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
PDTA143ET,215Транзистор PNP, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 30 @ 10 мА, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 150 мВ @ 500 мкA, 10 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd, R(база) = R(эмиттер-база) = 4.7 кОм,...SKU: 58963 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1292 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PDTC123ET,215Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,35, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, hFE = 30 @ 20 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.15 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 65714 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PMBFJ176JFET P-CHAN 30V SOT-23, Тип монт. smd, VCEO,В 1V @ 10nA, Ic 8pF @ 10V (VGS), Ptot,Вт 300mW, ft,МГц Vgs2mA @ 15V,...SKU: 49539 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PMBT2369,215Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 15, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 500, hFE = 40 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 1 мA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 26123 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 14 Очікується: 30 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PMBT3904,215Транзистор NPN , Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 51330 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
Ціна потребує уточнення | Очікується: 210 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PMBT3906,215Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 51227 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PMBTA06,215Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 29776 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PMP4201Y,1152 транзистори NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 250, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,...SKU: 118546 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: TSSOP-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PMV40UN2RN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3,7 А, Ptot, Вт = 0,49, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 635 @ 15, Qg, нКл = 12 @ 4,5 В, Rds = 44 мОм @ 3,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,9 В @ 250 мкА,...SKU: 96076 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PMZ290UNE2YLN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 46, Qg, нКл = 1,4, Rds = 320 мА, Ugs(th) = 950 мВ, Р, Вт = 5,43, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 132914 Виробник: Nexperia Корпус: SOT-883
|
|
Є на складі: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
PMZB1200UPEYLP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 410 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43,2, Qg, нКл = 1,2, Rds = 1,4 Ом, Ugs(th) = 650 мВ, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 132913 Виробник: Nexperia Корпус: XFDFN-3
|
|
Є на складі: 54 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
PZT4403,115Транзистор PNP, Uceo, В = 40, Ic = 600, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ 150 мA, 1 В, Icutoff-max = 50 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,75 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 40, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 50610 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 40 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
PZTA42T1GТранзистор NPN високовольтний, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 300, Ic = 50 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 30 мА, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мА, 20 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 33208 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 8402 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
PZTA92T1GТранзистор PNP високовольтний, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 300, Ic = 50 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 30 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мA, 20 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 43356 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 2491 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
RE1C002UNTCLN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 0,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 25 @ 10, Rds = 1,2 Ом @ 100 мА, 2,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 134688 Корпус: SOT-490
|
|
Є на складі: 7 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
RFD14N05LSMN-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 14 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 670 @ 25, Qg, нКл = 40 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 14 A, 5 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 3429 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
RFD15P05P-канальный ПТ (Vds=50V, Id=15A, Rds=0.15 R, P=80W, -55 to +175C)....SKU: 3431 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-251AA
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10 |
|
|||||||||||||
RFD15P05SMP-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 15 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1150 @ 25, Qg, нКл = 150 @ 20 В, Rds = 150 мОм @ 15 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 80, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 3432 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
RK7002BN-канальный ПТ , VDS,В 60V, ID 0.23A, Ptot,Вт 0.36W,...SKU: 53851 Виробник: Rohm Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
RS3G160ATTB1P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 16, Ciss, пФ @ Uds, В = 6250 @ 20, Qg, нКл = 120, Rds = 6,2 @ 16 А, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 1,4, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 124777 Виробник: Rohm Корпус: SOIC-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
SBC847CDW1T1G2-канальний транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,38, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 39003 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TSSOP-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SBCP53-16T1GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 94657 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 1294 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
SBSS84LT1GP-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,225, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 36 @ 5, Qg, нКл = 2,2 @ 10 В, Rds = 10 Ом @ 100 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 99251 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SFM9014TFP-канальний ПТ, Udss, В = -60, Id = -1,8, Ptot, Вт = 2,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ -25, Qg, нКл = 9, Rds = 0,5, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = -3,...SKU: 23494 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 232 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
SFR9024TMP-канальний ПТ, Udss, В = -60, Id = 1, Ciss, пФ @ Uds, В = 465 @ -25, Qg, нКл = 15, Rds = 280 мОм, Ugs(th) = -3 В, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 23832 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 101 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
SI01P10-TPP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 388 @ 40, Qg, нКл = 3,2, Rds = 0,8 Ом, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 0,77, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 120592 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 9 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI1012CR-T1-GE3N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 630 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43 @ 10, Qg, нКл = 2, Rds = 396 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,24, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 130269 Виробник: Vishay BC Components Корпус: SOT-416
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI1013CX-T1-GE3P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 450 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 10, Qg, нКл = 2,5, Rds = 760 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,19, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 130268 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOT-490
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI1025X-T1-GE32P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 190 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 23 @ 25, Qg, нКл = 1,7 @ 15, Rds = 4 Ом, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 124901 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOT-666
|
|
Є на складі: 300 Очікується: 20 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI1317DL-T1-GE3P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 272 @ 10, Qg, нКл = 6,5, Rds = 150 мОм, Ugs(th) = 0,8 В, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -50...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 130693 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOT-323
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI2301CDS-T1-GE3N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 405 @ 10, Qg, нКл = 10 @ 4,5 В, Rds = 112 мОм @ 2,8 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,86, 1,6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 113784 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI2302CDS-T1-E3N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,6 А, Ptot, Вт = 0,71, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 5,5 @ 4,5 В, Rds = 57 мОм @ 3,6 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,85 В @ 250 мкА,...SKU: 73907 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI2309CDS-T1-E3N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 210 pF @ 30 V, Опис N-канальний ПТ,...SKU: 136071 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI2323DS-T1-GE3P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,7 А, Ptot, Вт = 0,75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 10, Qg, нКл = 19 @ 4,5 В, Rds = 39 мОм @ 4,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,...SKU: 77666 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 198 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI2324A-TPP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 2 А, Qg, нКл = 4.8, Rds = 280 мОм, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 1.2, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 104225 Виробник: Micro Commercial Components Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI2347DS-T1-GE3P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 705 @ 15, Qg, нКл = 22 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 3,8 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,7, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 107459 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI2367DS-T1-GE3P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,8, Ciss, пФ @ Uds, В = 561 pF @ 10 V, Qg, нКл = 23, Rds = 0.066, Ugs(th) = -1, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 1.7, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 122459 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOT-23-3
|
|
Очікується: 100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI3127DV-T1-GE3P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 3,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 833 @ 20, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 89 мОм @ 1,5 A, 4,5 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, 4,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 13 А,...SKU: 111948 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: TSOP-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI3457CDV-T1-GE3P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 450 @ 15, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 74 мОм @ 4,1 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 101415 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: TSOP-6
|
|
Є на складі: 17 Очікується: 3330 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI3467DV-T1-E3P-канальный ПТ, Ptot, Вт = 1.14, Id = 5 A, Vdss В = 20, Rds = 54 мОм, Qg,нКл = 13, Tэксп, °C = -55...+150, Vgs(th) = 10 В, Тип монт. = smd,...SKU: 45131 Виробник: Vishay BC Components Корпус: 6-TSOP
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI3900DV-T1-E32N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2 А, Qg, нКл = 4 @ 4,5 В, Rds = 125 мОм @ 2,4 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,83, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 103900 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: TSOT-23-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI3932DV-T1-GE32N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3,7 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 235 @ 15, Qg, нКл = 6 @ 10 В, Rds = 58 мОм @ 3,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА,...SKU: 95806 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI4143DY-T1-GE3P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6630 @ 15, Qg, нКл = 167 @ 10 В, Rds = 6,2 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 116910 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 426 Очікується: 2500 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
SI4154DY-T1-GE3N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 36 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4230 @ 20, Qg, нКл = 105 @ 10, Rds = 3,3 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 7,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 125477 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOIC-8
|
|
Є на складі: 359 Очікується: 10000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
SI4286DY-T1-GE32N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 7 А, Ptot, Вт = 2,9, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 375 @ 20, Qg, нКл = 10.5 @ 10 B, Rds = 32.5 мОм @ 8 A , 10 B, Tексп, °C = -55...+150,...SKU: 85486 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOICN-8
|
Ціна потребує уточнення | Очікується: 2500 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
SI4425DYP-канальный ПТ (Vds=-30V, Id=8.5A , Rds=0.023R)....SKU: 12100 Виробник: Vishay Semiconductor Корпус: SO-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
SI4435DDY-T1-GE3P-канальний ПТ, Id = 11,4 A, Ptot, Вт = 5, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1350 @ 15, Qg, нКл = 50 @ 10 В, Rds = 24 мОм @ 9,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,...SKU: 56410 Виробник: Vishay Semiconductor Корпус: SOICN-8
|
Ціна потребує уточнення | Є на складі: 700 Очікується: 700 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
SI4446DYMOSFET N-канал, Rds 40mOm, Vdss В 40, Id 3.9, Ptot, Вт 1.1,...SKU: 54142 Виробник: Vishay Semiconductor Корпус: 8-SOIC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
SI4447DY-T1-E3MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC...SKU: 45132 Виробник: Vishay BC Components Корпус: 8-SOIC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI4470EY-T1-E3N-канальный ПТ, Id = 9 A, Ptot, Вт = 1.85, Vdss В = 60, Тип монт. = smd, Rds = 11 мОм @ 12 A, 10 В, Qg,нКл = 57, Tэксп, °C = -55...+175, Vgs(th) = 10 В,...SKU: 60439 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOIC-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
SI4491EDY-T1-GE3P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 17,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4620 @ 15, Qg, нКл = 153, Rds = 6,5 мОм, Ugs(th) = 2,8, Р, Вт = 6,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 130339 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOIC-8
|
|
Є на складі: 80 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
SI4724CY-T1-E3Транзистор полевой N-канальный N-Channel Synchronous MOSFETs with Break-Before-Make, (250 kHz to 1 MHz, high side (0.0375 @ VDD = 4.5 V), Low side (0.029 @ VDD = 4.5 V), Integrated Schottky, SO-16 package....SKU: 45469 Виробник: Vishay BC Components Корпус: SOIC-16
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
SI4816DY2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,3 А, Qg, нКл = 12 @ 5 В, Rds = 22 мОм @ 6,3 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 7,7 A, P2 = 1,25 Вт,...SKU: 24241 Виробник: Vishay Semiconductor Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 88 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
SI4835DDY-T1-E3P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 13 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1960 @ 15, Qg, нКл = 65 @ 10 В, Rds = 18 мОм @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 5,6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 102378 Виробник: Vishay Semiconductor Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
SI4946BEY-T1-E32N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,7, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 101746 Виробник: Vishay Semiconductor Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 16 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
SI4946CDY-T1-GE32N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 30, Qg, нКл = 10, Rds = 40,9 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 2,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 124904 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOIC-8
|
|
Є на складі: 12 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
SI7155DP-T1-GE3P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 12900 @ -20, Qg, нКл = 220, Rds = 4,6 мОм, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 120756 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: PowerPAK-SO-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
Si7178DP-T1-GE3N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=60A@T=25C, P=104W)....SKU: 44252 Виробник: Vishay BC Components Корпус: SO-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
SI7272DP-T1-GE32N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 15, Qg, нКл = 26, Rds = 9,3 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 22, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 120955 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: POWERPACK SOIC-8
|
Ціна потребує уточнення | Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI7461DP-T1-GE3P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 8,6 А, Qg, нКл = 190 @ 10 В, Rds = 14,5 мОм @ 14,4 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 118675 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: POWERPAK SOIC-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI7852DP-T1-GE3N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 7,6 А, Qg, нКл = 41 @ 10 В, Rds = 16,5 мОм, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 1,9, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = SMD,...SKU: 134918 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: PPAK-8(SOIC)
|
|
Очікується: 20 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI8405DB-T1-E1P-канальный ПТ, VDS,В 12, ID 3.6A, Ptot,Вт 1.47,...SKU: 49767 Виробник: Vishay BC Components Корпус: MICRO FOOT4
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI8466EDB-T2-E1N-канальний ПТ, Udss, В = 8, Id = 3,6, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 4, Qg, нКл = 13, Rds = 43 мОм, Ugs(th) = 0,7 В, Р, Вт = 0,7, Тексп, °C = -55...+105, Тип монт. = smd,...SKU: 120587 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: UFBGA-4
|
|
Є на складі: 75 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI9407BDY-T1-GE3P-канальний ПТ, Udss, В = -60, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 5, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 600 @ 30, Qg, нКл = 22 @ 10 В, Rds = 120 мОм @ 3,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,...SKU: 50354 Виробник: Vishay BC Components Корпус: SOICN-8
|
|
Очікується: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
SI9435BDY-T1-E3P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,1 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 5,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,...SKU: 68701 Виробник: Vishay BC Components Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
SI9945AEY-T12N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 3,7 А, Ptot, Вт = 2,4, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 80 мОм @ 3,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,...SKU: 776 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
SI9945BDY-T1-GE32N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 5,3 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 665 @ 15, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 58 мОм @ 4,3 А, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 56552 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 28 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
SIA469DJ-T1-GE3P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 12, Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15, Qg, нКл = 15, Rds = 26,5 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 15,6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 121791 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SC70-6L
|
|
Є на складі: 23 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SIA471DJ-T1-GE3P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 250 мкА, Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15, Qg, нКл = 27.8, Rds = 14 мОм, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 19.2, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 113622 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SC70-6L
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
SIJK5100E-T1-GE3N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 74 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11480 @ 50, Qg, нКл = 200 @ 10 В, Rds = 1,4 мОм @ 80 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ мкА, Р, Вт = 17, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 135209 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: 8-PowerBSFN
|
Ціна потребує уточнення | Очікується: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1500 |
|
|||||||||||||
SIR1309DP-T1-GE3P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 19,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3250 @ 15, Qg, нКл = 87 @ 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 4,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 133043 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: PowerPAK® SO-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SIR165DP-T1-GE3P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 60 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4930 @ 15, Qg, нКл = 138 @ 10 В, Rds = 4,6 мОм, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 69,4, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 121667 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: PowerPAK® SO-8
|
|
Є на складі: 4 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SIR882ADP-T1-GE3N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 60 А, Ptot, Вт = 83, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 50, Qg, нКл = 60 @ 10 В, Rds = 8,7 мОм @ 20 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,8 В @ 250 мкА,...SKU: 76049 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 65 Очікується: 105 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SIRS4401DP-T1-GE3P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 198, Ciss, пФ @ Uds, В = 21850 @ 20, Qg, нКл = 588 @ 10 В, Rds = 2,2 мОм, Ugs(th) = 2,3, Р, Вт = 132, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 123914 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: PowerPAK® SO-8
|
|
Є на складі: 18 Очікується: 100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SIS443DN-T1-GE3P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 35 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4370, Qg, нКл = 135, Rds = 11,7 мОм, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 52, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 129972 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: PowerPAK® 1212-8
|
|
Є на складі: 13 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SMBT2222AE6327HTSA1Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,33, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,...SKU: 113092 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SMBT2907AE6327HTSA1Транзистор PNP, Uceo, В = 60, Ic = 600 мА, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,33, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,...SKU: 113091 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SMBTA 06 E6327Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ Ic = 100 mA, Vce = 1 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,3 Вт, Тексп, °C = -65...150, Тип монт. = smd,...SKU: 54983 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 8422 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 6000 |
|
|||||||||||||
SMBTA 56 E6327Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 74458 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 76 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SMBTA 56 E6433Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 54848 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
SMBTA42Транзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 70, hFE = 40 @ 30 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мA, 20 мА, Р, Вт = 0,36, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 15315 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 140 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SMBTA92Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)....SKU: 14279 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SMMBT3904LT1GТранзистор PNP, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мА, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 300 мВ @ 5 мА, 50 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 134954 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 2000 Очікується: 20 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SMMBT5401LT1GТранзистор PNP, Uceo, В = 150, Ic = 500 мА, ft, МГц = 300, hFE = 60 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 50 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 5 мA, 50 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 108970 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SMP5484-TRN-канальний ПТ, Udss, В = -25, Id = 10 нА, Р, Вт = 0,36, Тексп, °C = -55...+125, Тип монт. = smd,...SKU: 113860 Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
