Фільтр по характеристикамПоказати (99)
| Фото | Опис | Ціни | Склад | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AS4C128M8D2-25BINСинхронна динамічна енергозалежна пам'ять DDR2 SDRAM, Uживл, В = 1,7...1,9, Об'єм RAM = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128М х 8, Тдост/Частота = 400 МГц, Тексп, °C = -40...+95, Тип інтерф. = Паралельний, t = 400 пс,...SKU: 103223 Виробник: Alliance Memory Корпус: TFBGA-60
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 264 |
|
||||||||||
|
AS4C128M8D2A-25BCNСинхронна динамічна енергозалежна пам'ять DDR2 SDRAM, Об'єм RAM = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128М х 8, Тдост/Частота = 15 нс, Тип інтерф. = Паралельний,...SKU: 113511 Виробник: Alliance Memory Корпус: TFBGA-60
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 264 |
|
||||||||||
|
AS4C128M8D2A-25BINСинхронна динамічна енергозалежна пам'ять DDR2 SDRAM, Uживл, В = 1,7...1,9, Об'єм RAM = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128М х 8, Тдост/Частота = 400 МГц, Тексп, °C = -40...+95, Тип інтерф. = Паралельний,...SKU: 113220 Виробник: Alliance Memory Корпус: TFBGA-60
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 264 |
|
||||||||||
|
AS4C16M16MSA-6BINСинхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 1,7...1,95, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16, Тдост/Частота = 166 мс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,5 нс,...SKU: 99389 Виробник: Alliance Memory Корпус: VFBGA-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 348 |
|
||||||||||
|
AS4C16M16S-6TINСинхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 16, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 72999 Виробник: Alliance Memory Корпус: TSOP-54
|
|
Є на складі: 26 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 108 |
|
||||||||||
|
AS4C16M16SA-6BANСинхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = DRAM, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+105, t = 5 нс,...SKU: 91200 Виробник: Alliance Memory Корпус: TFBGA-54
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 348 |
|
||||||||||
|
AS4C1M16S-6TINСинхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 16, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 89484 Виробник: Alliance Semiconductor Корпус: TSOP-50
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 117 |
|
||||||||||
|
AS4C2M32S-7BCNСинхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 2М х 32, Тдост/Частота = 143 МГц, Тексп, °С = 0...+70,...SKU: 81571 Виробник: Alliance Memory Корпус: LFBGA-90
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 190 |
|
||||||||||
|
AS4C32M16SB-7TCNДинамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,3, Об'єм RAM = 512 Мбайт, Орг. пам. = 32M x 16, Тдост/Частота = 143, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,...SKU: 120463 Виробник: Alliance Memory Корпус: TSOPII-54
|
|
Є на складі: 1 Очікується: 11 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 108 |
|
||||||||||
|
AS4C32M8SA-6TINСинхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+85, tдост = 5,5 нс,...SKU: 96622 Виробник: Alliance Memory Корпус: TSOPII-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 108 |
|
||||||||||
|
AS4C32M8SA-7TCNСинхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 143 МГц, Тексп, °С = 0...+70, tдост = 5.5 нс,...SKU: 96619 Виробник: Alliance Memory Корпус: TSOPII-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 108 |
|
||||||||||
|
AS4C4M16SA-6BINСинхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4М х 16, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+85, tвстан = 5,4 нс,...SKU: 97694 Виробник: Alliance Memory Корпус: TFBGA-54
|
|
Є на складі: 226 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 348 |
|
||||||||||
|
AS4C4M16SA-6TINСинхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4М х 16, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+85, tдост. = 5,4 нс,...SKU: 95841 Виробник: Alliance Memory Корпус: TSOP-54 II
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 108 |
|
||||||||||
|
AS4C4M16SA-7BCNСинхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4М х 16, Тдост/Частота = 143 МГц, Тексп, °С = 0...+70,...SKU: 78955 Виробник: Alliance Memory Корпус: TFBGA-54
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 348 |
|
||||||||||
|
AS4C4M16SA-7TCNСинхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4М х 16, Тдост/Частота = 143 МГц, Тексп, °С = 0...+70,...SKU: 79476 Виробник: Alliance Memory Корпус: TSOP-54 II
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 108 |
|
||||||||||
|
AS4C4M32S-6BINСинхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3.6, Об'єм RAM = 128 Кбайт, Орг. пам. = 4М х 32, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,...SKU: 103182 Виробник: Alliance Memory Корпус: TFBGA-90
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 190 |
