Фільтр по характеристикамПоказати (309)
| Фото | Опис | Ціни | Склад | |||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SC2712-GRTE85LFТранзистор NPN, Ptot, Вт = 150 мВ, Uceo, В = 50, Ic = 150 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 80,...SKU: 50807 Виробник: Toshiba Корпус: TO-236MOD
|
|
Є на складі: 2820 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2SC3648T-TD-EТранзистор NPN, Uceo, В = 160, Ic = 700 мА, ft, МГц = 120, hFE = 100 @ 100 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 400mV @ 25 мA, 250 мА, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,...SKU: 107788 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-89-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
2SC5707-TL-EТранзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 8 А, ft, МГц = 330, hFE = 200 @ 500 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,24 @ 175 мA, 3,5 А, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 104612 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TP-FA-2
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
BC 847C E6327Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 47973 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23
|
|
Очікується: 4000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-16Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 0,8 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мА, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 124724 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 896 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-16,215Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 21515 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 44 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-16LT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 99809 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 51 Очікується: 100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-25Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,31, Uceo, В = 45, Ic = 800 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 160/40 @ 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 64943 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 8795 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-40Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 69724 Виробник: Kingtronics Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-40Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 800 мА, ft, МГц = 100, hFE = 250...630, Р, Вт = 0,31,...SKU: 114354 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-40Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 136022 Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-40,215Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 3458 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-40,235Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 66874 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BC817-40LT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 66750 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-40LT3GТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Р, Вт = 0,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 57248 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BC817-40WТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 102712 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-323
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-40WТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, ft, МГц = 100, hFE = 250, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7, Р, Вт = 200, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 123100 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-323
|
Ціна потребує уточнення | Є на складі: 4500 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC817-40W_R2_00001Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 300 мА,...SKU: 114328 Виробник: PanJit Корпус: SOT-323
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 12000 |
|
|||||||||||||
BC817,215Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.7 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 63859 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC818-40LT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 25, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 79423 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846/T1Транзистор NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=250mW, B=110-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to +150C)....SKU: 13819 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846AТранзистор NPN, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, ft, МГц = 300, hFE = 110, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.6 мВ@ 100mA, 5mA, Опис Транзистор NPN, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -55,,,+150,...SKU: 135358 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846A,215Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мА. 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 83314 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846ALT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 88537 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 3935 Очікується: 3000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846BТранзистор NPN, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 300 @ 5 В, 10 А, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,58 @ 2 мА, 5 В, Р, Вт = 0,2 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 73645 Виробник: Kingtronics Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 110 @ 2 мА, 5 В, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 55787 Виробник: KEC Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 6 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846BТранзистор NPN, Тип монт. = smd,...SKU: 54543 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 777 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846B,215Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 32680 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 767 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846B,235Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 57830 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BC846BE6327Транзистор NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -55 to +150C)....SKU: 28148 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BC846BLT1GТранзистор NPN, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 185 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846BT1(microSOT-23)Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200...290 @ 2 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 13518 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: microSOT-23
|
|
Є на складі: 25973 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846BWТранзистор...SKU: 27504 Виробник: NXP/Nexperia/We-En |
|
Є на складі: 97 Очікується: 100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846CТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 420/800 @ 2, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 66724 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 9 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC846S.115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 110 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 100 мА, 5 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 87071 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-363
|
|
Є на складі: 130 Очікується: 100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)....SKU: 40591 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847AТранзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to, ft,МГц = x, Ic = x, Ptot,Вт = 300 mW, VCEO,В = x, Тип монт. = smd,...SKU: 55168 Виробник: Taiwan Semiconductor Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847AТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 27138 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847AТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 300, hFE = 110...120, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 112059 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 343 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847ALT1GТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 40795 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847BТранзистор NPN (, Тип монт. = smd,...SKU: 53013 Виробник: KEC Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, hFE = 290, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 97771 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 280 @ Vce = 5 V, Ic = 10 uA, Icutoff-max = 15 нА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 26020 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23
|
|
Є на складі: 11 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847B,215Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 66418 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847B,235Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 101480 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 188 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BC847BDW1T1GТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, hFE = 200 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,38 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, 2 NPN (здвоєний),...SKU: 94088 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-363