SPB17N80C3N-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 17 А, Ptot, Вт = 227, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2300, Qg, нКл = 177 @ 10 В, Rds = 290 мОм @ 11 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3,9 В @ 1000 мкА,...SKU: 75774 Виробник: Infineon Technologies Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
SQ1420EEH-T1-GE3N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,6 А, Ptot, Вт = 3,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 215 @ 25, Qg, нКл = 4 @ 4,5 В, Rds = 140 мОм, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,...SKU: 77919 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SC70-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SQ2309ES-T1_BE3P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 265 @ 25, Qg, нКл = 8,5 @ 10 В, Rds = 335 мОм @ 1,25 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 113196 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 37 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SQ4940AEY-T1_BE32N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 741 @ 20, Qg, нКл = 43 @ 10 В, Rds = 24 мОм @ 5,3 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 4, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 114934 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
SQ4961EY-T1_GE32P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 4,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1140 @ 25, Qg, нКл = 40, Rds = 85 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 3,3, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 124908 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SOIC-8
|
|
Є на складі: 7 Очікується: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
SQJ422EP-T1_GE3N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 74 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5000 @ 20, Qg, нКл = 100, Rds = 3,4 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 83, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 126766 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: PowerPak-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SQJ457EP-T2_GE3P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 36 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3400 @ 25, Qg, нКл = 100 @ 10 B, Rds = 25 мОм @ 10 A, 10 B, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 68 (Tc), Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 136840 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: PowerPAK® SO-8
|
|
Є на складі: 40 Очікується: 50 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SQS415ENW-T1_GE3N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4825 @ 25, Qg, нКл = 82, Rds = 16,1 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 62,5, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 134375 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: PowerPAK 1212-8W
|
|
Очікується: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SS8050-GТранзистор NPN, Uceo, В = 25, Ic = 1,5 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 50 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,...SKU: 115316 Виробник: Comchip Technology Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 3000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SSM3J332R,LFP-канальний ПТ, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 560 @ 15, Qg, нКл = 8,2 @ 4,5 В, Rds = 42 мОм @ 5 A, 10 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 1 мА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,...SKU: 113395 Виробник: Toshiba Корпус: SOT-23F-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SSM3J332R,LF(TP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 560, Qg, нКл = 8,2, Rds = 144 мОм, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 127454 Виробник: Toshiba Корпус: SOT23F
|
|
Є на складі: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
SSM3J355R,LFP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 10, Rds = 30,1 мОм @ 4 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 1 мА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,...SKU: 114767 Виробник: Toshiba Корпус: SOT-23F-3
|
|
Є на складі: 2699 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SSM3J358R,LFP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1331 @ 10, Qg, нКл = 38,5 @ 8 В, Rds = 22,1 мОм @ 6 A, 8 В, Ugs(th) = 1 В @ 1 мА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 109151 Виробник: Toshiba Корпус: SOT-23F-3
|
|
Є на складі: 2497 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SSM3K2615R,LFN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 150 @ 10 В, Rds = 300 мОм @ 1 А, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = SMD,...SKU: 135903 Виробник: Toshiba Корпус: SOT-23F
|
|
Очікується: 900 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SSM3K335R,LFN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 15, Qg, нКл = 2,7 @ 4,5 В, Rds = 38 мОм @ 4 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 113926 Виробник: Toshiba Корпус: SOT-23F-3
|
Ціна потребує уточнення | Очікується: 287 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SSM3K341RN-канальний ПТ, Udss, В = 620, Id = 6, Опис N-канальний ПТ,...SKU: 134135 Виробник: Toshiba Корпус: SOT-23F
|
|
Є на складі: 85 Очікується: 1200 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SSM6J424TU,LFP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1650 @ 10, Qg, нКл = 23,1 @ 4,5 В, Rds = 22,5 мОм @ 6 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 1000 мкА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,...SKU: 115998 Виробник: Toshiba Корпус: SMD-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
STB10NK60ZT4N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 10 А, Ptot, Вт = 115, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1370 @ 25, Qg, нКл = 70 @ 10 В, Rds = 750 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА,...SKU: 75531 Виробник: STMicroelectronics Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
STB11NK40ZT4N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 9 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 930 @ 25, Qg, нКл = 32 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА,...SKU: 52649 Виробник: STMicroelectronics Корпус: D2PAK
|
|
Є на складі: 245 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
STB40NF10LT4N-канальний ПТ, Id = 40 А, Ptot, Вт = 150, Udss, В = 100, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2300 @ 25, Qg, нКл = 64 @ 4,5 В, Rds = 33 мОм @ 20 А, 10 В, Tексп, °C = -65...+175, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,...SKU: 30366 Виробник: STMicroelectronics Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
STB55NF06LT4N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 55 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 37 @ 4,5 B, Rds = 18 мОм @ 27,5 A, 10 B, Ugs(th) = 4,7 B @ 250 мкА, Р, Вт = 95, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 129733 Виробник: STMicroelectronics Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
STB9NK50ZT4N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 7,2 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 910 @ 25, Qg, нКл = 32 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 3.6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА,...SKU: 53607 Виробник: STMicroelectronics Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
STD11N50M2N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Ciss, пФ @ Uds, В = 395pF @ 100V, Qg, нКл = 12, Rds = 0,53 Ом, Ugs(th) = 25, Р, Вт = 85, Тексп, °C = -55...150,...SKU: 105232 Виробник: STMicroelectronics Корпус: DPAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
STD17NF03LT4N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 320 @ 25, Qg, нКл = 6,5 @ 5 В, Rds = 50 мОм @ 8,5 A, 10 В, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 107537 Виробник: STMicroelectronics Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
STD1NC60T4N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 1,4 А, Ptot, Вт = 35, Тип монт. = smd, Rds = 8 Ом, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 30 В,...SKU: 21477 Виробник: STMicroelectronics Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
STD3NK90ZT4N-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 590 @ 25, Qg, нКл = 22,7 @ 10 В, Rds = 4.8 Ом @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 50 мкА, Р, Вт = 90, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 107976 Виробник: STMicroelectronics Корпус: DPAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
STD4NK50ZT4N-канальный ПТ , VDS,В = 500, ID = 3 A, Ptot,Вт = 45,...SKU: 50078 Виробник: STMicroelectronics Корпус: DPAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
STD5NM60T4N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18 @ 10 В, Rds = 1 Ом @ 2,5 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 119781 Виробник: STMicroelectronics Корпус: DPAK-3
|
|
Є на складі: 275 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
STD7NK40ZT4N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 5,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 535 @ 25, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 1 Ом @ 2,7 А, 10 В, Ugs(th) = 4,5V @ 50 мкА, Р, Вт = 70, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 59115 Виробник: STMicroelectronics Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 1454 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
STD95P3LLH6AGP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 80 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6250 @25, Qg, нКл = 113 @ 10 В, Rds = 6,9 мОм @ 40 A, 10 В, Ugs(th) = 2.5 В @ 250 мкA, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 124246 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-252-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
STL42P4LLF6P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 42 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2850 @ 25, Qg, нКл = 22 @ 4,5 В, Rds = 18 мОм @ 5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,...SKU: 98498 Виробник: STMicroelectronics Корпус: PowerVDFN-8
|
|
Є на складі: 27 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
STN1HNK60N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 400 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 156 @ 25, Qg, нКл = 10 @ 10 В, Rds = 8,5 @ 500 мA, 10 В, Ugs(th) = 3,7 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 102463 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
STN1NK60ZN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 300 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 94 @ 25, Qg, нКл = 6.9 @ 10 В, Rds = 15 @ 400 мА, 10 В, Ugs(th) = 4,5, Р, Вт = 3,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 123883 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
STN1NK60ZLN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 300 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 94 @ 25, Qg, нКл = 6,9, Rds = 150 Ом, Ugs(th) = 4,5, Р, Вт = 3,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 127136 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
STN3P6F6P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 48, Qg, нКл = 6,4 @ 10 В, Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,6, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 103233 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 4 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
STN4NF03LN-канальный ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ptot, Вт = 3,3, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 9, Rds = 50 мОм @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 10 D, Входная ёмкость = 330 пФ @ 25 В,...SKU: 58866 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 1584 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
STN83003Транзистор NPN, Uceo, В = 400, Ic = 1,5 А, hFE = 16 @ 350 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 500 мА, Р, Вт = 1,6, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 101152 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
STN9260Транзистор PNP, Uceo, В = 600, Ic = 500 мА, hFE = 50 @ 20 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 10 мA, 100 мА, Р, Вт = 1,6, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 101153 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
STV300NH02LN-канальний ПТ, Udss, В = 24, Id = 280 А, Ptot, Вт = 300, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 7055 @ 15, Qg, нКл = 109 @ 10 В, Rds = 1 мОм @ 80 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 63891 Виробник: STMicroelectronics Корпус: POWERSO-10
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 600 |
|
|||||||||||||
SUD45P03-10-E3P-канальный ПТ, VDS,В 30, ID 15A, Ptot,Вт 70,...SKU: 50534 Виробник: Vishay Semiconductor Корпус: TO-252
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
SUD50P06-15-GE3P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4950 @ 25, Qg, нКл = 165, Rds = 15 мОм, Ugs(th) = 3, Р, Вт = 113, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 129790 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: TO-252
|
|
Є на складі: 520 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
SUM110P04-05-E3P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 110, Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25, Qg, нКл = 280, Rds = 5 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 120757 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: D2PAK
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 800 |
|
|||||||||||||
SUM110P06-07LP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 110 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11400 @ 25, Qg, нКл = 345 @ 10 В, Rds = 6,9 мОм @ 30 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Тексп, °C = -55...+175,...SKU: 113076 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: D2PAK
|
|
Є на складі: 8 Очікується: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 800 |
|
|||||||||||||
SUM70101EL-GE3P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50, Qg, нКл = 190, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175,...SKU: 114045 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: TO-263
|
|
Є на складі: 8 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
TN2510N8-GN-канальный ПТ (Vdss=100V, Id=3A, Rds=1.5Ohm, T=-55 to 150C)....SKU: 43916 Виробник: Supertex Корпус: SOT-89
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
TP2510N8-GP-канальный ПТ...SKU: 47570 Виробник: Supertex Корпус: SOT-89
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
TSM2N7002KCXN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 300 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 30 @ 25, Rds = 2 Ом @ 100 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,...SKU: 72145 Виробник: Taiwan Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
VMM300-03F2N-канальний ПТ, Udss, В = 300, Id = 290 А, Ptot, Вт = 1 500, Тип монт. = на шасі, Ciss, пФ @ Uds, В = 40000 @ 25, Qg, нКл = 1440 @ 10 В, Rds = 8,6 мОм @ 145 A, 10 В, Tексп, °C = -40...+150, Ugs(th) = 4 В @ 30 мA,...SKU: 61484 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: Y3-DCB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2 |
|
|||||||||||||
VNS1NV04DP-EN-канальний ПТ OMNIFET II, Id = 1,7 А, Ptot, Вт = 4, Udss, В = 40, Тип монт. = smd, Rds = 250 мОм, Tексп, °C = -40...+150,...SKU: 69204 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOIC-8
|
|
Є на складі: 40 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
ZXMP2120FFTAP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 137 мА, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 100 @ 25, Rds = 28 Ом @ 150 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3,5 В @ 250 мкА,...SKU: 56906 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23F-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
ZXTN2020FTAТранзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, ft, МГц = 130, hFE = 100 @ 1 А, 2 В, Icutoff-max = 20 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 400 мA, 4 А, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 118560 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2N2219AТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,8, Uceo, В = 40, Ic = 800 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 250, hFE = 40 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+200, Аналог КТ630Б,...SKU: 79952 Виробник: Central Semiconductor Corp. Корпус: TO-39-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
2N2222AТранзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.3A, P=0.5W, B=100-300@Ic=150mA, Ft=250 MHz, -65 to +200C)...SKU: 38214 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-18
|
|
Є на складі: 3618 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
2N2222AТранзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 0,8 А, ft, МГц = 300, Icutoff-max = 10 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -65...+200,...SKU: 125346 Виробник: CDIL Корпус: TO-18
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
2N2405Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 90, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 120, hFE = 60 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 15 мA, 150 мА, Тексп, °С = -65...+200,...SKU: 88421 Виробник: Central Semiconductor Corp. Корпус: TO-39-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
2N2905AТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,6, Uceo, В = 60, Ic = 600 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+200,...SKU: 88422 Виробник: Central Semiconductor Corp. Корпус: TO-39-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
2N2905AТранзистор PNP, Uceo, В = 60, Ic = 600 мА, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °C = -65...+200,...SKU: 109533 Виробник: CDIL Корпус: TO-39-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
2N3055Транзистор NPN (Uce=100V, Ic=15A, P=115W, B=20-70, F=3 MHz, -65 to +200C), комплементарный MJ2955....SKU: 3847 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
2N3439Транзистор NPN, Uceo, В = 350, Icutoff-max = 20 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 @ 4, 50, Р, Вт = 0,2,...SKU: 114030 Виробник: CDIL Корпус: TO39
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
2N3904Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 0,2 А, ft, МГц = 300, Р, Вт = 0,625, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 134618 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
2N3904Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C)....SKU: 4668 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
2N3904BUТранзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100...300 @ Ic = 10 mA, Uce = 1 V, Icutoff-max = 50 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 26789 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 17 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
2N3906TARТранзистор PNP, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 250, hFE = 200 @ 10 мА, -1 В, Icutoff-max = -50, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 35066 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 1907 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
2N4401Транзистор NPN, Uceo, В = 60, Ic = 0,6 А, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 0,15, 0,015, Р, Вт = 0,625 Вт, Тип монт. = вивідний,...SKU: 67438 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
2N4401BUТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 150 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,75 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 79169 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 231 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
2N4403GТранзистор PNP, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,75 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 20501 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 2781 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
2N5320Транзистор NPN, Ptot, Вт = 10, Uceo, В = 75, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 50, hFE = 30 @ 500 мA, 4 В, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+200,...SKU: 88423 Виробник: Central Semiconductor Corp. Корпус: TO-39-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
2N5401Транзистор PNP (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)....SKU: 47 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
2N5401Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, VCEO, В = 150, Ic = 0,6 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 400, hFE = 60 @ 10 мA, 5 В, VCEO(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 7233 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
2N5401/RAТранзистор PNP (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)....SKU: 10042 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
2N5551Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 180, Ic = 600 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 80/125 @ 10 мА, Icutoff-max = 50 нА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 48 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 47 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
2N5551Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)....SKU: 7234 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
2N5551BUТранзистор NPN (Uce=160V, Ic=0.6A, P=625mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -55 to +150C)....SKU: 10043 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
2N5551RL1GТранзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)....SKU: 37821 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
2N6488GТранзистор NPN , Ptot, Вт = 75, Uceo, В = 80, Ic = 15, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 5, hFE = 150 @ Ic = 5, Uce = 4 V, Icutoff-max = 500 мкА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 52597 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
2N6491GТранзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 15 А, ft, МГц = 5, hFE = 5 @ Ic = 15, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3,5 @ 5 А, 15 А, Р, Вт = 1,8, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 121766 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220
|
|
Є на складі: 20 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
2N6545Транзистор NPN, Ptot, Вт = 125, Uceo, В = 400, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 28, hFE = 7 @ 5 A, 3 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 5 @ 2 A, 8 A, Тексп, °С = -65...+200, Аналог КТ812А,...SKU: 79955 Виробник: Central Semiconductor Corp. Корпус: TO-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
2N7000N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 мА, Ptot, Вт = 0,4, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА,...SKU: 4044 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
2SA1020RLRAGТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,9, Uceo, В = 50, Ic = 2, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 70, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 1 0.05, Тексп, °С = -50...150,...SKU: 77864 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
2SA1249Транзистор NPN...SKU: 47729 Виробник: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-126
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
2SA1627AL-K-T6C-KТранзистор PNP, Uceo, В = 600, Ic = 2, hFE = 4...120, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,28, Р, Вт = 15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 122086 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-126C
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
2SA1837Транзистор PNP (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=70MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SC4793....SKU: 3103 Виробник: Toshiba Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
2SA1837Транзистор PNP (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=70MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SC4793....SKU: 14815 Виробник: Toshiba Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
2SA1837(F,M)Транзистор PNP, Uceo, В = 230, Ic = 1 А, ft, МГц = 70, hFE = 100 @ 100 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 40100 Виробник: Toshiba Корпус: TO-220-3 Full Pack
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
2SA1943OTUТранзистор PNP , Тип монт. = выводной,...SKU: 49644 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-264
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
2SB772Транзистор PNP, Uceo, В = 30, Ic = 3 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,1 @ 150 мA, 3 A, Р, Вт = 12,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 51631 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-126-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
2SC2383Транзистор NPN (Uce=160V, Ic=1A)...SKU: 47252 Виробник: Toshiba Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2SC2655-Y(TE6,F,M)Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,9, Uceo, В = 50, Ic = 2, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 70...240, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 1 0.05, Тексп, °С = -55...150,...SKU: 77865 Виробник: Toshiba Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2SC3117SТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 180, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 120,...SKU: 47727 Виробник: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-126
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
