Фільтр по характеристикамПоказати (68)
| Фото | Опис | Ціни | Склад | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SD2390Транзистор Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 150, Ic = 10, ft, МГц = 55, hFE = 5000 @ 7 A, 4 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2.5 @ 7 мA, 7 A, Р, Вт = 100, Тексп, °C = -55...+150,...SKU: 124617 Виробник: Sanken Корпус: TO-3P
|
|
Є на складі: 30 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||
|
2SD2390Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 2 NPN, Uceo, В = 150, Ic = 10 А, hFE = 500, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 7 А, 7 мА, Р, Вт = 100, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = DIP,...SKU: 129893 Корпус: TO-3P
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 5000 |
|
||||||||
|
BC817DPN,115Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 0,6, Тип стр. = 1 NPN + 1 PNP, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 160 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150, F2 =...SKU: 79468 Виробник: NXP/Nexperia/We-En Корпус: TSOP-6
|
|
Є на складі: 250 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
||||||||
|
BCV26-, Транзистор составной (Дарлингтона) PNP, Ptot,Вт = 0.35, VCEO,В = 30, Ic = 1.2 A, Тип монт. = smd, ft,МГц = 220, hFE = 20000 (при 100 мА, 5 В), VCEO(sat),В = 1 (при 100 мкА, 100 мА), Тэксп, °С = -55...+150, Тип стр. = P-N-P ,...SKU: 54228 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-23
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
||||||||
|
BCV27Транзистор складений Дарлінгтона, Uceo, В = 30, Ic = 1,2 А, ft, МГц = 220, hFE = 20000 @ 100 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 100 мкА, 100 мА, Р, Вт = 0,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...SKU: 8233 Виробник: Fairchild/ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
||||||||
|
BCV61CE6327 (BCV61CE6327HTSA1)Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 2 NPN, перехід база-колектор, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тексп, °С = -65...+150, Застосування = Струмове дзеркало,...SKU: 87185 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-143
|
|
Є на складі: 2067 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
||||||||
|
BCV62BE6327Транзистор PNP составной (Uce=30V, Ic=0.1A, P=0.3W, T=-65 to +150C)....SKU: 39970 Виробник: Infineon Technologies Корпус: SOT-143
|
|
Є на складі: 1954 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 3000 |
|
||||||||
|
BD679AТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 40, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 80, Ic = 4 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 40, hFE = 750 @ 2 А, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2.8 @ 40 мА, 2 А, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 64535 Виробник: STMicroelectronics Корпус: SOT-32-3
|
|
Є на складі: 213 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
||||||||
|
BD681Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 40, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 750 @ 1,5 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 30 мA, 1.5 A, Тексп, °С = -65...+150,...SKU: 48534 Виробник: STMicroelectronics Корпус: TO-126-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 50 |
|
||||||||
|
BD681GТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 40, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 750 @ 1,5 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 30 мA, 1.5 А, Тексп, °С = -55...+150,...SKU: 94219 Виробник: ON Semiconductor Корпус: TO-126-3
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 500 |
|