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847BLT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 9870 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847BLT3GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 46685 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BC847BSПодвоєний транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,21, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 22458 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-363
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BC847BS-13-FПодвоєний транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 0,1 А, ft, МГц = 100, hFE = 200...450, Icutoff-max = 5 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 100 мА, 5 мА, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -65...+150,...SKU: 125250 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-363
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BC847BS-7-FПодвоєний транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,21 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 69758 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-363
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847BS-TP2 транзистори NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 200, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 113961 Виробник: Micro Commercial Components Корпус: SOT-363
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847BTT1GТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 124972 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SC-75-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847BWT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,15, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 62940 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-323
|
|
Є на складі: 779 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847CТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, hFE = 520, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 100182 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 11049 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847CТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,2 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 4032 Виробник: Kingtronics Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847C,235Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.4 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 4749 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BC847CB5003Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, Icutoff-max = 15 нА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 53435 Виробник: KEC Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847CLT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 96514 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 104 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC847CW,115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,2, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 66076 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-323
|
|
Є на складі: 2900 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC848AE6327Транзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 250, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,33 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 93294 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC848CТранзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 300, Р, Вт = 0,31 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 52160 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 30 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC848CLT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 186 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC849B,215Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 61556 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1995 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC849BLT1GТранзистор NPN, ft,МГц =100, Ic =100mA, Ptot,Вт =225mW, VCEO,В =30, Тип монт. smd,...SKU: 53855 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC849CE6327Транзистор NPN, ft,МГц = 250 MHz, Ic = 100 mA, Ptot,Вт = 250 mW, VCEO,В = 30 V, Тип монт. = smd,...SKU: 54295 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC849CLT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 64025 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 3192 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC850BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200/450 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 65341 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 624 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC850BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,35, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 200 @ 2 А, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 56919 Виробник: KEC Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 16 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC868,115TRANSISTOR NPN 20V 1A...SKU: 39967 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-89
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCM61B,215Подвоєний транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,39, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 62941 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-143B
|
|
Є на складі: 47 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCM847DS,115Подвоєний транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,38, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 72356 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: TSOP-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCP 55 E6327Транзистор NPN, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 60, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 40 @ 15 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65..+150,...SKU: 12392 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-223-4
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP54-16,115Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 1 А, ft, МГц = 180, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 0,96 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 86256 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP54-16,135Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,96, Uceo, В = 45, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 180, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 34484 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
BCP54,115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 45, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 180, hFE = 63 @ 15 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 68699 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP54TAТранзистор NPN, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 45, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 150, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 98334 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP55-10Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,65, Uceo, В = 60, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 180, hFE = 105 @ 150 mA, 2 V, Icutoff-max = 100 нА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 47155 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 55 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP55-16Транзистор NPN (Uce=60V, Ic=1A, P=1.0W, B=100-250@I=150mA, f>100MHz, -65 to +150C)....SKU: 20300 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP55,115Транзистор NPN, Uceo, В = 60, Ic = 1 A, ft, МГц = 180, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 1,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 62926 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP56-16,135Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 180, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,96, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 120213 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 385 Очікується: 2000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
BCP56-16T1Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 180, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 0,96 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 38870 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 9 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP56-16T1Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 19223 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP56-16T1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 60861 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP56-16T3GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 70959 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 94 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