2SC3325-Y,LFТранзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, ft, МГц = 300, hFE = 120 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,...SKU: 111799 Виробник: Toshiba Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 147 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
2SC4138Транзистор NPN, Ptot, Вт = 80, Uceo, В = 400, Ic = 10 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 10, hFE = 10 @ 6 A, 4 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 1,2A, 6 A, Тексп, °С = -55...+150, Аналог КТ840А,...SKU: 4628 Виробник: Sanken Корпус: TO-3P
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 510 |
|
|||||||||||||
2SC4793Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SA1837....SKU: 3104 Виробник: Toshiba Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
2SC4793Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SA1837....SKU: 14816 Виробник: Toshiba Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
2SC4793(F,M)Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SA1837....SKU: 40093 Виробник: Toshiba Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
2SC4793(M)Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SA1837....SKU: 17118 Виробник: Toshiba Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
2SC5171...SKU: 25126 |
Ціна потребує уточнення | Очікується: 500 Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
2SC5566-TD-EТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,3, Uceo, В = 50, Ic = 4 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 400, hFE = 200 @ 500 мA, 2 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,225 @ 100 мA, 2 A, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 96694 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-89-3 (PCP)
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
2SD8822SD882, PNP...SKU: 35199 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-126
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
2SK1482N-канальный ПТ, Ptot, Вт = 0.75, Id = 1.5 А, Тип монт. = выводной, Vdss В = 30, Rds = 0.19 Ом, Tэксп, °C = до 150,...SKU: 50915 Виробник: Toshiba Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
2SK3878N-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 9 А, Rds = 1 Ом, Р, Вт = 150, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 101284 Виробник: Toshiba Корпус: TO-3PN
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BC327-40Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 45, Ic = 800 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 400 @ 100 мА, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 500 мА, 50 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 53934 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 200 |
|
|||||||||||||
BC327-40Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 45, Ic = 800 мА, ft, МГц = 100, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 250/630, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 8147 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
BC337Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, B=100-630@I=100mA, f=210MHz, -55 to +150C)....SKU: 4269 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
BC337-25Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, B=160-400@I=100mA, f=210MHz, -55 to +150C)....SKU: 6536 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
BC337-40Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 800 мА, ft, МГц = 100, hFE = 250/630 @ 100, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний, AMMO PACK,...SKU: 68691 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 198 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
BC337-40Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 0,8 A, ft, МГц = 250, hFE = 250 @ 100 мА, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.7@ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 59723 Виробник: KEC Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BC337-40GТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 800 мА, ft, МГц = 210, hFE = 250 @ 100 мА, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 8212 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BC489AZL1Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, ft, МГц = 200, hFE = 160 @ Ic = 100 mA, Uce = 2 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 7601 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 38 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC517Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)....SKU: 15916 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 |
|
|||||||||||||
BC546Транзистор NPN , Тип монт. выводной, VCEO,В 65, Ic 0,1A, Ptot,Вт 0.625, hFE 200-450@I=2mA, ft,МГц 150, Тэксп,С -55 to +150C,...SKU: 54401 Виробник: KEC Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BC546ABUТранзистор NPN, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 107454 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BC546BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 200...450 @ 5 В, 2 мА, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 10 мА, 0,5 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 47544 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BC546BТранзистор NPN, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200...450, Тексп, °C = -65...+150,...SKU: 108344 Виробник: CDIL Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BC546BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = smd, ft, МГц = 150, hFE = 200/450 @ 2 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 62902 Виробник: KEC Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BC546B A1Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 80, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 450 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 86200 Виробник: Taiwan Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
BC546B,116Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 38425 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 4 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BC546B,126Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 2008 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 195 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC546BTAТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 79529 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC546CТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 400, Icutoff-max = 2, Тексп, °С = -50...+150,...SKU: 69637 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BC547AТранзистор NPN, Ptot,Вт = 0.625, VCEO,В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft,МГц = 300, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, VCEO(sat),В @ Ic, Ib = 0.3 @ 5 мА, 100 мА, Тэксп, °С = -65...+150,...SKU: 62327 Виробник: KEC Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC547AТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, VCEO, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 110/220 @ 2 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 43812 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Є на складі: 28 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC547BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 200 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 600 мВ @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 59278 Виробник: KEC Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC547BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 420/800 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 22757 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 80 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
BC547BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd,...SKU: 87614 Виробник: Semtech Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC547BТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, hFE = 200...450, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -65...+150,...SKU: 112123 Виробник: CDIL Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC547BZL1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 17534 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC547CТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 450 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,5 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 82666 Виробник: Kingtronics Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC547CТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 45, Ic = 200 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 200 @ 100 мА, Тексп, °С = -50...+150,...SKU: 55873 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC547C (формовані виводи)Транзистор NPN , Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, hFE = 520 @ Ic = 2 mA, Vce = 5 V, Icutoff-max = 15 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 51014 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 40 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BC547C,126Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 181 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC547CBKТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 420...800 @ 2 А, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 52837 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BC547CTAТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 78401 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 189 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC548BТранзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 300, hFE = 200 @ Ic = 100 mA, Vce = 5 V, Icutoff-max = 200 пА, Р, Вт = 0,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 32862 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 11 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
BC556BТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 280, hFE = 180 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150, у Ammo-cтрічці,...SKU: 62621 Виробник: KEC Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BC556BТранзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 150, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 79670 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 1717 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BC556BGТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 280, hFE = 180 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 2010 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BC557AТранзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 150, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 132184 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-226-3
|
|
Є на складі: 39 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
BC557BТранзистор PNP, Uceo, В = 45, ft, МГц = 150, Icutoff-max = 100 мА, Опис Транзистор PNP, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 128915 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-226-3
|
|
Є на складі: 50 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
BC557BBKТранзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, hFE = 200, Р, Вт = 0,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 68669 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BC557BRL1GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 320, hFE = 180 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 100, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 182 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC557CТранзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, f>150MHz, -55 to +150C)....SKU: 183 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BC557CТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 150, hFE = 420/800 @ 2 мА, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 100 мА, 5 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 52786 Виробник: KEC Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC557CZL1GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 320, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 17517 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC558BТранзистор PNP (Uce=30V, Ic=0.1A, P=500mW, B>220@I=2mA, f>150MHz, -55 to +150C)....SKU: 32863 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
BC558CТранзистор PNP, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 500, hFE = 420/800 @ 2 мА, Р, Вт = 500 Вт, Тип монт. = вивідний, AMMO PACK,...SKU: 67926 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 50 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
BC639Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 200, hFE = 40...250, Р, Вт = 0,8, 2,75, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 110766 Виробник: CDIL Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 244 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BC639-16ZL1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ 150 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 47473 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC63916_D27ZТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 11022 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC63916-D27ZТранзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 мВ @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тип монт. = вивідний,...SKU: 82544 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BC639GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 20402 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BC639RL1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 40 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 45885 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC640Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 53512 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 28 Очікується: 100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500000 |
|
|||||||||||||
BC640Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 150, Р, Вт = 0,8, 2,75, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 110765 Виробник: CDIL Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 260 Очікується: 325 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BC640BUТранзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мA, -2 В, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 1 Вт, Тексп, °C = -55...+165, Тип монт. = вивідний,...SKU: 13647 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BC857CТранзистор PNP, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 100 мА, 5 мА, Р, Вт = 0,2 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 4033 Виробник: Kingtronics Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BD136Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 1,5 А, hFE = 40 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 1,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 63824 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-32-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BD136-16Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 1,5 А, hFE = 40 @ 150 мА, 2 В, Р, Вт = 1,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 3927 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-32-3
|
|
Є на складі: 723 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BD13616SТранзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 1,5 мА, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 1,25 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 20995 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-126-3
|
|
Є на складі: 8 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 250 |
|
|||||||||||||
BD139Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 9822 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3)
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BD139-10Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 22908 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3)
|
|
Є на складі: 17 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BD139-10STUТранзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 63, Р, Вт = 12,5, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = вивідний, ізольований,...SKU: 112827 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-126ISO
|
|
Очікується: 500 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BD139-16Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 24699 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3)
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BD139-16STUТранзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 250 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 12,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний, ізольований,...SKU: 7765 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-126ISO
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 60 |
|
|||||||||||||
BD13910SТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 16302 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3)
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 250 |
|
|||||||||||||
BD13916STUТранзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 100 @ 15 мА, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 1,25, Тексп, °C = -55,,,+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 123390 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-126-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 60 |
|
|||||||||||||
BD139GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 33601 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3)
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BD140Транзистор PNP (Uce=80V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)....SKU: 3307 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-126
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BD140-16Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 1,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 23191 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-32(TO-126)
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BD14016STUТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 11967 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-126-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 60 |
|
|||||||||||||
BD179Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=3A, P=30W, B=40-250, f...SKU: 6194 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-126
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
BD179GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 30, Uceo, В = 80, Ic = 3 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 3, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,8 @ 100 мA, 1 А, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 99129 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-126-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
BD234GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 25, Uceo, В = 45, Ic = 2 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 3, hFE = 25 @ 1 A, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 77935 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-126-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
BD241CТранзистор PNP, Ptot, Вт = 40, Uceo, В = 100, Ic = 3 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 10 @ 3 A, 4 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,2 @ 600 мA, 3 А, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 89914 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BD242CGТранзистор PNP, Uceo, В = 100, Ic = 3 А, ft, МГц = 3, hFE = 25 @ 1 A, 4 В, Icutoff-max = 300 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,2 @ 600 мA, 3 А, Р, Вт = 40, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 25078 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BD436Транзистор PNP, Uceo, В = 32, Ic = 4 А, ft, МГц = 3, Icutoff-max = 100 мкА, Р, Вт = 36, Тексп, °C = 150,...SKU: 105144 Виробник: CDIL Корпус: TO-126
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5 |
|
|||||||||||||
BD438Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, Ft>3MHz, -65 to +150C)....SKU: 16278 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-126
|
|
Є на складі: 890 Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
BD677AТранзистор NPN, Ptot, Вт = 40, Uceo, В = 60, Ic = 4, Тип монт. = вивідний, hFE = 750 @ 2 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,8 @ 40 мA, 2 А, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 9257 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-32
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BD680TRANS DARL PNP 80V,4A, SOT-32,2.5V @ 30mA, 1.5A,50, Тип монт. выводной, VCEO,В 80V, Ic 2.5V @ 30mA, 1.5A, Ptot,Вт 40W, ft,МГц .,...SKU: 50706 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-126-3
|
|
Очікується: 150 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
BD682Транзистор PNP, Ptot, Вт = 40, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 750 @ 1,5 A, 3 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 30 мА, 1,5 А, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 29498 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-32-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BF421-AP...SKU: 48494 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
BS107ARL1GN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 250 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25, Rds = 6,4 Ом @ 250 мA, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 36814 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 522 Очікується: 200 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BS107GN-канальный ПТ (Vds=200V, Id=0.25A, Idm=0.5A, Rds...SKU: 25088 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BS107KLN-канальный ПТ (Vds=240V, Id=0.30A@T=25C, Id=0.25A@T=70C, Rds=4 R@Vgs=10V, P=320mW, -55 to 150C)....SKU: 18247 Виробник: Vishay Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
BS170-D26ZN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 500, Ciss, пФ @ Uds, В = 40 @ 10, Rds = 5 Ом @ 200 мA, 10 В, Ugs(th) = 3V @ 1000 мкА, Р, Вт = 0,83, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 103060 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BU508DТранзистор NPN, Ptot, Вт = 125, Uceo, В = 1 500, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 7, Icutoff-max = 1 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 11064 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-218
|
|
Є на складі: 60 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BUX98AТранзистор NPN, Uceo, В = 450, Ic = 30 А, Icutoff-max = 2 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 5 В @ 5A, 24A, Р, Вт = 250, Тексп, °C = -65...+200, Тип монт. = вивідний,...SKU: 120042 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 20 |
|
|||||||||||||
C2M0080120DN-канальний ПТ SIC MOSFET, Udss, В = 1 200, Id = 31,6 А, Ptot, Вт = 208, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 950 @ 1000, Qg, нКл = 49,2 @ 20, Rds = 98 мОм @ 20А, 20В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2.2 В @ 1 мА,...SKU: 68416 Виробник: Cree/Wolfspeed Корпус: TO-247-3
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
CSD19536KCSN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 150, Опис N-канальний ПТ,...SKU: 134133 Виробник: Texas Instruments Корпус: TO220-3
|
|
Очікується: 520 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
D44H8Транзистор NPN, Ptot, Вт = 50, Uceo, В = 60, Ic = 10 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 4 A, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мA, 8 А, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 86000 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
FDH055N15AN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 167 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7100 @ 75, Qg, нКл = 92, Rds = 4,8 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 429, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 124640 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-247-3
|
|
Є на складі: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
FDP036N10AN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ptot, Вт = 227, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25, Qg, нКл = 116 @ 10 В, Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 74788 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-220AB-3
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
FDP52N20N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 52 А, Ptot, Вт = 357, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2900 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 49 мОм @ 26 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,...SKU: 26104 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
FJAFS1720TUТранзистор NPN, Ptot, Вт = 60, Uceo, В = 800, Ic = 12, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 15, Icutoff-max = 0,1, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.25 @ 11, 5,...SKU: 82167 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-3PF-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
FJPF13007H2TUТранзистор NPN, Ptot, Вт = 40, Uceo, В = 400, Ic = 8, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 4, hFE = 28, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 2, 8,...SKU: 77858 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-220F
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
FMH23N50EN-канальний ПТ SIC MOSFET, Udss, В = 500, Id = 23 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25, Qg, нКл = 73, Rds = 209 мОм, Ugs(th) = 4,2 В, Р, Вт = 315, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 120185 Виробник: Fuji Electric Корпус: TO-3P
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
FQD2N100TFN-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 1,6 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25, Qg, нКл = 15,5 @ 10 В, Rds = 9 Ом @ 800 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,...SKU: 50144 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: DPAK-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
HD1750FXТранзистор NPN, Ptot, Вт = 75, Uceo, В = 800, Ic = 24 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 6,5 @ 12 A, 5 В, Icutoff-max = 200 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 3 A, 12 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 81792 Виробник: STMicroelectronics Корпус: ISOWATT-218
