Фільтр по характеристикамПоказати (65)
Підказка:
  • - лише вибрані
  • - очистити пошук
  • - вибрати все
  • - зняти вибір
  • - інвертувати
Виробник
Опис
Інше
Гранична частота (ft, МГц =)
Максимальна U колектор-емітер (Uceo, В =)
Максимальний струм (Ic =)
Напр-а нас. (з вк. Ic и Ib) (Uceo(sat), В @ Ic, Ib =)
Потужність (Р, Вт =)
Стат. коеф-т пер. струму (hFE =)
Струм колектора при виключенні (Icutoff-max =)
Температура експлуатації (Тексп, °C =)
Тип монтажу (Тип монт. =)
Тип структури (Тип стр. =)
Фото Опис Ціни Склад  
ULN2003AFWG

ULN2003AFWG

Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,25, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °С = -40...+85,...
SKU: 80178
Виробник: Toshiba
Корпус: SOICN-16
КількістьЦіна
(без ПДВ)
16.79
106.33
1005.88
 Очікується: 2000

Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 2000
ULN2003AFWG(CNEHZA

ULN2003AFWG(CNEHZA

Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мA, Р, Вт = 1,25 Вт, Тексп, °C = -40...+85, Тип монт. = smd,...
SKU: 73319
Виробник: Toshiba
Корпус: SOICN-16
КількістьЦіна
(без ПДВ)
16.22
105.81
1005.39
 Є на складі: 1

Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 2000
ULN2003AFWG(M)

ULN2003AFWG(M)

Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,25, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкА, 350 мA, Тексп, °С = -40...+85,...
SKU: 8561
Виробник: Toshiba
Корпус: SOICN-16
КількістьЦіна
(без ПДВ)
19.85
108.21
1007.14
10006.49
 Немає на складі
Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 2000
ULN2003AIDR

ULN2003AIDR

Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, Icutoff-max = 50 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °С = -40...+105,...
SKU: 99573
Виробник: Texas Instruments
Корпус: SOICN-16
КількістьЦіна
(без ПДВ)
169.56
1064.92
10060.28
 Немає на складі
Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 2500
ULN2003D1013TR

ULN2003D1013TR

Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °С = -40...+85,...
SKU: 47798
Виробник: STMicroelectronics
Корпус: SOICN-16
КількістьЦіна
(без ПДВ)
15.66
105.28
1004.90
 Є на складі: 745

Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 2500
ULN2003L-S16-R

ULN2003L-S16-R

Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА,...
SKU: 120272
Виробник: UTC
Корпус: SOP-16
КількістьЦіна
(без ПДВ)
141.28
1038.53
10035.78
 Немає на складі
Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 2500
ULN2803A

ULN2803A

Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 2,25, Тип стр. = 8 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °С = -20...+85,...
SKU: 4203
Виробник: STMicroelectronics
Корпус: DIP-18
КількістьЦіна
(без ПДВ)
175.78
1070.73
10065.67
 Є на складі: 1
 Очікується: 61

Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 20
ULN2803ADW

ULN2803ADW

Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 8 NPN, Uceo, В = 50, Тип монт. = smd, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °С = -65...+150,...
SKU: 21529
Виробник: Texas Instruments
Корпус: SOICW-18
КількістьЦіна
(без ПДВ)
1149.29
10139.34
100129.39
 Є на складі: 40

Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 2500
ULN2803ADWG4

ULN2803ADWG4

Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 8 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °С = -65...+150,...
SKU: 33242
Виробник: Texas Instruments
Корпус: SOICW-18
КількістьЦіна
(без ПДВ)
156.47
 Немає на складі
Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 40
ULN2803ADWR

ULN2803ADWR

Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 8 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °С = -65...+150,...
SKU: 27774
Виробник: Texas Instruments
Корпус: SOICW-18
КількістьЦіна
(без ПДВ)
179.74
1074.42
10069.10
 Немає на складі
Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 2000