BCP56-16TXТранзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 180, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 1,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 89268 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP56,115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,96, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 180, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 39366 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP5616H6327XTSA1Транзистор NPN, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 92951 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP5616TAТранзистор NPN, Uceo, В = 80, hFE = 250, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50мА, 500мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 113650 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 1055 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP56T1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 40 @ 150 мА, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 3793 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 380 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP68-25Транзистор NPN (Uce=20V, Ic=1A, P=1.0W, B=160-375@I=0.5A, f>40MHz, -65 to +150C)....SKU: 20419 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BCP68-25,115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,65, Uceo, В = 20, Ic = 2 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 170, hFE = 160 @ 500 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 200 мA, 2 А, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 88231 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP68,115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,4, Uceo, В = 20, Ic = 1 A, Тип монт. = smd, ft, МГц = 170, hFE = 85 @ 500 мА, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 62917 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCP68T1Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 20, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 60, hFE = 85 @ Ic = 500 mA, Vce = 1 V, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 6567 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BCV 61B E6433Подвоєний транзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 46461 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-143-4
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCV61B,215Подвоєний транзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, Тексп, °С = -65...+150, для струмового дзеркала,...SKU: 75348 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-143B
|
|
Є на складі: 147 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCV61BE6327Подвоєний транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 59391 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-143-4
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCV61CПодвоєний транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 520 @ Ic = 2 mA, Vce = 5 V, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 45382 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-143
|
|
Є на складі: 90 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCV61C,215Подвоєний транзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 420, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 129950 Виробник: Nexperia Корпус: TO-253-4
|
|
Є на складі: 2240 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCW32LT1Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, -55 to +150C)....SKU: 188 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
BCW33Транзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 0,1, ft, МГц = 100, hFE = 600 @ Ic = 10 uA, Vce = 5 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 15708 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCW33,215Транзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.21 @ 2.5 мA, 50 мA, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 61815 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCW33LT1Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, -55 to +150C)....SKU: 189 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCW33LT1GТранзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, hFE = 420...800 @ Ic = 2 mA, Vce = 5 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 22926 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCW33LT3GТранзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 500, 10, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 134548 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BCX41E6327Транзистор NPN, Ptot,Вт = 0.33, VCEO,В = 125, Ic = 800 мА, Тип монт. = smd, ft,МГц = 100, hFE = 40 @ 200 мА, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, VCEO(sat),В @ Ic, Ib = 0.9 @ 30 мА, 300 мА, Тэксп, °С = -65...+150,...SKU: 63381 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23
|
|
Є на складі: 40 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCX41E6327HTSA1Транзистор NPN, Uceo, В = 125, Ic = 800 мА, ft, МГц = 100, hFE = 40, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,9 @ 30 мА, 300 мА, Р, Вт = 0,33, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,...SKU: 130640 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BCX54-16,115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 45, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 180, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 83363 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-89-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCX54,115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 45, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 180, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 61284 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-89-3
|
|
Є на складі: 17 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCX55...SKU: 25160 Виробник: NXP/Nexperia/We-En |
|
Є на складі: 34 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCX55-16TFТранзистор NPN, Uceo, В = 60, Ic = 1 А, ft, МГц = 155, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 121866 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-89
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
BCX56Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 80, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 2 В, 500 мА, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 500 мА, 50 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 88269 Виробник: LGE Корпус: SOT-89-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCX56-16Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 180, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 1,25, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 31806 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-89-3
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCX56-16Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 130, hFE = 100, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 134939 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-243AA
|
|
Очікується: 50 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCX68-25E6327Транзистор NPN, Uceo, В = 20, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ Ic = 500 mA, Vce = 1 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 3 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 48137 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-89-3
|
|
Є на складі: 18 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BCX70JТранзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)...SKU: 46799 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BF622,115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 250, Ic = 50 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 60, Icutoff-max = 10 нА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 29378 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-89
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BF771E6327Транзистор NPN (Uce=12V, Ic=80mA, P=580mW, B>50@I=30mA, -65 to +150C)....SKU: 42705 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BF820,215Транзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 50 мА, hFE = 50 @ 25мА, 20 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.6V @ 5мА, 30 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 57442 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 2720 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BF822Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 250, Ic = 50 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 60, Icutoff-max = 10 нА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 13557 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BF822,215Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 250, Ic = 50 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 60, Icutoff-max = 10 нА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 85587 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BFS17AТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 15, Ic = 25 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 2 800, hFE = 90 @ Ic = 25 ma, Vce = 1 V, Icutoff-max = 50 нА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 16451 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BFS17PE6327Транзистор NPN, Uceo, В = 0,3, Ic = 25, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 104088 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1840 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BFS17T116Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,2, Uceo, В = 15, Ic = 50 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 1 000, Icutoff-max = 100 нА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 26111 Виробник: Rohm Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BFS481H6327XTSA1Транзистор NPN, Uceo, В = 0,3, Ic = 25, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 125363 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BFS481H6327XTSA1Транзистор NPN, Uceo, В = 12, Ic = 20 мА, ft, МГц = 8 000, hFE = 70, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,175, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 125364 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-363