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IMZ120R090M1HXKSA1N-канальний ПТ, Udss, В = 1 200, Id = 26 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 707 @ 800, Qg, нКл = 21 @ 18 В, Rds = 117 мОм @ 8,5 A, 18 В, Ugs(th) = 5,7 В @ 3,7 мА, Р, Вт = 115, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 108859 Виробник: Infineon Technologies Корпус: TO-247-4
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
IPA50R280CEN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 13 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 773 @ 100, Qg, нКл = 32,6 @ 10 В, Rds = 280 мОм @ 4,2 A, 13 В, Ugs(th) = 3,5 В @ 350 мкА, Р, Вт = 30,4, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 115625 Виробник: Infineon Technologies Корпус: TO-220-3 FP
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IPA60R180P7XKSA1N-канальний ПТ, Udss, В = 650, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1081 @ 400, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 180 мОм @ 5,6 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 280 мкА, Р, Вт = 26, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 111683 Виробник: Infineon Technologies Корпус: TO-220FP
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IPP020N06NAKSA1N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7800 @ 30, Qg, нКл = 106 @ 10 В, Rds = 2 мОм @ 100 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 143 мкА, Р, Вт = 3, 214, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний, Id2 = 120 A,...SKU: 119177 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3
|
|
Є на складі: 268 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IPP051N15N5N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7800 @ 75, Qg, нКл = 83, Rds = 5,1 мОм, Ugs(th) = 20, Опис N-канальний ПТ, Р, Вт = 300, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,...SKU: 127259 Виробник: Infineon Technologies Корпус: PG-TO 220-3
|
|
Є на складі: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IPW60R024P7XKSA1N-канальний ПТ, Udss, В = 650, Id = 101, Ciss, пФ @ Uds, В = 7144 @ 400, Qg, нКл = 164, Rds = 24 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 291, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 121300 Виробник: Infineon Technologies Корпус: TO-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
IRC640N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Rds = 180 мОм @ 11 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 45938 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220-5
|
|
Є на складі: 50 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF100P218AKMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 209 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 24000 @ 50, Qg, нКл = 412, Rds = 1,28 мОм, Ugs(th) = 3,8 В, Р, Вт = 556, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,...SKU: 130603 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247-3
|
|
Очікується: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRF1010EPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 84 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3210 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 10 В, Rds = 12 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 41198 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF1404PBFN-канальный ПТ ,...SKU: 54103 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF1405PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 169 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5480 @ 25, Qg, нКл = 260 @ 10 В, Rds = 5,3 мОм @ 101 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 330, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 113521 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF1405ZSTRLPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 75 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4780 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 4,9 мОм @ 75 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 230, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 115778 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAK
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 800 |
|
|||||||||||||
IRF1407PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 130, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5600 @ 25, Qg, нКл = 160, Rds = 7,8 мОм @ 78 A, 10 B, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2...4 B,...SKU: 41949 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF150P220AKMA1N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 203 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 12000 @ 75, Qg, нКл = 200, Rds = 2,7 мОм, Ugs(th) = 4,6, Р, Вт = 556, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,...SKU: 133356 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRF2804PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 75 А, Ptot, Вт = 300, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6450 @ 25, Qg, нКл = 240 @ 10 В, Rds = 2,3 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 14095 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF2805SPBFN-канальный ПТ (Vds=55V, Id=75A , Rds=4.7m R)....SKU: 46148 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2Pak
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF2807PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 82, Ptot, Вт = 230, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3820 @ 25 В, Qg, нКл = 160 @ 10 В, Rds = 13 мОм @ 43 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 83886 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF3205TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 200 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,...SKU: 402 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF3415PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 43 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2400 @ 25, Qg, нКл = 200 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 22 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 57044 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF3710N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C)....SKU: 403 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRF3710ZPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 59 A, Ptot, Вт = 160, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2900 @ 25, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 18 мОм @ 35 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 61194 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF4905P-канальный ПТ (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C)....SKU: 8440 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF4905PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 74 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3400 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 38 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 20092 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF510PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 5,6 А, Ptot, Вт = 43, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 3,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 42729 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF5210P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 8640 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF5210LPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 12035 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: I2PAK-3
|
|
Є на складі: 11 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF5210PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 22395 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF530N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 А, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 670 @ 25, Qg, нКл = 26, Rds = 0,16 Ом @ 10 B, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2...4 B,...SKU: 404 Виробник: Vishay Semiconductor Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRF5305P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ -25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 110 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,...SKU: 9593 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF530NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 920 @ 25, Rds = 90 мОм @ 9 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 70, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 108423 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Є на складі: 14 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF540N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=30A@T=25C, Id=21A@T=100C, Rds=0.05 R@Vgs=10V, P=150W, -55 to 175C)....SKU: 1756 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRF540N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=30A@T=25C, Id=21A@T=100C, Rds=0.05 R@Vgs=10V, P=150W, -55 to 175C)....SKU: 8316 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRF540NN-канальный ПТ (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 R@Vgs=10V, P=140W, -55 to 175C)....SKU: 405 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF540NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 33 А, Ptot, Вт = 130, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1960 @ 25, Qg, нКл = 71 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 20324 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Є на складі: 25 Очікується: 60 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF540NSTRLPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1960 @ 25, Qg, нКл = 71 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 16 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 130, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 134483 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-263-3
|
|
Є на складі: 360 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 800 |
|
|||||||||||||
IRF610PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,3 А, Ptot, Вт = 36, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25, Qg, нКл = 8,2 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 47819 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220AB
|
|
Є на складі: 4 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
IRF6215P-канальний ПТ, Udss, В = -150, Id = -13, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ -25, Qg, нКл = 66, Rds = 290, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = -3,...SKU: 46989 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
IRF6218PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 27 A, Ptot, Вт = 250, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2210 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,...SKU: 36143 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF6218STRLPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 27 А, Ptot, Вт = 250, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2210 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,...SKU: 79425 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220-AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 800 |
|
|||||||||||||
IRF630N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 45 @ 10 В, Rds = 400 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 74638 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF630N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9 А, Ptot, Вт = 74, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 43 @ 10 В, Rds = 400 мОм @ 5,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 13997 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF630B_FP001N-канальный ПТ (Vds=200V, Id=9A@T=25C, Id=5.7A@T=100C, Rds=0.34 R@Vgs=10V, P=72W, -55 to 150C)....SKU: 18308 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF630NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9,3 А, Ptot, Вт = 82, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 575 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 300 мОм @ 5,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 2652 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF640AN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 139, Тип монт. = вивідний, Rds = 180 мОм, Tексп, °C = -55...+150,...SKU: 6774 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF640B_FP001N-канальний ПТ, Udss, В = 20 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 139, Тип монт. = вивідний, Rds = 180 мОм, Tексп, °C = -55...+150,...SKU: 14905 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF640NN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 7720 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF640NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 150 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,...SKU: 45751 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF640PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 70 @ 10, Rds = 180 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 406 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
IRF730BN-канальный ПТ (Vds=400V, Id=5.5A@T=25C, Id=3.5A@T=100C, Rds=0.83 Ohm, P=73W, -55 to +150C)....SKU: 15374 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF730PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 5,5 А, Ptot, Вт = 74, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 1 Ом @ 3,3 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4В @ 250 мкА,...SKU: 8150 Виробник: Vishay/IR Корпус: T0-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
IRF740APBFN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 46936 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220AB
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF740PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 411 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
IRF740SPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 27624 Виробник: Vishay/IR Корпус: D2PAK
|
|
Є на складі: 274 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF7450PBFN-канальный ПТ, Vdss В 200, Id 2.5, Ptot, Вт 2.5,...SKU: 49768 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SO-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF820PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 2,5 А, Ptot, Вт = 50, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 360 @ 25, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 1,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 94778 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRF830N-канальный ПТ (Vds=500V, Id=4.5A@T=25C, Id=2.9A@T=100C, Rds=1.5 R, P=100W, -55 to +150C)....SKU: 9821 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRF830APBFN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 2,9 A, Ptot, Вт = 100 W, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 1,4 Ом @ 3 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА,...SKU: 52498 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220-AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
IRF840PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 23679 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220AB
|
|
Є на складі: 12 Очікується: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF9520NPBFP-канальный ПТ (Vds=100V, Id=6.8A@T=25C, Id=4.8A@T=100C, Rds...SKU: 8449 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF9520PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 6,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 390 @ 25, Qg, нКл = 18, Rds = 600 мОм @ 4,1 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 60 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,...SKU: 29304 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Є на складі: 29 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF9530PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 12 А, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 32641 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: TO-220AB
|
|
Є на складі: 50 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF9540P-канальный ПТ (Vds=100V, Id=19A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.20 R, P=150W, -55 to +175C)....SKU: 7375 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF9540NP-канальный ПТ (Vds=100V, Id=19A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.20 R, P=150W, -55 to +175C)....SKU: 8317 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF9540NP-канальный ПТ (Vds=100V, Id=19A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.20 R, P=150W, -55 to +175C)....SKU: 15667 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF9540NPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 23 А, Ptot, Вт = 140, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 97 @ 10 В, Rds = 117 мОм @ 11 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 21079 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Очікується: 2400 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF9540PBFP-канальный ПТ (Vds=100V, Id=19A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.20 R, P=150W, -55 to +175C)....SKU: 27301 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220
|
|
Очікується: 60 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF9610P-канальний ПТ, Udss, В = -200, Id = -1,8, Ptot, Вт = 20, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ -25, Qg, нКл = 11, Rds = 3 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = -3 В,...SKU: 9168 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF9630P-канальный ПТ...SKU: 34747 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF9630PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 6,5 А, Ptot, Вт = 74, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 800 мОм @ 3,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 57581 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF9640P-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 11 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 44 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 3343 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF9640PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 11 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 44 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 413 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF9Z24NPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 12 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 50316 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Є на складі: 4 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF9Z34NP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 68, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 8155 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF9Z34NPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 68, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 10 мОм @ 10 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 20724 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRF9Z34PBFP-канальний ПТ, Udss, В = -20, Id = -18, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ -25, Qg, нКл = 34, Rds = 0,14 мОм, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = -3,...SKU: 33705 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRF9Z34SP-канальный ПТ (Vds=60V, Id=18A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.14 R@Vgs=10V, P=88W, -55 to +175C)....SKU: 31776 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D2PAC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRFB17N50LPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 16 А, Ptot, Вт = 220, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2760 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 10 В, Rds = 320 мОм @ 9,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,...SKU: 71028 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFB20N50KPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2870 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 12 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,...SKU: 53896 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220AB
|
|
Очікується: 40 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFB23N15DPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 23 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 10 В, Rds = 90 мОм @ 14 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,...SKU: 61817 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFB38N20DPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 43 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2900 @ 25, Qg, нКл = 91 @ 10 В, Rds = 54 мОм @ 26 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,...SKU: 45696 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFB4020PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 50, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА, Р, Вт = 100, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 106943 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFB4115PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 104 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5270 @ 50, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 11 мОм @ 62 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 380, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 114149 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRFB4137PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 300, Id = 38, Ciss, пФ @ Uds, В = 5168 @ 50, Qg, нКл = 125, Rds = 69 мОм, Ugs(th) = 5 В, Р, Вт = 341, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 120694 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFB4227PBFN-канальный ПТ, Id = 65 A, Ptot, Вт = 330, Vdss В = 200, Тип монт. = выводной, Rds = 24 mOhm @ 46A, 10V, Ciss @ Vds = 4600pF @ 25V, Qg,нКл = 98nC @ 10V, Vgs(th) = 5V @ 250µA,...SKU: 62629 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
Ціна потребує уточнення | Очікується: 1000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRFB42N20DPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 220, Id = 44 A, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3430 @ 25, Qg, нКл = 140 @ 10 В, Rds = 55 мОм @ 26 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,...SKU: 55964 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFB4310PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 130 A, Ptot, Вт = 300, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7670 @ 50, Qg, нКл = 250 @ 10 В, Rds = 7 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 56176 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRFB4310ZPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ptot, Вт = 250, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6860 @ 50, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 6 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 150 мкА,...SKU: 84168 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRFB4410ZPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 97 А, Ptot, Вт = 230, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 4820 @ 50, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 9 мОм @ 58 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 150 мкА,...SKU: 89264 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
Ціна потребує уточнення | Очікується: 300 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFB4710PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 75 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6160 @ 25, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 14 мОм @ 45 A, 10 В, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,...SKU: 49687 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFB59N10DPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 59 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2450 @ 25, Qg, нКл = 114 @ 10 В, Rds = 25 мОм @ 35,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,...SKU: 49591 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFB7437PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 195 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7330 @ 25, Qg, нКл = 225 @ 10, Rds = 2 @ 100 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,9 @ 150 мкА В, Р, Вт = 230, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,...SKU: 122004 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Очікується: 18 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFBC40PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 6,2 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 60 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 3,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 33496 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFBE30N-канальный ПТ (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, P=125W, -55 to +150C)....SKU: 3557 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRFBE30PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 4,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 78 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 2,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = на плату,...SKU: 24966 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRFBF20SPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 1,7, Ptot, Вт = 54, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 38, Rds = 8 мОм @ Ugs = 10 B, Tексп, °C = -55...+150,...SKU: 26716 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Є на складі: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 200 |
|
|||||||||||||
IRFBG30PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 3,1 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 980 @ 25, Qg, нКл = 80 @ 10 В, Rds = 5 Ом @ 1,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 32731 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFD110PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 600 мA, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,...SKU: 14259 Виробник: Vishay/IR Корпус: DIP-4
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRFD220N-канальный ПТ (Vds=200V, Id=0.8A@T=25C, Id=0.5A@T=100C, Rds=0.8 R, P=1.0W, -55 to +150C)....SKU: 2354 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: DIP-4