|
||||||||||
|
AS4C4M32S-7BCNСинхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбайт, Орг. пам. = 4M x 32, Тдост/Частота = 5,4 нс, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний,...SKU: 122284 Виробник: Alliance Memory Корпус: TFBGA-90
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 190 |
|
||||||||||
|
AS4C64M16D3B-12BINСинхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 1,425...1,575, Об'єм RAM = 128 Мбайт, Орг. пам. = 64М х 16, Тдост/Частота = 20 нс, Тексп, °C = -40...+95, Тип інтерф. = Паралельний, F = 800 МГц,...SKU: 118665 Виробник: Alliance Memory Корпус: TFBGA-96
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 190 |
|
||||||||||
|
AS4C8M16SA-7TCNСинхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 8М х 16, Тдост/Частота = 143 МГц, Тексп, °С = 0...+70, tдост = 5,4 нс,...SKU: 97750 Виробник: Alliance Memory Корпус: TSOP II-54
|
|
Є на складі: 1 Очікується: 11 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 108 |
|
||||||||||
|
ASFC16G31M-51BINСинхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 128 Гбайт, Орг. пам. = 16G x 8, Тдост/Частота = 200 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = eMMC_5.1,...SKU: 129909 Виробник: Alliance Memory Корпус: TSOP-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 160 |
|
||||||||||
|
CY7C024-25AXCIC SRAM 64KBIT 25NS 100TQFP...SKU: 47714 Виробник: Cypress Semiconductor Корпус: 100TQFP
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 90 |
|
||||||||||
|
H57V2562GTR-75CСинхронная динамическая память (SDRAM) (4M x 16 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V )...SKU: 48965 Виробник: Hynix Semiconductor Корпус: TSOP-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 960 |
|
||||||||||
|
HYI39S128160FE-7IC SDRAM 128MB...SKU: 46367 Виробник: Qimonda Корпус: 54-TSOP
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
||||||||||
|
IS42S16160J-6TLСинхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 16, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,...SKU: 115853 Виробник: ISSI Корпус: TSOPII-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 108 |
|
||||||||||
|
IS42S16320F-7BLIСинхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3...3,6, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 32М x 16, Тдост/Частота = 5,4 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,...SKU: 123201 Виробник: ISSI Корпус: TFBGA-54
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 240 |
|
||||||||||
|
IS42S16400J-7BLIСинхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4М х 16, Тдост/Частота = 143 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний, tвст. = 5,4 нс,...SKU: 116998 Виробник: ISSI Корпус: TFBGA-54
|
|
Очікується: 1080 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 348 |
|
||||||||||
|
IS42S16800F-7TLСинхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 8M x 16, Тдост/Частота = 143 МГц, Тексп, °С = 0...+70,...SKU: 20700 Виробник: ISSI Корпус: TSOPII-54
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 108 |
|
||||||||||
|
IS42S32200C16TLДинамічна пам'ять, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тексп, °С = 0...+70,...SKU: 28581 Виробник: ISSI Корпус: TSOP-86
|
|
Є на складі: 23 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 108 |
|
||||||||||
|
IS42S32200E-7TLПамять динамическая, Об. пам. 64M, ннтерфейс parallel, Vcc,В 3.15...3.45,...SKU: 50333 Виробник: ISSI Корпус: TSOPII-86
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 108 |
|
||||||||||
|
IS42S83200G-7TLСинхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 143 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний,...SKU: 112291 Виробник: ISSI Корпус: TSOPII-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 108 |
|
||||||||||
|
IS42S83200J-6TLСинхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,...SKU: 109389 Виробник: ISSI Корпус: TSOPII-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 108 |
|
||||||||||
|
IS42S83200J-7TLСинхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32M x 8, Тдост/Частота = 143 МГц, Тексп, °С = -40....+85, tдост = 5,4 нс,...SKU: 96621 Виробник: ISSI Корпус: TSOPII-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 108 |
|
||||||||||
|
IS42S86400D-6TLСинхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64М х 8, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,...SKU: 109390 Виробник: ISSI Корпус: TSOPII-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 108 |
|
||||||||||
|
IS42S86400F-7TLСинхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 143 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний,...SKU: 112292 Виробник: ISSI Корпус: TSOPII-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 108 |
|
||||||||||
|
IS43DR81280C-25DBLДинамічна енергозалежна пам'ять SDRAM DDR2, Uживл, В = 1,7...1,9, Об'єм RAM = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128М х 8, Тдост/Частота = 15 нс, Тексп, °C = 0...+85, Тип інтерф. = Паралельний,...SKU: 113512 Виробник: ISSI Корпус: TFBGA-60