|
|
Є на складі: 62 Очікується: 250 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BSV52.215Транзистор NPN, Uceo, В = 12, Ic = 100 мА, ft, МГц = 500, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150,...SKU: 47001 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 48 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DCP56-13Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 200, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 79197 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DDTC114ECA-7-FТранзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, ft, МГц = 250, hFE = 30, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0,2, Тип монт. = на плату,...SKU: 136138 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DDTC114EKA-7-FТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,2, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 30 @ 5 мА, 5 В, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.3 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 63191 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DDTD113ZC-7-FТранзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, ft, МГц = 200, hFE = 56, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 50 мА, 2,5 мА, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 123383 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 88 Очікується: 100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
DMMT5551-7TRANS MATCHED NPN 300MW SOT26...SKU: 43942 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-26
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
F ZT751Транзистор PNP (Uce= 60V, Ic= 3A, P= mW, -55 to +150C, SOT - 223)....SKU: 43465 Виробник: Zetex Semiconductors Корпус: SOT - 223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
F ZT761Транзистор PNP (Uce= 60V, Ic= 3 A, P= 2W, -55 to +150C, SOT - 223)....SKU: 43466 Виробник: Zetex Semiconductors Корпус: SOT - 223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
FMMT494QTAТранзистор NPN, Uceo, В = 120, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,...SKU: 122730 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FMMT619TAТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 50, Ic = 2 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 165, hFE = 200 @ 1 А, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.22 @ 50 мА, 2 А, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 46101 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FZT1053ATAТранзистор NPN, Ptot, Вт = 2,5, Uceo, В = 75, Ic = 4,5 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 140, hFE = 300 @ 500 мA, 2 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,44 @ 200 мA, 4,5 A, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 79810 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FZT651Транзистор NPN (Uce=60V, Ic=3A, P=2W, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)....SKU: 43468 Виробник: Zetex Semiconductors Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
FZT653TAТранзистор NPN, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 100, Ic = 2 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 175, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 @ 200 мА, 2 А,...SKU: 82436 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 6000 |
|
|||||||||||||
MBT2222ADW1T1GТранзистор NPN PB-Free, (Uce=40V, Ic=0.6A, P=150mW, B=100-300@I=150mA, f>300MHz, SOT-363,-55 to +150C)....SKU: 35754 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-363
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MJB41CT4GТранзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 6 А, ft, МГц = 3, hFE = 15 @ 3 A, 4 В, Icutoff-max = 700 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 600 мA, 6 A, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 117709 Виробник: ON Semiconductor Корпус: D2PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 800 |
|
|||||||||||||
MJD31CGТранзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 3, ft, МГц = 3, hFE = 10 @ 3А, 4В, Icutoff-max = 50 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1.2 @ 375мА, 3А, Р, Вт = 1,56, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 123781 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
MJD31CT4GТранзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 3 А, ft, МГц = 3, hFE = 10 @ 3 A, 4 В, Icutoff-max = 50 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,2 @ 375 мA, 3 A, Р, Вт = 1,56, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 115716 Виробник: ON Semiconductor Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
MJD340GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 10, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 мкА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 78377 Виробник: ON Semiconductor Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
MJD340T4Транзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, hFE = 30...240, Р, Вт = 15, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,...SKU: 118759 Виробник: STMicroelectronics Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
MJD340T4GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 мкА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 12397 Виробник: ON Semiconductor Корпус: D-PAK
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
MJD44H11GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 85, hFE = 40@ 4А, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 А, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 58151 Виробник: ON Semiconductor Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 75 |
|
|||||||||||||
MJD44H11TMТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 4 А. 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A, Тексп, °С = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 53457 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: D-PAK
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2500 |
|
|||||||||||||
MMBT2222AТранзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 600 мА, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 150 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 62491 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
MMBT2222A,215Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мА, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,...SKU: 116585 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
MMBT2222ALT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 61833 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBT2222AWT1GТранзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 0,15 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 25696 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-323
|
|
Є на складі: 8880 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
MMBT2222LT1Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)....SKU: 19372 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 |
|
|||||||||||||
MMBT3904Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, hFE = 100/300 @ 10, Р, Вт = 0,25 Вт,...SKU: 66693 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBT3904,215Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 0,2 А, ft, МГц = 300, Опис Транзистор NPN, Р, Вт = 0.25,...SKU: 134068 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 398 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBT3904LP-7BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мA, 50 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 96563 Виробник: Diodes INC. Корпус: DFN1006-3
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
MMBT3904LT1GТранзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мА, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.3 @ 5 мА, 50 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 29850 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 74 Очікується: 4 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBT3904TТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мА, 50 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 97084 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-523F
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBT3904T-7-FТранзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100, Icutoff-max = 200 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 127386 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-523
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBT4401LT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 150 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,75 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 40651 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBT5551LT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 160, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, hFE = 80 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 23606 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 281 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBT8099LT1GТранзистор NPN (Uce=80V, Ic=0.5A, P=250mW, hfe>40 , f>400MHz, -65 to +150C)....SKU: 47002 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