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRFD9014PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 12, Rds = 0,5 Ом, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+185, Тип монт. = вивідний,...SKU: 121413 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: DIP-4
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRFI4020H-117P2N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Ciss, пФ @ Uds, В = 1240 @ 25, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 5,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА, Р, Вт = 21 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 8843 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220FP-5
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFI4020H-117PXKMA12N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1240 @ 25, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 5,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА, Р, Вт = 21, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 113831 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220FP-5
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
IRFI540GPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 72 @ 10 В, Rds = 77 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 37601 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220FP
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFI640GPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9,8 А, Ptot, Вт = 40, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 70 @ 10 В, Rds = 180 мОм @ 5,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 9317 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220FP
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRFI644GPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 250, Id = 7,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25 В, Qg, нКл = 68 @ 10 В, Rds = 280 мОм @ 4.7A, 10V, Р, Вт = 40 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 38947 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220FP
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
IRFI740GPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 6,5 А, Ptot, Вт = 40, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1370 @ 25, Qg, нКл = 66 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 3,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 41347 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220FP
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1000 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFI840GN-канальный ПТ (Vds=500V, Id=4.5A@T=25C, Id=2.9A@T=100C, Rds=0.85R, P=40W, -55 to +150C)....SKU: 37452 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220FULLPAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFI9540GPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 11 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400 @ 25, Qg, нКл = 61 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 6.6A, 10V, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 43648 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220FP
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
IRFP064NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 25, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 59 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 200, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 16351 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247AC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRFP140N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 95 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5600 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 5,3 мОм @ 95 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 310, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 2553 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRFP22N60KPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 22 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3570 @ 25, Qg, нКл = 150 @ 10 В, Rds = 280 мОм @ 13 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 370, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 108844 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
IRFP240PBFN-канальный ПТ (Vds=200V, Id=20A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.18 R, P=150W, -55 to +150C)....SKU: 6236 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRFP260NN-канальный ПТ (Vds=200V, Id=46A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, P=280W, -55 to +150C)....SKU: 5935 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO247
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRFP260NPBFN-канальный ПТ, Id = 50 A, Ptot, Вт = 300, Vdss, В = 200, Тип монт. = выводной, Rds = 40 мОм @ 28 А, 10 В, Ciss @ Vds = 4057 пФ @ 25 В, Qg,нКл = 234 @ 10 В, Tэксп, °C = -55...+175, Vgs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 2272 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247AC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRFP264N-канальний ПТ, Udss, В = 250, Id = 38 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5400 @ 25, Qg, нКл = 210, Rds = 75 мОм, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3,...SKU: 41014 Виробник: Vishay Semiconductor Корпус: TO-247AC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRFP264NPBFN-канальный ПТ...SKU: 34376 Виробник: Vishay Semiconductor Корпус: TO-247
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRFP264PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 250, Id = 38, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5400 @ 25, Qg, нКл = 210 @ 10 B, Rds = 75 мОм @ 23 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 @ 250 мА,...SKU: 85596 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: TO-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRFP2907PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 209 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 13000 @ 25, Qg, нКл = 620 @ 10 В, Rds = 4,5 мОм @ 125 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 470 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,...SKU: 20653 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247AC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRFP3206PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 120 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6540 @ 50, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 3 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 150 мкА,...SKU: 73857 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247AC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRFP350N-канальный ПТ (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, P=190W, -55 to +150C)....SKU: 2555 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRFP360LCPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 23 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3400 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 200 мOм @ 14 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 72826 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: TO-247AC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRFP360PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 23 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 4500 @ 25, Qg, нКл = 210 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 14 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 27837 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: TO-247AC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRFP3710N-канальний ПТ, Id = 57, Ptot, Вт = 180, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3000 @ 25, Qg, нКл = 190, Rds = 0,025 Ом @ 28 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2...4 В,...SKU: 5389 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247AC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRFP3710N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R, P=200W, -55 to +175C)....SKU: 11437 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRFP3710PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 87, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3000 @ 25, Qg, нКл = 190, Rds = 0,025 @ 28 A, 10 B, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2...4 B, Pb-free,...SKU: 19922 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247AC
|
|
Є на складі: 108 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRFP4110PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 9620 @ 50, Qg, нКл = 210, Rds = 4,5 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 370, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,...SKU: 135662 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247-3
|
|
Є на складі: 40 Очікується: 205 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 400 |
|
|||||||||||||
IRFP4137PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 300, Id = 38 А, Ptot, Вт = 341, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5168 @ 50, Qg, нКл = 125 @ 10 В, Rds = 69 мОм @ 24 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,...SKU: 30212 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247AC
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRFP4227PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 65 А, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 4600 @ 25, Qg, нКл = 98 @ 10 В, Rds = 25 мОм @ 46 A, 10 В, Tексп, °C = -40...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,...SKU: 39340 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247AC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRFP4310ZPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6860 @ 50, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 6 мОм @ 75 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 150 мкА, Р, Вт = 280, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 118944 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247AC
|
|
Очікується: 2000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRFP4468PBFN-канальный ПТ (Vds=200V, Id=195ARds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 180A, 10V, Vds 19860pF @ 50V ,520W,540nC @ 10V...SKU: 46272 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247AC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRFP450PBFканальный ПТ (Vds=500V, Id=14A@T=25C, Id=8.7A@T=100C, Rds=0.4R, P=190W, -55 to +150C)....SKU: 47952 Виробник: Vishay BC Components Корпус: TO-247 AC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
IRFP460N-канальный ПТ (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 R@Vgs=10V, P=280W, -55 to +150C)....SKU: 15918 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247AC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRFP460APBFN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3100 @ 25, Qg, нКл = 105 @ 10 В, Rds = 270 мОм @ 12 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 415 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-247AC
|
|
Є на складі: 3 Очікується: 25 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRFP460LCPBFN-канальный ПТ (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds...SKU: 22577 Виробник: Vishay BC Components Корпус: TO-247AC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRFP460PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 4200 @ 25, Qg, нКл = 210 @ 10 В, Rds = 270 мОм @ 12 А, 10 В, Ugs(th) = 4 @ 250 мкА, Р, Вт = 280 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 23760 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-247AC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
IRFP4710PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 72 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6160 @ 25, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 14 мОм @ 45 A, 10 В, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 190 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,...SKU: 49694 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247AC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRFP9140NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 23 А, Ptot, Вт = 140, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 97 @ 10 В, Rds = 117 мОм @ 13 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 92061 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-247AC
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRFPG50PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 6,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2800 @ 25, Qg, нКл = 190 @ 10 В, Rds = 2 Ом @ 3,6 A, 10 В, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 190, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 57461 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: TO-247-3
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
IRFPS37N50APBFN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 36 A, Ptot, Вт = 446, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5579 @ 25, Qg, нКл = 180, Rds = 130 мОм @ 22 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкA,...SKU: 4658 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: SUPER-247
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
IRFPS3810PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170, Ptot, Вт = 580, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6790 @ 25 В, Qg, нКл = 390, Rds = 9 мОм @ 100 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3...5 В, Pb-free,...SKU: 41945 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRFPS43N50KPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 47 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 8310 @ 25, Qg, нКл = 350 @ 10 В, Rds = 90 мОм @ 28 В, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 540 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 48556 Виробник: Vishay/IR Корпус: SUPER-247(TO-274AA)
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
IRFR13N15DPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 14 А, Ptot, Вт = 86, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 180 мОм @ 8,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,...SKU: 37695 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFR4105PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 27 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 45 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 102468 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFR4510TRPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 56 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3031 @ 50, Qg, нКл = 81 @ 10 В, Rds = 13,9 мОм @ 38 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 100 мкА, Р, Вт = 143, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 107896 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: DPAK-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
IRFR4615TRLPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1750 @ 50, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 21 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 144, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,...SKU: 104338 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRFU-9310Р-канальний ПТ, Udss, В = -400, Id = -1,8, Ptot, Вт = 50, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ -25, Qg, нКл = 13, Rds = 7 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = -3 В,...SKU: 24823 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-251AA
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
IRFU024NPBFN-канальний ПТ, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Udss, В = 55, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 66569 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: I-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFU024PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 14 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 640 пФ @ 25 D, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 8.4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 48320 Виробник: Vishay/IR Корпус: I-PAK
|
|
Є на складі: 11 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRFU120NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 9,4 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 210 мОм @ 5.6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 45695 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: I-PAK
|
|
Є на складі: 7 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFU310BTUN-канальний ПТ, Id = 1,7 А, Ptot, Вт = 2,5, Udss, В = 400, Тип монт. = вивідний, Rds = 2,7 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 30 В,...SKU: 24684 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: I-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 70 |
|
|||||||||||||
IRFU310PBFN-канальний ПТ, Id = 1,7 А, Ptot, Вт = 2,5, Udss, В = 400, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 3,6 Ом @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 6405 Виробник: Vishay/IR Корпус: I-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRFU310PBFN-канальный ПТ (Vds=400V, Id=1.7A@T=25C, Id=1.1A@T=100C, Rds=3.6 R, P=25W, -55 to +150C)....SKU: 27440 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: I-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFU4615N-канальний ПТ, Id = 33, Ptot, Вт = 144, Udss, В = 150, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1750 @ 50, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 42 мОм, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА,...SKU: 67785 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: I-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRFU9024NPBFP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 18697 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: I-PAK
|
|
Є на складі: 21 Очікується: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFU9024PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 8,8 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 570 @ 25, Rds = 280 мОм @ 5,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 71861 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: I-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
IRFU9110PBFP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 3,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25, Qg, нКл = 8,7 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 1,9 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 31893 Виробник: Vishay/IR Корпус: I-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRFZ24NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 70 мОм @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 45 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,...SKU: 49376 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFZ34NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 8156 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFZ44NLPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 49 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 17.5 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 416 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: I2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFZ44NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 49 А, Ptot, Вт = 94, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 17,5 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 18968 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFZ46NPBFN-канальный ПТ (Vds=55V, Id=53A@T=25C, Id=37A@T=100C, Rds=16.5 mOhm(typ), P=107W, -55 to +175C), Pb-free....SKU: 32251 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRFZ48NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 64 A, Ptot, Вт = 130, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1970 @ 25, Qg, нКл = 81 @ 10, Rds = 14 мОм @ 32 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,...SKU: 20223 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRG4PF50WPBFТранзистор...SKU: 22593 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: xxx
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IRL2505PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 104, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5000 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 5 В, Rds = 8 мОм @ 54 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 72350 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRL3302N-канальный ПТ (Vds=20V, Id=39A@T=25C, Rds=20mOhm @Vgs=7V, P=57W, -55 to 175C)....SKU: 45939 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
IRL530NPBFN-канальний ПТ, Id = 17 А, Ptot, Вт = 79, Udss, В = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 5 В, Rds = 100 мОм @ 9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 21157 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRL640AN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1705 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 5 В, Rds = 180 мОм @ 9 A, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкA,...SKU: 19837 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRLB3036PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 195 А, Ptot, Вт = 380, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 11210 @ 50, Qg, нКл = 140 @ 4,5 В, Rds = 2,4 мОм @ 165 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,...SKU: 72160 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRLB8721PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 62 А, Ptot, Вт = 65, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1077 @ 15, Qg, нКл = 13 @ 4,5 В, Rds = 8,7 мОм @ 31 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,35 В @ 25 мкА,...SKU: 96673 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRLB8748PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 92, Ciss, пФ @ Uds, В = 2139 @ 15, Qg, нКл = 23, Rds = 4.8 мОм @ 40А, Ugs(th) = 2,35, Опис N-канальний ПТ, Р, Вт = 75, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = THT,...SKU: 136039 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Є на складі: 48 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRLD014PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,7 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 8,4 @ 5 В, Rds = 200 мОм @ 1 A, 5 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкA,...SKU: 46113 Виробник: Vishay/IR Корпус: DIP-4
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRLIZ34NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 22 А, Ptot, Вт = 37, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 5 В, Rds = 35 мОм @ 12 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 67208 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220FP
|
|
Є на складі: 11 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRLU024NN-канальный ПТ, Vdss В = 55, Id = 17 A, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = выводной, Rds = 65 мОм, Qg,нКл = 15, Tэксп, °C = -55...+175, Vgs(th) = 5, Входная ёмкость = 480 пФ (при напряжении 25 В),...SKU: 19928 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: I-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 600 |
|
|||||||||||||
IRLU024NPBFN-канальный ПТ (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.065 R, P=45W, -55 to +175C), логический уровень перекл-я, Pb-free....SKU: 21524 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: I-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRLZ24NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 60 мОм @ 11 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 12699 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRLZ34NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 880 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 25 @ 5 В, Rds = 35 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В, Р, Вт = 68 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,...SKU: 60193 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRLZ44NPBFN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 47 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 22 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 54979 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IRLZ44PBFN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 50 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3300 @ 25, Qg, нКл = 66 @ 5 В, Rds = 28 мОм @ 31 A, 5 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 46525 Виробник: Vishay/IR Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IXFH160N15T2N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 160 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 15000 @ 25, Qg, нКл = 253 @ 10 В, Rds = 9 мОм @ 80 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 1000 мкА, Р, Вт = 880 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,...SKU: 407 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-247-3
|
|
Є на складі: 8 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
IXFK120N30P3N-канальний ПТ, Udss, В = 300, Id = 120 А, Ptot, Вт = 1 130, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 8630 @ 25, Qg, нКл = 150 @ 10 В, Rds = 27 мОм @ 60A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 4 мА,...SKU: 87836 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-264-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IXFK360N15T2N-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 360 А, Qg, нКл = 715 @ 10 В, Rds = 4 мОм @ 60 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 8 мА, Р, Вт = 1670, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 110288 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-264-3
|
|
Є на складі: 1 Очікується: 100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IXFK520N075T2N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 520, Ciss, пФ @ Uds, В = 41000 @ 25, Qg, нКл = 545, Rds = 2,2 мОм, Ugs(th) = 5, Р, Вт = 1250, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,...SKU: 121305 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-264-3
|
|
Очікується: 8 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IXFR80N50PN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 45 А, Ptot, Вт = 360, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 12700 @ 25, Qg, нКл = 197 @ 10 В, Rds = 72 мОм @ 40 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 8 мA,...SKU: 78568 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: ISOPLUS-247
