Фільтр по характеристикамПоказати (63)
Підказка:
  • - лише вибрані
  • - очистити пошук
  • - вибрати все
  • - зняти вибір
  • - інвертувати
Опис
Інше
Гранична частота (ft, МГц =)
Максимальна U колектор-емітер (Uceo, В =)
Максимальний струм (Ic =)
Напр-а нас. (з вк. Ic и Ib) (Uceo(sat), В @ Ic, Ib =)
Потужність (Р, Вт =)
Стат. коеф-т пер. струму (hFE =)
Струм колектора при виключенні (Icutoff-max =)
Температура експлуатації (Тексп, °C =)
Тип монтажу (Тип монт. =)
Тип структури (Тип стр. =)
Фото Опис Ціни Склад  
BC817DPN,115

BC817DPN,115

Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 0,6, Тип стр. = 1 NPN + 1 PNP, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 160 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150, F2 =...
SKU: 79468
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
Корпус: TSOP-6
КількістьЦіна
(без ПДВ)
114.55
 Немає на складі
Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 3000
BCV26

BCV26

-, Транзистор составной (Дарлингтона) PNP, Ptot,Вт = 0.35, VCEO,В = 30, Ic = 1.2 A, Тип монт. = smd, ft,МГц = 220, hFE = 20000 (при 100 мА, 5 В), VCEO(sat),В = 1 (при 100 мкА, 100 мА), Тэксп, °С = -55...+150, Тип стр. = P-N-P ,...
SKU: 54228
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
Корпус: SOT-23
КількістьЦіна
(без ПДВ)
13.30
 Немає на складі
Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 3000
BCV27

BCV27

Транзистор складений Дарлінгтона, Uceo, В = 30, Ic = 1,2 А, ft, МГц = 220, hFE = 20000 @ 100 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 100 мкА, 100 мА, Р, Вт = 0,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,...
SKU: 8233
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
Корпус: SOT-23-3
КількістьЦіна
(без ПДВ)
11.23
101.15
1001.07
 Очікується: 500

Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 3000
BCV61CE6327 (BCV61CE6327HTSA1)

BCV61CE6327 (BCV61CE6327HTSA1)

Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 2 NPN, перехід база-колектор, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тексп, °С = -65...+150, Застосування = Струмове дзеркало,...
SKU: 87185
Виробник: Infineon Technologies
Корпус: SOT-143
КількістьЦіна
(без ПДВ)
11.64
101.53
1001.42
 Є на складі: 5967

Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 3000
BCV62BE6327

BCV62BE6327

Транзистор PNP составной (Uce=30V, Ic=0.1A, P=0.3W, T=-65 to +150C)....
SKU: 39970
Виробник: Infineon Technologies
Корпус: SOT-143
КількістьЦіна
(без ПДВ)
12.05
101.91
1001.78
 Є на складі: 1707

Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 3000
BD679A

BD679A

Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 40, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 80, Ic = 4 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 40, hFE = 750 @ 2 А, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2.8 @ 40 мА, 2 А, Тексп, °С = -65...+150,...
SKU: 64535
Виробник: STMicroelectronics
Корпус: SOT-32-3
КількістьЦіна
(без ПДВ)
14.10
103.83
1003.56
 Є на складі: 14

Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 50
BD681

BD681

Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 40, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 750 @ 1,5 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 30 мA, 1.5 A, Тексп, °С = -65...+150,...
SKU: 48534
Виробник: STMicroelectronics
Корпус: TO-126-3
КількістьЦіна
(без ПДВ)
14.19
103.91
1003.63
 Очікується: 1000

Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 50
BD681G

BD681G

Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 40, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 750 @ 1,5 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 30 мA, 1.5 А, Тексп, °С = -55...+150,...
SKU: 94219
Виробник: ON Semiconductor
Корпус: TO-126-3
КількістьЦіна
(без ПДВ)
17.91
107.38
1006.85
 Є на складі: 14

Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 500
BD681STU

BD681STU

Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 40, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 750 @ 1,5 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 30 мA, 1.5 A, Тексп, °С = -65...+150,...
SKU: 35121
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
Корпус: TO-126-3
КількістьЦіна
(без ПДВ)
17.16
106.68
1006.21
 Є на складі: 74

Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 60
BDW93C

BDW93C

Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 80, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 12 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 750 @ 5 A, 3 В, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 100 мA, 10 A, Тексп, °С = -65...+150,...
SKU: 74853
Виробник: STMicroelectronics
Корпус: TO-220-3
КількістьЦіна
(без ПДВ)
133.64
1031.40
10029.16
 Немає на складі
Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 50