MMBT9018Транзистор NPN, Uceo, В = 15, Ic = 0,05 А, Опис Транзистор NPN,...SKU: 134786 Виробник: Semtech Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBTA06LT1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 22995 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 16 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBTA42Транзистор NPN, Ptot,Вт = 0.35, VCEO,В = 500 мВ @ 2 мA, 20 мA, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft,МГц = 50, hFE = 40 @ 30 мA, 10 В, VCEO(sat),В @ Ic, Ib = 300, Тэксп, °С = -65...+150,...SKU: 60200 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMBTA42LT1Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 30 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мA, 20 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 611 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10 |
|
|||||||||||||
MMBTA42LT1GТранзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 30 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мA, 20 мA, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 20299 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MMSS8050-H-TPТранзистор NPN, Uceo, В = 25, Ic = 1,5 А, ft, МГц = 100, hFE = 120 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 80 мA, 800 мА, Р, Вт = 0,625, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 102475 Виробник: Micro Commercial Components Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MUN5211DW1T1GТранзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5 мА, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 250 мВ @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0.25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 133046 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-363
|
|
Є на складі: 2800 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MUN5211T1GТранзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5мА, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 250 @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0,202, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,...SKU: 134104 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-323
|
|
Очікується: 500 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
MUN5311DW1T2GТранзистор NPN подвоєний, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25, Р, Вт = 0,25, Тип монт. = SMD,...SKU: 135234 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-363
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
NE85634-T1-AТранзистор, Тип монт. smd, VCEO,В 12V, Ic 100mA¶, Ptot,Вт 2W, ft,МГц 6.5GHz,...SKU: 53427 Виробник: NEC Electronics America Корпус: SOT-89
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
NZT560AТранзистор NPN (Uce=60V, Ic=3A, "low saturation" - Vcesat75MHz, -55 to +150C)....SKU: 20690 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 147 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
PBHV8115Z,115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,4, Uceo, В = 150, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 30, hFE = 50 @ 500 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,35 @ 200 мА, 1 А, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 69339 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-323
|
|
Є на складі: 314 Очікується: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
PBSS4540Z,115Транзистор NPN, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 40, Ic = 5 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 250 @ 2 A, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,355 @ 0.5 A, 5 A, Тексп, °С = -40...+150,...SKU: 68309 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
PDTC123ET,215Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,35, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, hFE = 30 @ 20 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.15 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 65714 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PMBT2369,215Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 15, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 500, hFE = 40 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 1 мA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 26123 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 14 Очікується: 30 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PMBT3904,215Транзистор NPN , Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 51330 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
Ціна потребує уточнення | Очікується: 210 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PMBTA06,215Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 29776 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PMP4201Y,1152 транзистори NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 250, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,...SKU: 118546 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: TSSOP-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
PZTA42T1GТранзистор NPN високовольтний, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 300, Ic = 50 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 30 мА, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мА, 20 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 33208 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
|
|
Є на складі: 8402 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
SBC847CDW1T1G2-канальний транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,38, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 39003 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TSSOP-6
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SMBT2222AE6327HTSA1Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,33, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,...SKU: 113092 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 1000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SMBTA 06 E6327Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ Ic = 100 mA, Vce = 1 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,3 Вт, Тексп, °C = -65...150, Тип монт. = smd,...SKU: 54983 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 8422 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 6000 |
|
|||||||||||||
SMBTA42Транзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 70, hFE = 40 @ 30 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мA, 20 мА, Р, Вт = 0,36, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 15315 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 140 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
SS8050-GТранзистор NPN, Uceo, В = 25, Ic = 1,5 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 50 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,...SKU: 115316 Виробник: Comchip Technology Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 3000 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
STN83003Транзистор NPN, Uceo, В = 400, Ic = 1,5 А, hFE = 16 @ 350 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 500 мА, Р, Вт = 1,6, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 101152 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-223
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
ZXTN2020FTAТранзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, ft, МГц = 130, hFE = 100 @ 1 А, 2 В, Icutoff-max = 20 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 400 мA, 4 А, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 118560 Виробник: Diodes INC. Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2N2219AТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,8, Uceo, В = 40, Ic = 800 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 250, hFE = 40 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+200, Аналог КТ630Б,...SKU: 79952 Виробник: Central Semiconductor Corp. Корпус: TO-39-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
2N2222AТранзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.3A, P=0.5W, B=100-300@Ic=150mA, Ft=250 MHz, -65 to +200C)...SKU: 38214 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-18
|
|
Є на складі: 3618 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
2N2222AТранзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 0,8 А, ft, МГц = 300, Icutoff-max = 10 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -65...+200,...SKU: 125346 Виробник: CDIL Корпус: TO-18
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
2N2405Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 90, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 120, hFE = 60 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 15 мA, 150 мА, Тексп, °С = -65...+200,...SKU: 88421 Виробник: Central Semiconductor Corp. Корпус: TO-39-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
2N3055Транзистор NPN (Uce=100V, Ic=15A, P=115W, B=20-70, F=3 MHz, -65 to +200C), комплементарный MJ2955....SKU: 3847 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
2N3439Транзистор NPN, Uceo, В = 350, Icutoff-max = 20 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 @ 4, 50, Р, Вт = 0,2,...SKU: 114030 Виробник: CDIL Корпус: TO39
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
2N3904Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C)....SKU: 4668 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