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
IXFX100N65X2N-канальний ПТ, Udss, В = 650, Id = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25, Qg, нКл = 180, Rds = 30 мОм, Ugs(th) = 5,5, Р, Вт = 1040, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 121304 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-247-3
|
|
Очікується: 7 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
IXFX26N120PN-канальний ПТ, Udss, В = 1 200, Id = 26 А, Ptot, Вт = 960, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 16000 @ 25, Qg, нКл = 225 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 13 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 6,5 В @ 1 мА,...SKU: 77091 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-247-3
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
IXTA32P05TTRLP-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 32 А, Ptot, Вт = 83, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 25, Qg, нКл = 46 @ 10 В, Rds = 39 мОм @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА,...SKU: 71891 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-220
|
|
Є на складі: 791 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IXTH80N65X2N-канальний ПТ, Udss, В = 650, Id = 80 А, Rds = 40 мОм @ 40 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 4000 мкА, Р, Вт = 890, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 101679 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
IXTK102N30PN-канальний ПТ, Id = 102 А, Ptot, Вт = 700, Udss, В = 300, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7500 @ 25, Qg, нКл = 224 @ 10 В, Rds = 33 мОм @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -40...+125, Ugs(th) = 5 В @ 500 мкА,...SKU: 64713 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-264
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
IXTP120N075T2P-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4740, Qg, нКл = 78, Rds = 7,7 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 250, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,...SKU: 128792 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IXTP12N50PMN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 6 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 1830, Qg, нКл = 29, Rds = 0,5 Ом, Ugs(th) = 5,5 В, Р, Вт = 50 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 60172 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-220-3
|
|
Є на складі: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IXTP1R6N100D2N-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 1,6 A, Qg, нКл = 27 @ 5 В, Rds = 10 Ом @ 0,8 A, 0 В, Р, Вт = 100, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 51551 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-220AB
|
Ціна потребує уточнення | Очікується: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
IXTP96P085TP-канальний ПТ, Udss, В = 85, Id = 96 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 13100, Qg, нКл = 180, Rds = 13 мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 298, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 128790 Виробник: IXYS/Littelfuse Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
KSA1381ESTUТранзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 100 мА, ft, МГц = 150, hFE = 100 @ 10 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 2 мA, 20 мА, Р, Вт = 7, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 113022 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-126-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
KSA916YTAТранзистор PNP, Uceo, В = 120, Ic = 800 мА, ft, МГц = 120, hFE = 100 @ 100 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 0,8 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 98053 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
KSC2316YTAТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,9, Uceo, В = 120, Тип монт. = smd, ft, МГц = 120, hFE = 120 @ 100 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 98052 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 8 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
KSC2383YTAТранзистор NPN, Uceo, В = 160, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 160 @ 200 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1.5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,9 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 90175 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92L-3
|
|
Є на складі: 7 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
KSC3503DSТранзистор NPN, Ptot, Вт = 7, Uceo, В = 300, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 150, hFE = 60 @ 10 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 2 мA, 20 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 88817 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-126-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 250 |
|
|||||||||||||
KSE340STUТранзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Icutoff-max = 200 мкА, Р, Вт = 20 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 5330 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-126-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 60 |
|
|||||||||||||
KSE350STUТранзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Icutoff-max = 100 мкА, Р, Вт = 20 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний, комплементарний KSE340STU,...SKU: 6028 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-126-3
|
|
Є на складі: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
KSP42TAТранзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ Ic = 10 mA, Vce = 2 mA, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 9392 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 402 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
KSP92TAТранзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 10 мA, 10 В, Icutoff-max = -250 нА, Р, Вт = 1,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний, Аналог MPSA92,...SKU: 9391 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 1800 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
KSP92TA (коробка 2000шт.)Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=625mW, B>40, -55 to +150C), =MPSA92....SKU: 15707 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
MJ15024Транзистор NPN (Uce=250V, Ic=16A, P=250W, -65 to +150C)....SKU: 594 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-204AA
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
MJ15024GТранзистор NPN, Uceo, В = 250, Ic = 16 А, ft, МГц = 4, Icutoff-max = 500 мкА, Тексп, °C = -65...+200, Тип монт. = вивідний,...SKU: 35640 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-3(TO-204AA)
|
|
Є на складі: 99 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
MJ15025Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, P=250W, -65 to +150C)....SKU: 595 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
MJ2955Транзистор PNP, Ptot, Вт = 115, Uceo, В = 70, Ic = 18, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 3, hFE = 20...70 @ 4 A, 4 V, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 60 @ 200 mA, 0, Тексп, °С = -65...+200, Комплементарний 2N3055,...SKU: 3560 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-3
|
|
Є на складі: 19 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
MJD45H11-1GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 90, hFE = 40 @ 4 A, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 50576 Виробник: ON Semiconductor Корпус: I-PAK
|
|
Є на складі: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
MJE13003GТранзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=3A, P=40W, B=10-80, -65 to +150C)....SKU: 46030 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
MJE13005Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to +150C)....SKU: 597 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
MJE13005GТранзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to +150C). Pb-Free...SKU: 43398 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
MJE13007GТранзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=8A, P=80W, B=8-40, -65 to +150C)....SKU: 598 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
MJE15030GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 50, Uceo, В = 150, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 30, hFE = 20 @ 4 A, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 51518 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
MJE15031GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 50, Uceo, В = 150, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 30, hFE = 20 @ 4 A, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 51521 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
MJE15032GТранзистор NPN, Ptot,Вт = 2, VCEO,В = 250, Ic = 8 А, Тип монт. = выводной, ft,МГц =30, hFE = 10 @ 2A, 5В, VCEO(sat),В = 0.5 @ 100 мA, 1A, Тэксп, °С = -65...+150,...SKU: 25496 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
MJE15033GТранзистор PNP, Ptot,Вт = 2, VCEO,В = 250, Ic = 8 А, Тип монт. = выводной, ft,МГц = 30, hFE = 10 (при 2A, 5 В), VCEO(sat),В = 0.5 @ 100 мА, 1A, Тэксп, °С = -65...+150,...SKU: 25497 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
MJE15035GТранзистор PNP , Тип монт. выводной, VCEO,В x, Ic x, Ptot,Вт x, ft,МГц x,...SKU: 52659 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
MJE243GТранзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, ft, МГц = 40, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 А, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 4370 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
MJE253GТранзистор PNP, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 4 А, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 А, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 4371 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
MJE2955TТранзистор PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, F=2MHz, -55 to +150C)....SKU: 9315 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
MJE340Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C)....SKU: 599 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-126-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
MJE340Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C)....SKU: 7232 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-126-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
MJE340Транзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, hFE = 240 @ Ic = 50 mA, Vce = 10 V, Icutoff-max = 100 мкА, Р, Вт = 20 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 7917 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-126-3
|
|
Є на складі: 15 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
MJE350Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C)....SKU: 600 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-126
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
MJE350GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 20, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 30 (при 50 мА, 10 В), Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 28146 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA
|
|
Є на складі: 15 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
MJE4343GТранзистор NPN (Uce=250V, Ic=16A, Pd=125W, TO–218 (CASE 340D–02)-(20.35x15.2x4.9, Rm=5.5)mm, t= -65 to +150C)....SKU: 42749 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO–218
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1000 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
MJE5730GТранзистор PNP (Uce=300V, Ic=1A, F=10MHz)....SKU: 41200 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1000 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
MPS2222ARLRAGТранзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 300, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В@ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 56354 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
MPS651RLRMGТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 60, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 75, hFE = 75 @ 1 A, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 200 мА, 2 A, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 74894 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 4 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
MPS751Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 60, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 75, hFE = 75 @ 1 A, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 200 мA, 2 A, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 74893 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
MPS751GТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 60, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 75, hFE = 75 @ 1 A, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 200 мA, 2 A, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 61182 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
MPSA05RAТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 60, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150, Аналог КТ608Б,...SKU: 18774 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
MPSA18Транзистор NPN малошумний, Uceo, В = 45, Ic = 250 мА, ft, МГц = 160, hFE = 1150 @ Ic = 10 mA, Uce = 5 V, Icutoff-max = 50 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний, Pb-free,...SKU: 14215 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
MPSA42Транзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 5937 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 230 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
MPSA44Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 400, Ic = 300 мА, Тип монт. = вивідний, Icutoff-max = 100 нА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 94973 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
MPSA92Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,62, Uceo, В = -300, Ic = -500 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ -10 mA, -10 V, Icutoff-max = -250 нА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 5938 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
MPSA92GТранзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 10 мA, 10 В, Icutoff-max = 250 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = 55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 24603 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
MPSA92RL1GТранзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 25 @ 30 мА, 10 В, Icutoff-max = 250 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 2 мА, 20 мА, Р, Вт = 0,265 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 84386 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 2272 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
MPSW92Транзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 10 мA, 10 В, Icutoff-max = 250 нА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 7623 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 966 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
MTP6N60EN-канальный ПТ (Vds=600V, Id=6A@T=25C, Id=4.6A@T=100C, Rds=0.94R@Vgs=10V, P=125W, -55 to +150C)....SKU: 626 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
NTE123AТранзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 800 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -65...+200, Тип монт. = вивідний,...SKU: 125978 Виробник: NTE Electronics Корпус: TO-18
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
NTE2329Транзистор PNP, Uceo, В = 200, Ic = 15 А, ft, МГц = 25, hFE = 160, Icutoff-max = 5 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 1 АБ 10 А, Р, Вт = 150, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 125975 Виробник: NTE Electronics Корпус: TO-3P-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
NTE316Транзистор NPN, Uceo, В = 15, Ic = 50 мА, hFE = 25...250, Р, Вт = 0,2,...SKU: 116697 Виробник: NTE Electronics Корпус: TO-72
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
P2N2222ARL1Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C)....SKU: 7427 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
PN2222ABUТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 40, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 26113 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
PN2222ATFТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 40, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 7200 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
PN2907AТранзистор PNP (Uce=60V, Ic=0.8A, P=625mW, -65 to +150C)....SKU: 7738 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
R6030KNXC7N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2350 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 14,5 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 1000 мкА, Р, Вт = 86, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 102410 Виробник: Rohm Корпус: TO-220FM
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
RFD14N05N-канальный ПТ (Vds=50V, Id=14A, Rds=0.1 R, P=48W, -55 to +175C)....SKU: 726 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-251AA
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
RFD14N05LN-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 14 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 670 @ 25, Qg, нКл = 40 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 14 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,...SKU: 727 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: IPAK-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
RFP14N05LN-канальный ПТ (Vds=50V, Id=14A, Rds=0.1 R, P=48W, -55 to +175C), логический уровень перекл-я....SKU: 2124 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
SFP9540P-канальный ПТ (Vds=100V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.20 R, P=132W, -55 to +175C)....SKU: 17601 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
SIHG20N50C-E3N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 А, Ptot, Вт = 292, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2942 @ 25, Qg, нКл = 76 @ 10 В, Rds = 270 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,...SKU: 71321 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: TO-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
SPA11N80C3N-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 680 мкА, Ptot, Вт = 34, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1600 @ 100, Qg, нКл = 85, Rds = 0,45 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3.9 В,...SKU: 95970 Виробник: Infineon Technologies Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
SPP02N60C3N-канальний ПТ, Udss, В = 650, Id = 1,8 А, Ptot, Вт = 25, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25, Qg, нКл = 12,5 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 1,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3,9 В @ 80 мкА,...SKU: 31764 Виробник: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
SPP17N80C3N-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 17, Ptot, Вт = 208, Тип монт. = вивідний, Qg, нКл = 177, Rds = 0,290 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3,9 В,...SKU: 61428 Виробник: Infineon Technologies Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
SPW17N80C3N-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 17 А, Ptot, Вт = 208, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2320 @ 25, Qg, нКл = 177 @ 10 В, Rds = 290 мОм @ 11 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3,9 В @ 1 мА,...SKU: 23843 Виробник: Infineon Technologies Корпус: TO-247
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 240 |
|
|||||||||||||
SPW20N60S5FKSA1N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 20 А, Ptot, Вт = 208, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3000 @ 25, Qg, нКл = 103 @ 10 В, Rds = 190 мОм @ 13 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5,5 В @ 1 мA,...SKU: 80186 Виробник: Infineon Technologies Корпус: TO-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 240 |
|
|||||||||||||
SPW47N60C3N-канальний ПТ, Id = 47 A, Ptot, Вт = 41,5, Udss, В = 650, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6800 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 320 @ 10 В, Rds = 70 мОм @ 30 A, 10, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3,9 В @ 2,7 мА,...SKU: 50745 Виробник: Infineon Technologies Корпус: TO-247
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 240 |
|
|||||||||||||
SS8050Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 25, Ic = 1,5, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 85...300, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 0.8 0.08, Тексп, °С = -65...150,...SKU: 77863 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
SS8550Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 25, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 85...300, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 80 мА, 800 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 46366 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
ST13003-KТранзистор NPN, Uceo, В = 400, Ic = 1,5 А, hFE = 5 @ 1 А, 2 В, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 500 мA, 1,5 A, Р, Вт = 40 Вт, Тексп, °C = -40...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 52083 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-32-3(TO-126-3)
|
|
Є на складі: 253 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
STBV32-APТранзистор NPN, Uceo, В = 400, Ic = 1,5 А, hFE = 5 @ 1 A, 2 В, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 500 мA, 1,5 А, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 108508 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-92AP
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
STF3NK80ZN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 2,5 A, Ptot, Вт = 25, Тип монт. = вивідний, Rds = 4.5 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 10 В,...SKU: 55862 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
STFW4N150N-канальний ПТ, Udss, В = 1 500, Id = 4 A, Ptot, Вт = 63, Тип монт. = вивідний, Qg, нКл = 30, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В,...SKU: 51552 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220AB
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
STP10NK60ZN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 5,7 А, Rds = 750 мОм, Р, Вт = 115, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 119295 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220FP
|
|
Очікується: 15 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
STP10NK60ZFPN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 10 А, Ptot, Вт = 35, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1370 @ 25, Qg, нКл = 70 @ 10 В, Rds = 750 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА,...SKU: 49136 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220FP
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
STP10NK80ZN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 9 А, Ptot, Вт = 160, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2180 @ 25, Qg, нКл = 72 @ 10 В, Rds = 900 мОм @ 4,5 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА,...SKU: 80998 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220FP
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
STP10NK80ZFPN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 9 А, Ptot, Вт = 40, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2180 @ 25, Qg, нКл = 72, Rds = 900 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА,...SKU: 57284 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220FP
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
STP120NF10N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 110 А, Ptot, Вт = 312, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5200 @ 25, Qg, нКл = 233 @ 10 В, Rds = 10,5 мОм @ 60 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкA,...SKU: 79085 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
STP20NM50N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 А, Ptot, Вт = 192, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1480 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,...SKU: 77946 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
STP20NM60FPN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 20 А, Ptot, Вт = 192, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 25, Qg, нКл = 54 @ 10 В, Rds = 290 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,...SKU: 83770 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220FP
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
STP2NK90ZN-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 50 мкА, Ciss, пФ @ Uds, В = 485pF @ 25V, Qg, нКл = 27, Rds = 6.5, Ugs(th) = 30, Р, Вт = 70, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 104217 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
STP3NK90ZFPN-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 3 А, Ptot, Вт = 25, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 590 @ 25, Qg, нКл = 22,7 @ 10 В, Rds = 4,8 Ом @ 1,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 50 мкА,...SKU: 74651 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220FP
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
STP4NB100N-канальный ПТ ( 1000V - 4W - 3.8A)...SKU: 12398 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
STP4NK60ZN-канальный ПТ MOSFET , Vdss В = 600, Id = 4 A, Ptot, Вт = x,...SKU: 50987 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
STP4NK60ZFPN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 510 @ 25, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 2 Ом @ 2 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 50 мкА, Р, Вт = 25 Вт, Тексп, °C = до +150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 67451 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220FP
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
STP4NK80ZFPN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Ciss, пФ @ Uds, В = 575 @ 25, Qg, нКл = 22,5 @ 10 В, Rds = 3,5 Ом @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 50 мкА, Р, Вт = 25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 111754 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