2N3904Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 0,2 А, ft, МГц = 300, Р, Вт = 0,625, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 134618 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
2N3904BUТранзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100...300 @ Ic = 10 mA, Uce = 1 V, Icutoff-max = 50 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 26789 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 17 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
2N4401Транзистор NPN, Uceo, В = 60, Ic = 0,6 А, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 0,15, 0,015, Р, Вт = 0,625 Вт, Тип монт. = вивідний,...SKU: 67438 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
2N4401BUТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 150 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,75 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 79169 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 231 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
2N5320Транзистор NPN, Ptot, Вт = 10, Uceo, В = 75, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 50, hFE = 30 @ 500 мA, 4 В, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+200,...SKU: 88423 Виробник: Central Semiconductor Corp. Корпус: TO-39-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
2N5551Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 180, Ic = 600 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 80/125 @ 10 мА, Icutoff-max = 50 нА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 48 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 47 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
2N5551Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)....SKU: 7234 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
2N5551BUТранзистор NPN (Uce=160V, Ic=0.6A, P=625mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -55 to +150C)....SKU: 10043 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
2N5551RL1GТранзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)....SKU: 37821 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
2N6488GТранзистор NPN , Ptot, Вт = 75, Uceo, В = 80, Ic = 15, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 5, hFE = 150 @ Ic = 5, Uce = 4 V, Icutoff-max = 500 мкА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 52597 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
2N6491GТранзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 15 А, ft, МГц = 5, hFE = 5 @ Ic = 15, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3,5 @ 5 А, 15 А, Р, Вт = 1,8, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 121766 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220
|
|
Є на складі: 20 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
2N6545Транзистор NPN, Ptot, Вт = 125, Uceo, В = 400, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 28, hFE = 7 @ 5 A, 3 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 5 @ 2 A, 8 A, Тексп, °С = -65...+200, Аналог КТ812А,...SKU: 79955 Виробник: Central Semiconductor Corp. Корпус: TO-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
2SA1249Транзистор NPN...SKU: 47729 Виробник: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-126
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
2SC2383Транзистор NPN (Uce=160V, Ic=1A)...SKU: 47252 Виробник: Toshiba Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2SC2655-Y(TE6,F,M)Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,9, Uceo, В = 50, Ic = 2, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 70...240, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 1 0.05, Тексп, °С = -55...150,...SKU: 77865 Виробник: Toshiba Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
2SC3117SТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 180, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 120,...SKU: 47727 Виробник: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-126
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
2SC3325-Y,LFТранзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, ft, МГц = 300, hFE = 120 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,...SKU: 111799 Виробник: Toshiba Корпус: SOT-23-3
|
|
Є на складі: 147 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
2SC4138Транзистор NPN, Ptot, Вт = 80, Uceo, В = 400, Ic = 10 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 10, hFE = 10 @ 6 A, 4 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 1,2A, 6 A, Тексп, °С = -55...+150, Аналог КТ840А,...SKU: 4628 Виробник: Sanken Корпус: TO-3P
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 510 |
|
|||||||||||||
2SC4793Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SA1837....SKU: 3104 Виробник: Toshiba Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
2SC4793Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SA1837....SKU: 14816 Виробник: Toshiba Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
2SC4793(F,M)Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SA1837....SKU: 40093 Виробник: Toshiba Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
2SC4793(M)Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SA1837....SKU: 17118 Виробник: Toshiba Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
2SC5566-TD-EТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,3, Uceo, В = 50, Ic = 4 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 400, hFE = 200 @ 500 мA, 2 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,225 @ 100 мA, 2 A, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 96694 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-89-3 (PCP)
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
2SD8822SD882, PNP...SKU: 35199 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-126
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BC337Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, B=100-630@I=100mA, f=210MHz, -55 to +150C)....SKU: 4269 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
BC337-25Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, B=160-400@I=100mA, f=210MHz, -55 to +150C)....SKU: 6536 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
BC337-40Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 800 мА, ft, МГц = 100, hFE = 250/630 @ 100, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний, AMMO PACK,...SKU: 68691 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 198 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
BC337-40Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 0,8 A, ft, МГц = 250, hFE = 250 @ 100 мА, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.7@ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 59723 Виробник: KEC Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BC337-40GТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 800 мА, ft, МГц = 210, hFE = 250 @ 100 мА, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 8212 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BC489AZL1Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, ft, МГц = 200, hFE = 160 @ Ic = 100 mA, Uce = 2 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 7601 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 38 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC517Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)....SKU: 15916 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 |
|
|||||||||||||
BC546Транзистор NPN , Тип монт. выводной, VCEO,В 65, Ic 0,1A, Ptot,Вт 0.625, hFE 200-450@I=2mA, ft,МГц 150, Тэксп,С -55 to +150C,...SKU: 54401 Виробник: KEC Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BC546ABUТранзистор NPN, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 107454 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 10000 |
|
|||||||||||||
BC546BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 200...450 @ 5 В, 2 мА, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 10 мА, 0,5 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 47544 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BC546BТранзистор NPN, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200...450, Тексп, °C = -65...+150,...SKU: 108344 Виробник: CDIL Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BC546BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = smd, ft, МГц = 150, hFE = 200/450 @ 2 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 62902 Виробник: KEC Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BC546B A1Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 80, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 450 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 86200 Виробник: Taiwan Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 4000 |
|
|||||||||||||
BC546B,116Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 38425 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 4 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BC546B,126Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 2008 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 195 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC546BTAТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 79529 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC546CТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 400, Icutoff-max = 2, Тексп, °С = -50...+150,...SKU: 69637 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
BC547AТранзистор NPN, Ptot,Вт = 0.625, VCEO,В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft,МГц = 300, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, VCEO(sat),В @ Ic, Ib = 0.3 @ 5 мА, 100 мА, Тэксп, °С = -65...+150,...SKU: 62327 Виробник: KEC Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC547AТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, VCEO, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 110/220 @ 2 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 43812 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Є на складі: 28 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC547BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 200 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 600 мВ @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 59278 Виробник: KEC Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC547BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 420/800 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 22757 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 80 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
BC547BТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd,...SKU: 87614 Виробник: Semtech Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC547BТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, hFE = 200...450, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -65...+150,...SKU: 112123 Виробник: CDIL Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BC547BZL1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 17534 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC547CТранзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 450 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,5 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 82666 Виробник: Kingtronics Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC547CТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 45, Ic = 200 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 200 @ 100 мА, Тексп, °С = -50...+150,...SKU: 55873 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC547C (формовані виводи)Транзистор NPN , Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, hFE = 520 @ Ic = 2 mA, Vce = 5 V, Icutoff-max = 15 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 51014 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 40 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BC547C,126Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 181 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC547CBKТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 420...800 @ 2 А, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 52837 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 5 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BC547CTAТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 78401 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 189 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC548BТранзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 300, hFE = 200 @ Ic = 100 mA, Vce = 5 V, Icutoff-max = 200 пА, Р, Вт = 0,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 32862 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 11 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
BC639Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 200, hFE = 40...250, Р, Вт = 0,8, 2,75, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 110766 Виробник: CDIL Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 244 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BC639-16ZL1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ 150 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 47473 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC63916_D27ZТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 11022 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC63916-D27ZТранзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 мВ @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тип монт. = вивідний,...SKU: 82544 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BC639GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 20402 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
BC639RL1GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 40 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 45885 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
BC857CТранзистор PNP, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 100 мА, 5 мА, Р, Вт = 0,2 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 4033 Виробник: Kingtronics Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
|||||||||||||
BD139Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 9822 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3)
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BD139-10Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 22908 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3)
|
|
Є на складі: 17 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BD139-10STUТранзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 63, Р, Вт = 12,5, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = вивідний, ізольований,...SKU: 112827 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-126ISO
|
|
Очікується: 500 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BD139-16Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 24699 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3)
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BD139-16STUТранзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 250 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 12,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний, ізольований,...SKU: 7765 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-126ISO
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 60 |
|
|||||||||||||
BD13910SТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 16302 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3)
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 250 |
|
|||||||||||||
BD13916STUТранзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 100 @ 15 мА, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 1,25, Тексп, °C = -55,,,+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 123390 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-126-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 60 |
|
|||||||||||||
BD139GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 33601 Виробник: ON Semiconductor Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3)
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BD179Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=3A, P=30W, B=40-250, f...SKU: 6194 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-126
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
BD179GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 30, Uceo, В = 80, Ic = 3 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 3, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,8 @ 100 мA, 1 А, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 99129 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-126-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
BD677AТранзистор NPN, Ptot, Вт = 40, Uceo, В = 60, Ic = 4, Тип монт. = вивідний, hFE = 750 @ 2 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,8 @ 40 мA, 2 А, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 9257 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-32
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
BU508DТранзистор NPN, Ptot, Вт = 125, Uceo, В = 1 500, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 7, Icutoff-max = 1 мА, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 11064 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-218
|
|
Є на складі: 60 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
BUX98AТранзистор NPN, Uceo, В = 450, Ic = 30 А, Icutoff-max = 2 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 5 В @ 5A, 24A, Р, Вт = 250, Тексп, °C = -65...+200, Тип монт. = вивідний,...SKU: 120042 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 20 |
|
|||||||||||||
D44H8Транзистор NPN, Ptot, Вт = 50, Uceo, В = 60, Ic = 10 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 4 A, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мA, 8 А, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 86000 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
FJAFS1720TUТранзистор NPN, Ptot, Вт = 60, Uceo, В = 800, Ic = 12, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 15, Icutoff-max = 0,1, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.25 @ 11, 5,...SKU: 82167 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-3PF-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
FJPF13007H2TUТранзистор NPN, Ptot, Вт = 40, Uceo, В = 400, Ic = 8, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 4, hFE = 28, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 2, 8,...SKU: 77858 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-220F
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
HD1750FXТранзистор NPN, Ptot, Вт = 75, Uceo, В = 800, Ic = 24 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 6,5 @ 12 A, 5 В, Icutoff-max = 200 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 3 A, 12 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 81792 Виробник: STMicroelectronics Корпус: ISOWATT-218