STP6N120K3N-канальний ПТ, Udss, В = 1 200, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1050 @ 100, Qg, нКл = 34, Rds = 2.4 Ом, Ugs(th) = 10, Р, Вт = 150, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 104272 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
STP6NK60ZN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 905 @ 25, Qg, нКл = 46 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 3 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 110 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 45659 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
STP6NK90ZN-канальний ПТ, Id = 5,8 А, Ptot, Вт = 140, Udss, В = 900, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1350 @ 25, Qg, нКл = 60,5 @ 10 В, Rds = 2 Ом @ 2.9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА,...SKU: 33274 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
STP75NF75FPN-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 80, Ciss, пФ @ Uds, В = 3700 @ 25, Qg, нКл = 160 @ 10 В, Rds = 11 мОм @ 40 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 45, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,...SKU: 127274 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220FP
|
|
Очікується: 370 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
STP7NK80ZFPN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 5,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1138 @ 25, Qg, нКл = 56, Rds = 1,8 Ом, Ugs(th) = 4,5 В, Р, Вт = 30, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = вивідний,...SKU: 130922 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220FP
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
STP80NF55-06N-канальный ПТ (Vds=55V, Id=80A , Rds=0.06R)....SKU: 49015 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
STP8NM50FPN-канальный ПТ (Vds=550V, Id=5A@T=25C, Id=3.1A@T=100C, Rds=0.8Ohm, P=30W, -65 to 150C)....SKU: 32989 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220FP
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
STP9NK90ZN-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2115 @ 25, Qg, нКл = 72 @10 В, Rds = 1,3 Ом @ 3,6 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 160, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 118761 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
STW10NK80ZN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 9 А, Ptot, Вт = 160, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2180 @ 25, Qg, нКл = 72 @ 10 В, Rds = 900 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА,...SKU: 72825 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
STW11NK100ZN-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 8,3 А, Ptot, Вт = 230, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 162 @ 10 В, Rds = 1,38 Ом @ 4.15 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 @ 100 мкА,...SKU: 66420 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
STW21N150K5N-канальний ПТ, Udss, В = 1 500, Id = 14 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3145 @ 100, Qg, нКл = 89 @ 10 В, Rds = 900 мОм @ 7 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 446, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 111292 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
STW34NB20N-канальный ПТ, Rds = 75 мОм, Vdss В = 200, Id = 34 А, Ptot, Вт = 180, Qg,нКл = 80, Tэксп, °C = -65...+150, Vgs(th) = 5 В (при 250 мкА), Тип монт. = выводной,...SKU: 9316 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-247
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
STW38NB20N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 38 A, Ptot, Вт = 180, Тип монт. = вивідний, Qg, нКл = 95, Rds = 65 мОм, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 10,...SKU: 23481 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-247
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
STY34NB50N-канальный ПТ (Vds=500V, Id=34A, Rds=0.11 R, P=450W, -65 to +150C)....SKU: 1830 Виробник: STMicroelectronics Корпус: Max247
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
SUB65P06-20P-канальный ПТ, Ptot, Вт = 3.7, Id = -39 А, Тип монт. = выводной, Vdss В = -60, Rds = 0.02 Ом, Tэксп, °C = -65...+175, Vgs(th) = 20 В,...SKU: 814 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
SUP60N06-18-E3N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 60 А, Ptot, Вт = 120, Тип монт. = вивідний, Rds = 18 мОм, Tексп, °C = -55...+175,...SKU: 1736 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
TIP29CТранзистор NPN, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 100, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 15 @ 1 A, 4 В, Icutoff-max = 300 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 125 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 3846 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
TIP31CТранзистор бипол. PNP (Uce=100V, Ic=3(5)A, P=40W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C)....SKU: 32261 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
TIP32CТранзистор PNP, Uceo, В = 100, Ic = 3, ft, МГц = 3, hFE = 10 @ 3 A, 4 В, Icutoff-max = 300 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,2 @ 375 мA, 3 А, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 40338 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
TIP35CТранзистор NPN, Ptot, Вт = 125, Uceo, В = 100, Ic = 25 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 3, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 B @ 5 A, 25 A,...SKU: 82437 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
TIP41CТранзистор NPN, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 100, Ic = 6 А, Тип монт. = smd, hFE = 15 @ 3 A, 4 В, Icutoff-max = 700 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 600 мA, 6 А, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 85467 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
TK3R2E06PL,S1XN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5000 @ 50, Qg, нКл = 71 @ 10 В, Rds = 3,2 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 700 мкА, Р, Вт = 168, Тексп, °C = до 175, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 118674 Виробник: Toshiba Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
TS13003CKТранзистор NPN (Ucb=700V, Uce=400V, Ic=1.5A, P=20W, B=20-40@Ic=0.4A, -55 to +150C)....SKU: 25283 Виробник: Taiwan Semiconductor Корпус: TO-126
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
TSM2N7000CTN-канальный ПТ (Vds=60V, Id=0.20A, Rds...SKU: 22006 Виробник: Taiwan Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
VN10KLSN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 310 мА, Ptot, Вт = 0,9, Rds = 5000 мОм, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 15 В, із вбудованим стабілітроном по затвору,...SKU: 9342 Виробник: Vishay Siliconix Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
EPC2036Транзистор GaNFET, Udss, В = 100, Rds, мОм = 65, Id, А = 1,7, C, пкФ = 90, Заряд, нКл = 0,91,...SKU: 125387 Корпус: smd
|
|
Є на складі: 3 Очікується: 700 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
BD678TRANSISTOR 60V 4A 40W 750 @ 10.5A, 3V 2.5V @ 30mA, 1.5A - 500µA...SKU: 46368 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-32
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
BD911Транзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 15 А, ft, МГц = 3, hFE = 15 @ 5 А, 4 В, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 2,5 A, 10 A, Р, Вт = 90, Тексп, °C = -65...+150,...SKU: 124747 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BD912...SKU: 14377 Виробник: STMicroelectronics |
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
MCH6541-TL-EТранзисторна збірка NPN-PNP, Uceo, В = 30, Ic = 700 мА, hFE = 300 @ 50 мA, 2 В / 200 @ 10 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,19 @ 10 мA, 200 мA / 0,22 @ 10 мA, 200 мА, Р, Вт = 0,55, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, ft, МГц = ...SKU: 111265 Виробник: ON Semiconductor Корпус: MCPH-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMUN2211LT1Транзистор NPN з BRT, Ptot, Вт = 0,246, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, hFE = 35...60 @ 5 mA, 10 V, Icutoff-max = 500 нА, Тексп, °С = -55...+150, R1, kOm = 10, R1/R2 = 1,...SKU: 9871 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
NSVMMUN2212LT1GТранзистор NPN з BRT, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 60, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 uA, 10 mA, Р, Вт = 0,246, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 121482 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23
|
|
Є на складі: 5 Очікується: 25 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
NZT660AТранзистор PNP з низьким насищенням, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = -60, Ic = -3 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 75, hFE = 250...550 @ -500 mA, -2 V, Icutoff-max = -100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = -0,5 @ -3 A, -300 mV, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 20913 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-223-4
|
|
Є на складі: 2909 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
2SD2390Транзистор Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 150, Ic = 10, ft, МГц = 55, hFE = 5000 @ 7 A, 4 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2.5 @ 7 мA, 7 A, Р, Вт = 100, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 124617 Виробник: Sanken Корпус: TO-3P
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
2SD2390Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 2 NPN, Uceo, В = 150, Ic = 10 А, hFE = 500, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 7 А, 7 мА, Р, Вт = 100, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = DIP,...SKU: 129893 Корпус: TO-3P
|
|
Є на складі: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BC817DPN,115Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 0,6, Тип стр. = 1 NPN + 1 PNP, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 160 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150, F2 =...SKU: 79468 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: TSOP-6
|
|
Є на складі: 100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCV26-, Транзистор составной (Дарлингтона) PNP, Ptot,Вт = 0.35, VCEO,В = 30, Ic = 1.2 A, Тип монт. = smd, ft,МГц = 220, hFE = 20000 (при 100 мА, 5 В), VCEO(sat),В = 1 (при 100 мкА, 100 мА), Тэксп, °С = -55...+150, Тип стр. = P-N-P ,...SKU: 54228 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCV27Транзистор складений Дарлінгтона, Uceo, В = 30, Ic = 1,2 А, ft, МГц = 220, hFE = 20000 @ 100 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 100 мкА, 100 мА, Р, Вт = 0,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 8233 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCV61CE6327 (BCV61CE6327HTSA1)Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 2 NPN, перехід база-колектор, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тексп, °С = -65...+150, Застосування = Струмове дзеркало,...SKU: 87185 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-143
|
|
Є на складі: 122 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCV62BE6327Транзистор PNP составной (Uce=30V, Ic=0.1A, P=0.3W, T=-65 to +150C)....SKU: 39970 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-143
|
|
Є на складі: 1954 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BD679AТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 40, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 80, Ic = 4 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 40, hFE = 750 @ 2 А, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2.8 @ 40 мА, 2 А, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 64535 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-32-3
|
|
Є на складі: 263 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BD681Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 40, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 750 @ 1,5 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 30 мA, 1.5 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 48534 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-126-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BD681GТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 40, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 750 @ 1,5 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 30 мA, 1.5 А, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 94219 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-126-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
BD681STUТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 40, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 750 @ 1,5 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 30 мA, 1.5 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 35121 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-126-3
|
|
Є на складі: 97 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 60 |
|
|||||||||||||
BDW93CТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 80, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 12 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 750 @ 5 A, 3 В, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 100 мA, 10 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 74853 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BDW94CТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 80, Тип стр. = PNP, Uceo, В = 100, Ic = 12 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 750 @ 5 A, 3 В, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 100 мA, 10 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 33862 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BDX33BТранзистор NPN составной (Uce=80V, Ic=10A, P=70W, B>750, -65 to +150C)....SKU: 14313 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
BDX33CТранзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 10 А, hFE = 750 @ 3 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 6 мА, 3 А, Р, Вт = 70 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 18929 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220-3
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BDX33CТранзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 10 А, hFE = 750 @ 3 A, 3 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 V @ 6 мA, 3 A, Р, Вт = 70 Вт, Тип монт. = вивідний,...SKU: 26375 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BDX34BТранзистор PNP составной (Uce=80V, Ic=10A, P=70W, B>750, -65 to +150C)....SKU: 14315 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
BDX34CТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 70, VCEO, В = 100, Ic = 10 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 750 @ 3 A, 3 В, VCEO(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 6 мА, 3 А, Тексп, °С = -40...+150, Тип стр. = PNP,...SKU: 19003 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BDX53CТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 60, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 50 @ 3 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2 @ 12 мA, 3 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 58153 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 200 |
|
|||||||||||||
BDX53CТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 60, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 750 @ 3 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2 @ 12 мA, 3 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 23914 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220-3
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BSP52Транзистор биполярный составной (Дарлингтона), Ic = 0.8, Ptot,Вт = 1, VCEO,В = 80, VCEO(sat),В = 1 @ 500 мкА, 500 мА, Тип монт. = smd, Тип стр. = N-P-N,...SKU: 15258 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
BST62,115Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,3, Тип стр. = PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 200, hFE = 2000 @ 500 мA, 10 В, Icutoff-max = 50 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,3 @ 500 мкA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 77092 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-89-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
FMB2227AТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 0,7, Тип стр. = NPN, PNP, Uceo, В = 30, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 30 @ 300 мА, 10 В, Icutoff-max = 30 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1.4 @ 30 мА, 300 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 84973 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MJD112Транзистор NPN составной (Uce=100V, Ic=2A, P=20W, B>1000, -65 to +150C)....SKU: 2876 Виробник: ON Semiconductor Корпус: DPAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
MJD117Транзистор PNP составной (Uce=100V, Ic=2A, P=20W, B>1000, -65 to +150C)....SKU: 2826 Виробник: ON Semiconductor Корпус: DPAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
MJD122T4Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 8 А, hFE = 1000 @ 4 A, 4 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 80 мA, 8 A, Р, Вт = 20 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 52159 Виробник: STMicroelectronics Корпус: DPAK-3
|
|
Очікується: 40 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
MJD122T4GТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,75, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 4, hFE = 1000 @ 4 A, 4 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 80 мA, 8 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 16985 Виробник: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
MJE800Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 60, Ic = 4, hFE = 750 @ 2 A, 3 V, Icutoff-max = 100, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,8 @ 2 A, 40 mA, Р, Вт = 40 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 3514 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-126-3
|
|
Є на складі: 45 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
MJF127GТранзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = PNP, Uceo, В = 100, Ic = 5 А, hFE = 2000 @ 3 A, 3 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3,5 @ 20 мA, 5 А, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 90544 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220FP
|
|
Є на складі: 45 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
MJH6284GТранзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 20 А, ft, МГц = 4, hFE = 750 @ 10 A, 3 В, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 200 мA, 20 А, Р, Вт = 160, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 103893 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
MMBTA13Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 30, Ic = 1,2 А, hFE = 10 @ 100 mA, 5 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 15749 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 915 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
MN2488Транзистор PNP составной (Uce=150V, Ic=10A, P=150W, )....SKU: 44208 Виробник: Sanken (Allegro) Корпус: LF100
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
MP1620Транзистор составной (Uceo=-150V Ucbo=-160V, Ic=-10A, P=150W, T=-55 to +150C)....SKU: 44178 Виробник: Sanken (Allegro) Корпус: leaded
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
MPSA13Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)....SKU: 6329 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
PUMD10,115Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 0,3, Тип стр. = 1 NPN + 1 PNP (Pre-Biased), Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 230, hFE = 100 @ 10 мА, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,1 @ 250 мкA, 5 мА, Тексп, °С = -65.....SKU: 81128 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-363
|
|
Є на складі: 16 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PUMD13,115Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 0,3, Тип стр. = 1 NPN + 1PNP (Pre-Biased), Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, hFE = 100 @ 250 мкА, 5 мА, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,1 @ 250 мкA, 5 мА, Тексп, °С = -65...+150, Сопрот...SKU: 25413 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-363
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
TIP107Транзистор PNP Дарлінгтона, Uceo, В = 100, Ic = 8 А, hFE = 1000...20000 @ 3 A, 4 В, Icutoff-max = 50 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 831 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
TIP110TUТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 2, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 60, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 1000 @ 1 A, 4 В, Icutoff-max = 2 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 8 мA, 2 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 52767 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
TIP122Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 2, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 1000 @ 3 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 20 мA, 5 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 832 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
TIP122Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 2, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 1000 @ 3 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 20 мA, 5 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 77182 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 200 |
|
|||||||||||||
TIP122GТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 2, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 1000 @ 3 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 20 мA, 5 А, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 7029 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
TIP127Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 2, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 1000 @ 3 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 20 мA, 5 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 5868 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220-3
|
|
Є на складі: 103 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
TIP132Транзистор , Тип стр. N-P-N, VCEO,В 100, Ic 8A, VCEO(sus),В 4V @ 30mA, 6A,...SKU: 49332 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
TIP142GТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 125, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 10 А, hFE = 1000 @ 5 A, 4 В, Icutoff-max = 2 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 40 мA, 10 А, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 89368 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
TIP147Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 125, Тип стр. = PNP, Uceo, В = 100, Ic = 10 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 1000 @ 5 A, 4 В, Icutoff-max = 2 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 40 мA, 10 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 88335 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-218-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
TIP147GТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 125, Тип стр. = PNP, Uceo, В = 100, Ic = 10 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 3 @ 40 мA, 10 А, Icutoff-max = 2 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 40 мA, 10 А, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 89382 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-247-3
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
TIP42CТранзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = PNP, Uceo, В = 100, Ic = 6 А, ft, МГц = 3, hFE = 15...75 @ -3 A, -4 V, Icutoff-max = 700 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 13554 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
ULN2003ADТранзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мA, Тексп, °С = -20...+85,...SKU: 870 Виробник: Texas Instruments Корпус: SOICN-16
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 40 |
|
|||||||||||||
ULN2003ADRТранзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °С = -20...+70,...SKU: 2023 Виробник: Texas Instruments Корпус: SOICN-16
|
|
Є на складі: 17 Очікується: 2500 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
ULN2003ADR2GТранзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мA, Тексп, °С = -20...+85,...SKU: 45747 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOICN-16
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
ULN2003ADRG3Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 52598 Виробник: Texas Instruments Корпус: SOICN-16
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
ULN2003AFW(EL,M)Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,25, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мA, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 11943 Виробник: Toshiba Корпус: SOICN-16
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
ULN2003AFWGТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,25, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 80178 Виробник: Toshiba Корпус: SOICN-16
|
|
Очікується: 2000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
ULN2003AFWG(CNEHZAТранзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мA, Р, Вт = 1,25 Вт, Тексп, °C = -40...+85, Тип монт. = smd,...SKU: 73319 Виробник: Toshiba Корпус: SOICN-16
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
ULN2003AFWG(M)Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,25, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкА, 350 мA, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 8561 Виробник: Toshiba Корпус: SOICN-16
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
ULN2003AIDRТранзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, Icutoff-max = 50 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °С = -40...+105,...SKU: 99573 Виробник: Texas Instruments Корпус: SOICN-16