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
KSC2316YTAТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,9, Uceo, В = 120, Тип монт. = smd, ft, МГц = 120, hFE = 120 @ 100 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 98052 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 8 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
KSC2383YTAТранзистор NPN, Uceo, В = 160, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 160 @ 200 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1.5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,9 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 90175 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92L-3
|
|
Є на складі: 7 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
KSC3503DSТранзистор NPN, Ptot, Вт = 7, Uceo, В = 300, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 150, hFE = 60 @ 10 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 2 мA, 20 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 88817 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-126-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 250 |
|
|||||||||||||
KSE340STUТранзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Icutoff-max = 200 мкА, Р, Вт = 20 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 5330 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-126-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 60 |
|
|||||||||||||
KSP42TAТранзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ Ic = 10 mA, Vce = 2 mA, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 9392 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 402 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
MJ15024Транзистор NPN (Uce=250V, Ic=16A, P=250W, -65 to +150C)....SKU: 594 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-204AA
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
MJ15024GТранзистор NPN, Uceo, В = 250, Ic = 16 А, ft, МГц = 4, Icutoff-max = 500 мкА, Тексп, °C = -65...+200, Тип монт. = вивідний,...SKU: 35640 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-3(TO-204AA)
|
|
Є на складі: 99 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
MJE13003GТранзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=3A, P=40W, B=10-80, -65 to +150C)....SKU: 46030 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
MJE13005Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to +150C)....SKU: 597 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
MJE13005GТранзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to +150C). Pb-Free...SKU: 43398 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
MJE13007GТранзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=8A, P=80W, B=8-40, -65 to +150C)....SKU: 598 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
MJE15030GТранзистор NPN, Ptot, Вт = 50, Uceo, В = 150, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 30, hFE = 20 @ 4 A, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 51518 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
MJE15032GТранзистор NPN, Ptot,Вт = 2, VCEO,В = 250, Ic = 8 А, Тип монт. = выводной, ft,МГц =30, hFE = 10 @ 2A, 5В, VCEO(sat),В = 0.5 @ 100 мA, 1A, Тэксп, °С = -65...+150,...SKU: 25496 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
MJE243GТранзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, ft, МГц = 40, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 А, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 4370 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
MJE340Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C)....SKU: 599 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-126-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
MJE340Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C)....SKU: 7232 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-126-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
MJE340Транзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, hFE = 240 @ Ic = 50 mA, Vce = 10 V, Icutoff-max = 100 мкА, Р, Вт = 20 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 7917 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-126-3
|
|
Є на складі: 15 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
|||||||||||||
MJE4343GТранзистор NPN (Uce=250V, Ic=16A, Pd=125W, TO–218 (CASE 340D–02)-(20.35x15.2x4.9, Rm=5.5)mm, t= -65 to +150C)....SKU: 42749 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO–218
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1000 MPQ: 30 |
|
|||||||||||||
MPS2222ARLRAGТранзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 300, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В@ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 56354 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
MPS651RLRMGТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 60, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 75, hFE = 75 @ 1 A, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 200 мА, 2 A, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 74894 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 4 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
MPSA05RAТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 60, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150, Аналог КТ608Б,...SKU: 18774 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
MPSA18Транзистор NPN малошумний, Uceo, В = 45, Ic = 250 мА, ft, МГц = 160, hFE = 1150 @ Ic = 10 mA, Uce = 5 V, Icutoff-max = 50 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний, Pb-free,...SKU: 14215 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
|||||||||||||
MPSA42Транзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 5937 Виробник: Diotec Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Є на складі: 230 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
NTE123AТранзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 800 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -65...+200, Тип монт. = вивідний,...SKU: 125978 Виробник: NTE Electronics Корпус: TO-18
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
NTE316Транзистор NPN, Uceo, В = 15, Ic = 50 мА, hFE = 25...250, Р, Вт = 0,2,...SKU: 116697 Виробник: NTE Electronics Корпус: TO-72
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
|||||||||||||
P2N2222ARL1Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C)....SKU: 7427 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
|||||||||||||
PN2222ABUТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 40, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 26113 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
|||||||||||||
PN2222ATFТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 40, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 7200 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
SS8050Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 25, Ic = 1,5, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 85...300, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 0.8 0.08, Тексп, °С = -65...150,...SKU: 77863 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-92
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 10 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
ST13003-KТранзистор NPN, Uceo, В = 400, Ic = 1,5 А, hFE = 5 @ 1 А, 2 В, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 500 мA, 1,5 A, Р, Вт = 40 Вт, Тексп, °C = -40...+150, Тип монт. = вивідний,...SKU: 52083 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-32-3(TO-126-3)
|
|
Є на складі: 253 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
|||||||||||||
STBV32-APТранзистор NPN, Uceo, В = 400, Ic = 1,5 А, hFE = 5 @ 1 A, 2 В, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 500 мA, 1,5 А, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = Вивідний,...SKU: 108508 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-92AP
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
|||||||||||||
TIP29CТранзистор NPN, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 100, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 15 @ 1 A, 4 В, Icutoff-max = 300 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 125 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 3846 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
TIP35CТранзистор NPN, Ptot, Вт = 125, Uceo, В = 100, Ic = 25 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 3, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 B @ 5 A, 25 A,...SKU: 82437 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-247-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
TIP41CТранзистор NPN, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 100, Ic = 6 А, Тип монт. = smd, hFE = 15 @ 3 A, 4 В, Icutoff-max = 700 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 600 мA, 6 А, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 85467 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: TO-220-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
|||||||||||||
TS13003CKТранзистор NPN (Ucb=700V, Uce=400V, Ic=1.5A, P=20W, B=20-40@Ic=0.4A, -55 to +150C)....SKU: 25283 Виробник: Taiwan Semiconductor Корпус: TO-126
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|