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
ULN2003D1013TRТранзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 47798 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOICN-16
|
|
Є на складі: 738 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
ULN2003L-S16-RТранзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА,...SKU: 120272 Виробник: UTC Корпус: SOP-16
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
ULN2803AТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 2,25, Тип стр. = 8 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °С = -20...+85,...SKU: 4203 Виробник: STMicroelectronics Корпус: DIP-18
|
|
Очікується: 61 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 20 |
|
|||||||||||||
ULN2803ADWТранзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 8 NPN, Uceo, В = 50, Тип монт. = smd, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 21529 Виробник: Texas Instruments Корпус: SOICW-18
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
ULN2803ADWG4Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 8 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 33242 Виробник: Texas Instruments Корпус: SOICW-18
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 40 |
|
|||||||||||||
ULN2803ADWRТранзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 8 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 27774 Виробник: Texas Instruments Корпус: SOICW-18
|
|
Є на складі: 56 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
ULN2803ADWRG4Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 8 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 14112 Виробник: Texas Instruments Корпус: SOICW-18
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
ULN2803APG,CNТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,47, Тип стр. = 8 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 1000 @ 350 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 22018 Виробник: Toshiba Корпус: DIP-18
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 20 |
|
|||||||||||||
ULN2803CDWRТранзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 8 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, ft, МГц = 1, Icutoff-max = 50 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкА, 350 мА, Тексп, °C = -40...+125, Тип монт. = SMD,...SKU: 125040 Виробник: Texas Instruments Корпус: SOIC-20
|
|
Є на складі: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
ULQ2003ADТранзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкА, 350 мА, Р, Вт = 0,56 Вт, Тексп, °C = -40...+85, Тип монт. = smd,...SKU: 17504 Виробник: Texas Instruments Корпус: SOICN-16
|
|
Є на складі: 35 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 45 |
|
|||||||||||||
ULQ2003ANТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 0,95, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 47445 Виробник: Texas Instruments Корпус: DIP-16
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 25 |
|
|||||||||||||
ULQ2003D1013TRТранзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мкA, Тексп, °C = -40...+105, Тип монт. = вивідний,...SKU: 50252 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOICN-16
|
|
Є на складі: 25 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
BC857BDW1T1GТранзистор польовий N+P, 2 PNP (Dual),...SKU: 94086 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-363
|
Ціна потребує уточнення | Є на складі: 6000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSD235CH6327XTSA1Транзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Ciss, пФ @ Uds, В = 47 @ 10, Qg, нКл = 0,34 @ 4,5 В, Rds = 350 мОм @ 950 мA, 4,5 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 1,6 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id = 950 мА, 530 мА,...SKU: 111266 Виробник: Vishay Semiconductor Корпус: PG-SOT363-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS8402DW-7-FТранзистор польовий N+P, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,25, Udss, В = 60, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 @ 250 мкА, Id2 = 115 мА,...SKU: 52910 Виробник: Vishay Semiconductor Корпус: SC70-6
|
|
Є на складі: 180 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSS8402DW-7-FТранзистор польовий N+P, Udss, В = 60, 50, Id = 115 мА, 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, 45 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 50 мА, 5 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 133042 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-363
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMC2038LVT-7Транзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 3,7, Ciss, пФ @ Uds, В = 530pF @ 10V, Qg, нКл = 17, Rds = 35 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 109496 Виробник: Diodes INC. Корпус: TSOT-23-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMC25D0UVT-7Транзистор польовий N+P, Ciss, пФ @ Uds, В = 26,2 @ 10, Rds = 4Ohm @ 400 мA, 4,5 В, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, U = 25, 30 В, I = 0,4 А, 3,2 А,...SKU: 116103 Виробник: Diodes INC. Корпус: TSOT-23-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMC3025LSD-13Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 501 @ 15, Rds = 20 мОм @ 7,4 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 4,2 А,...SKU: 106499 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
DMP2075UFDB-7Транзистор польовий 2P, Udss, В = 20, Id = 3,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 642 @ 10, Qg, нКл = 8,8, Rds = 75 мОм, Ugs(th) = 1,4, Р, Вт = 0,7, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 135408 Виробник: Diodes INC. Корпус: UDFN-6 (Exp. Pad)
|
|
Є на складі: 200 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMPH6050SSD-13Транзистор польовий 2P, Udss, В = 60, Id = 5,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1525, Qg, нКл = 14,5, Rds = 48 мОм, Ugs(th) = 3, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,...SKU: 135489 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOIC-8
|
|
Очікується: 100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
FDC6318PТранзистор польовий N+P, Udss, В = 12, Id = 2,5, Ciss, пФ @ Uds, В = 455 @ 6, Qg, нКл = 8, Rds = 90 мОм, Ugs(th) = 1,5, Р, Вт = 0,7, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 119895 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SSOT-6
|
Ціна потребує уточнення | Очікується: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FDC6333CТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 2,5 А, Ptot, Вт = 0,7, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 282 @ 15, Qg, нКл = 6.6 @ 10 В, Rds = 95 мОм @ 2.5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,...SKU: 65641 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SSOT-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FDC638PТранзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 4,5 А, Ptot, Вт = 0,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 10, Qg, нКл = 14 @ 4,5 В, Rds = 48 мОм @ 4,5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 @ 250 мкА, td(on)+tr = 12 нс, td(off)+tf = 33 нс,...SKU: 79021 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SSOT-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FDC6420CТранзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 3, Ptot, Вт = 0,7, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 324 @ 10, Qg, нКл = 4,6 @ 4,5 В, Rds = 70 мОм @ 3 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 5 нс, td(off)+tf = 13 нс,...SKU: 48492 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SSOT-6
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FDS4559Транзистор польовий N+P, Udss, В = 60, Id = 4,5 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 18 @ 10 В, Rds = 55 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 11 нс, td(off)+tf = 19 нс, I2 = 3...SKU: 78915 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
FDS6982ASСдвоенные N -канальные ПТ, Id = 6,6 A, Ptot, Вт = 2, Udss, В = 20,...SKU: 51008 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SO-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
FDS8858CZТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 7,3 А, Qg, нКл = 24, Rds = 17 мОм, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 0,9 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, ton = 20 нс, toff = 20 нс,...SKU: 56781 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
IRF7105Транзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Id2 = 2,3 А,...SKU: 408 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7105PBFТранзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Id2 = 2,3 A,...SKU: 30256 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7105PBFТранзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, I2 = 2,3 А,...SKU: 49004 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7307PBFТранзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 5,2 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15, Qg, нКл = 20 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 9, td(off)+tf = 32, Id2 = 4,3...SKU: 6280 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 61 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7307TRТранзистор польовий 2N, Udss, В = 20, Id = 5,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 660, 610, Qg, нКл = 20, 22, Rds = 53, 100 мОм, Ugs(th) = 700 мВ, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 129845 Корпус: SOIC-8
|
|
Є на складі: 300 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
IRF7307TRPBFN-канальный и P-канальный ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 пФ @ 15 В, Qg, нКл = 20 @ 4.5 В, Rds = 50 мОм @ 2.6 A, 4.5 В, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 64342 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 40 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7309PBFТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15, Qg, нКл = 25 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3 A,...SKU: 49005 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7309TRPBFТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15, Qg, нКл = 25 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3 A,...SKU: 44740 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7317Транзистор польовий N+P, Udss, В = -20, Id = 6,6 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 900 @ 15 & 470 @ -17, Qg, нКл = 28, Rds = 0,023 & 0,049 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 & -0,7 В,...SKU: 9813 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF7317PBFТранзистор польовий N+P, Udss, В = -20, Id = 6,6, Ciss, пФ @ Uds, В = 900 @ 15, Qg, нКл = 28, Rds = 0,023 & 0,049 Ом, Ugs(th) = 0,7 & -0,7 В, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 104106 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
IRF7319PBFТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, 4,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 12778 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7343PBFТранзистор польовий N+P, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4.7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3,4 А,...SKU: 66581 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 65 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 95 |
|
|||||||||||||
IRF7343TRPBFТранзистор польовий N+P, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3,4 А,...SKU: 17544 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: SOICN-8
|
|
Очікується: 7350 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7507PBFТранзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 2,4 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 260 @ 15, Qg, нКл = 8 @ 4,5 В, Rds = 140 мОм @ 1,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА, Id2 = 1,7 А,...SKU: 72257 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: MICRO-8
|
|
Є на складі: 49 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7509TRТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 2,7 А, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 210 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 110 мОм @ 1,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 2 А,...SKU: 7977 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: MICRO-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
IRF7509TRPBFТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 2,7 A, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 210 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 110 мОм @ 1,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 9,7 нс, td(off)+tf = 19 нс, І...SKU: 26147 Виробник: International Rectifier/Infineon Корпус: MICRO-8
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
NX6020CAKSXТранзистор польовий N+P, Udss, В = 60, Id = 170 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 17 @ 10, 36 @ 25, Qg, нКл = 0,43, 0,35, Ugs(th) = 2,1 В, Р, Вт = 0,33, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 124898 Виробник: Nexperia Корпус: SOT-363
|
|
Є на складі: 411 Очікується: 20 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
QH8MA2TCRТранзистор польовий N+P, Id, A = 4.5, 3, Udss, В = 30, Ciss, пФ @ Uds, В = 365 @ 10, Qg, нКл = 8,4 @ 10 В, Rds = 35 мОм @ 4.5 А, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 1 мА, Р, Вт = 1,25, Тексп, °C = -55...+150, ton = 7,2, toff = 12,...SKU: 124718 Виробник: Rohm Корпус: TSMT-8
|
|
Є на складі: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SI4532ADYТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30 & -30, Id = 3,9 А, Ptot, Вт = 1,2, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 8 & 10, Rds = 44 & 62 мОм, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 & -1 В, td(on)+tr = 12 нс, td(off)+tf = 23 нс,...SKU: 7622 Виробник: Vishay Semiconductor Корпус: SO-8
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
SQ1563AEH-T1_GE3Транзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 850 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 89 @ 10, 84 @ 10, Qg, нКл = 1,25 @ 4,5 В, 1,33 @ 4,5 В, Rds = 280 мОм @ 850 мA, 4,5 В, 575 мОм @ 800 мA, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт...SKU: 103312 Виробник: Vishay Semiconductor Корпус: PowerPAKSC70-6 Dual
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
UT6MA2TCRТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Qg, нКл = 4,3, 6,7, Rds = 46, 70 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 2, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,...SKU: 132752 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: PowerUDFN-6
|
|
Є на складі: 18 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
ZXMHC10A07N8TCТранзистор польовий 2N+2P, Udss, В = 100, Id = 800 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 138 @ 60, Qg, нКл = 2,9 @ 10 В, Rds = 700 мОм @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,87, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 680 мА,...SKU: 112760 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOICN-8
|
|
Є на складі: 15 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
BCR 133 E6327Транзистор цифровий smd, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 130, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 38728 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCR 135 E6327Транзистор цифровий smd, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 150, hFE = 70 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 мА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 10, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 43582 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCR 185W E6327Транзистор цифровий smd, Тип стр. = PNP, Ic = 0,1, ft, МГц = 200, hFE = 70 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150,...SKU: 40585 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-323-3
|
|
Є на складі: 8190 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCR 503 E6327Транзистор цифровий, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,5, ft, МГц = 100, hFE = 40 @ 50 мA, 5 В, Ptot, Вт = 0,33, R1, кОм = 2,2, R2, кОм = 2,2, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 72107 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 2825 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCR 562 E6327Транзистор цифровий smd, Структура = PNP, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,5, ft, МГц = 150, hFE = 60 @ 50 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Ptot, Вт = 0,3, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 4,7, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 72757 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 2880 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCR112E6327HTSA1Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 100 мА, ft, МГц = 140, Icutoff-max = 100 нА, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 4,7, Uсe, B = 0,3, Р, Вт = 0,2,...SKU: 114570 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCR133E6327HTSA1Транзистор цифровий smd, Тип стр. = NPN, Ic = 100 мА, ft, МГц = 130, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -65...+150,...SKU: 104877 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1863 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCR135E6327HTSA1Транзистор цифровий smd, Тип стр. = NPN, Ic = 100 мА, ft, МГц = 150, hFE = 70 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -65...+150,...SKU: 112359 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DDTC143ZCA-7-FЦифровой транзистор, ft,МГц =250, Ic,А =0,1, Ptot,Вт =0,2, R1,кОм =4,7, R2,кОм =47, Vceo, В =50, Проводим. NPN, Т, °С =-55 ... +150, Транзистор NPN цифровой, hFEmin.=80 @ 10mA, 5V, SOT-23-3,...SKU: 55791 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DTA114EETLТранзистор цифровий smd, Структура = PNP, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 250, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 500 нА, Ptot, Вт = 0,15, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 31949 Виробник: Rohm Корпус: SOT-416
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DTC114EET1GТранзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, hFE = 35 @ 5 мA, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 мкA, 10 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,2 Вт, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 32935 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SC75/SOT-416
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DTC123EKAT146Транзистор цифровий, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 250, hFE = 20 @ 20 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 мА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 2,2, R2, кОм = 2,2, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 90352 Виробник: Rohm Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1685 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DTC124XET1GТранзистор NPN цифровой (Uce=50V, Ic=100mA, R1=22K, R2=47K, B>80 (150 typ) @I=5mA, P=200mW, -55 to +150C)....SKU: 26439 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SC-75
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DTC143TKAT146Транзистор цифровий, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 1 мA, 5 В, Icutoff-max = 500 нА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 4,7, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 250 мкA, 5 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 47455 Виробник: Rohm Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DTC143ZET1GТранзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, ft, МГц = 250, hFE = 80 @ 10mA, 5V, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = .25, Uсe, B = 50, Опис Транзистор цифровий, Р, Вт = 0.2, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 122458 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SC-75
|
|
Є на складі: 85 Очікується: 400 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DTC144EKAT146Транзистор цифровий, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 250, Icutoff-max = 0,5 мкА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 47, R2, кОм = 47, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 39393 Виробник: Rohm Корпус: SC-59
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DTC144WKAT146Транзистор цифровий, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,03, ft, МГц = 250, hFE = 56 @ 5 мА, 5 В, Icutoff-max = 500 нА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 47, R2, кОм = 22, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.3 @ 10 мА, 500 мкА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 83016 Виробник: Rohm Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MUN5235DW1T1GТранзистор подвоєний цифровий smd, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, hFE = 80 @ 5 мА, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 2,2, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 мкA, 10 мA, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 74329 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-363
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
NSVMUN5333DW1T1GТранзистор цифровий smd, Тип стр. = 1 NPN, 1 PNP, Ic = 100 мА, hFE = 80 @ 5 мA, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 1 мА, 10 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25,...SKU: 119235 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TSSOP-6
|
|
Є на складі: 99 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PDTA114ET,215Транзистор цифровий smd, Структура = PNP, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Ptot, Вт = 0,25, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 50135 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PDTC114EE,115Транзистор NPN (Uce=50V, Ic=0.05A, P=150mW, f=250MHz, -55 to +150C)....SKU: 41265 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-416 (SC-75)
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1000 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PDTC114EK, 115Транзистор NPN (Uce=50V, Ic=0.05A, P=150mW, f=250MHz, -55 to +150C)....SKU: 43797 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-416 (SC-75)
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PDTC114ET,215Транзистор цифровий SMD, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Ptot, Вт = 50, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 50154 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PDTC114YT,215Транзистор цифровий smd, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, hFE = 100 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Ptot, Вт = 0,25, R1, кОм = 10, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,1 @ 250 мкA, 5 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 77670 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
PDTC114YU,115Транзистор цифровий smd, Тип стр. = NPN, Ic = 100 мА, ft, МГц = 230, hFE = 100 @ 5 мА, 5 В, R1, кОм = 10, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,1 @ 250 мкА, 5 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,2,...SKU: 119236 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-323
|
|
Є на складі: 9 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PDTC123EU,115Транзистор цифровий, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, Тип монт. = smd, hFE = 30 @ 20 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 2,2, R2, кОм = 2,2, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 500 мкA, 10 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 89422 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-323-3
|
|
Є на складі: 215 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PDTC143ET,215Транзистор цифровий smd, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, hFE = 30 @ 10 мА, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Ptot, Вт = 0,25, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 4,7, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 73648 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PDTC143XT,215Транзистор цифровий smd, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, hFE = 50 @ 10 мА, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Ptot, Вт = 0,25, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,1 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 63403 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PDTC143ZT,215Транзистор цифровий smd, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, ft, МГц = 230, hFE = 100 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,1 @ 250 мкA, 5 мA, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150,...SKU: 62949 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PDTC144EK,115Транзистор цифровий, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, Ptot, Вт = 0,25, R1, кОм = 47, R2, кОм = 47, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 27773 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SMT-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 9000 |
|
|||||||||||||
PDTC144ET,215Транзистор цифровий, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, hFE = 80 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Ptot, Вт = 0,25, R1, кОм = 47, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 500 мкA, 10 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 97743 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SMT-3
|
|
Є на складі: 126 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PDTD113ZT,215Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 500 мА, hFE = 70 @ 50 мA, 5 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 1, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150,...SKU: 113790 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 389 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PDTD123ET,215Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, hFE = 40 @ 50 мA, 5 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 2,2, R2, кОм = 2,2, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мА, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 52571 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1000 MPQ: 3000 |
|