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 242 |
|
||||||||||
|
IS43TR16256B-107MBLIДинамічна енергозалежна пам'ять SDRAM DDR3, Uживл, В = 1,425...1,575, Об'єм RAM = 4 Гбіт, Орг. пам. = 256М х 16, Тдост/Частота = 20 нс, Тексп, °C = -40...+95, Тип інтерф. = Паралельний, F = 933 МГц,...SKU: 115003 Виробник: ISSI Корпус: TWBGA-96
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 190 |
|
||||||||||
|
K4H510838D-UCB3Динамічна пам'ять, Uживл, В = 2.5, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 32M x 16, Тдост/Частота = 0,7 нс,...SKU: 40146 Виробник: Samsung Корпус: TSOPII-66
|
|
Є на складі: 4 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 960 |
|
||||||||||
|
K4H561638H-ZCCCПамять динамическая 256Mb F-die DDR SDRAM Specification...SKU: 44810 Виробник: Samsung Корпус: 66 TSOP-II
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 960 |
|
||||||||||
|
K4S161622D-TC80Синхронная динамическая память (SDRAM) (512K x 16 bit x 2 banks, 80ns (125MHz), Vs=3.3V, 0 to +70C)....SKU: 6541 Виробник: Samsung Корпус: TSOP(II)50
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
||||||||||
|
K4S161622H-TC70Синхронная динамическая память (SDRAM) (512K x 16 bit x 2 banks, 70ns (143MHz), Vdd=3.0-3.6V, Icc1=105mA, 0 to +70C)....SKU: 15627 Виробник: Samsung Корпус: TSOP-50
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 |
|
||||||||||
|
K4S561632E-TC75000Синхронная динамическая память (SDRAM) (16M x 4 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V, , -55 to +150C)....SKU: 16409 Виробник: Samsung Корпус: TSOP-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 480 |
|
||||||||||
|
K4S561632J-UC75TМикросхема памяти динамическая (ОЗУ) SAMSUNG REEL 2000 SDRAM 256Mb 16Mx16 7,5NS 133MHz RoHSconf...SKU: 45791 Виробник: Samsung |
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
||||||||||
|
K4S561632J-UI75Микросхема памяти динамическая (ОЗУ)...SKU: 45748 Виробник: Samsung |
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 960 |
|
||||||||||
|
K4S561632N-LI75T00Динамічна пам'ять SDRAM, F, МГц = 133, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 256 Мбіт, Тдост/Частота = 7,5 нс, Тексп, °С = 0...+70,...SKU: 58495 Виробник: Samsung Корпус: TSOP-54
|
|
Є на складі: 60 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 960 |
|
||||||||||
|
K4S640832H-TC75Динамічна пам'ять, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тдост/Частота = 1, Тексп, °С = 0...+70,...SKU: 18862 Виробник: Samsung Корпус: TSOP(II)
|
|
Є на складі: 247 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
||||||||||
|
K4S641632H-UC75TДинамічна пам'ять, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тдост/Частота = 75 нс, Тексп, °С = 0...+70,...SKU: 24986 Виробник: Samsung Корпус: TSOP(II)
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
||||||||||
|
K4T1G164QG-BCF7000Динамічна пам'ять DDR2 SDRAM, Uживл, В = 1,8, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 64M x 16,...SKU: 77752 Виробник: Samsung Корпус: FBGA-84
|
|
Є на складі: 4 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
||||||||||
|
K7M161835B-QC65512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM...SKU: 47785 Виробник: Samsung Корпус: TQFP-100
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 720 |
|
||||||||||
|
MT40A512M16LY-062E AUT:EДинамічна енергозалежна пам'ять DDR4 SDRAM, Uживл, В = 1,14...1,26, Об'єм RAM = 8 Гбіт, Орг. пам. = 512М х 16, Тдост/Частота = 1,6 ГГц, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 19 нс,...SKU: 110829 Виробник: Micron Корпус: TFBGA-96
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1080 |
|
||||||||||
|
MT40A512M16LY-062E IT:EСинхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM-DDR4, Uживл, В = 1,14...1,26, Об'єм RAM = 8 Гбіт, Орг. пам. = 512M x 16, Тдост/Частота = 1,6 ГГц, Тексп, °C = -40...+95, Тип інтерф. = Паралельний,...SKU: 117204 Виробник: Micron Корпус: TFBGA-96
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1080 |
|
||||||||||
|
MT40A512M8RH-083E IT:BДинамічна енергозалежна пам'ять DDR4 SDRAM, Uживл, В = 1,14...1,26, Об'єм RAM = 4 Гбіт, Орг. пам. = 512М х 8, Тдост/Частота = 1,2 ГГц, Тексп, °C = -40...+95, Тип інтерф. = Паралельний,...SKU: 102413 Виробник: Micron Корпус: FBGA-78
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
||||||||||
|
MT41J256M16HA-125:EСинхронна динамічна пам'ять DDR3 SDRAM, Uживл, В = 1,425...1,575, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 4 Гбіт, Орг. пам. = 256M x 16, Тдост/Частота = 800 МГц, Тексп, °С = 0...+95,...SKU: 82682 Виробник: Micron Корпус: FBGA-96
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
||||||||||
|
MT41K128M16JT-125 XIT:KСинхронна динамічна енергозалежна пам'ять DDR3L SDRAM, Uживл, В = 1,283...1,45, Об'єм RAM = 2 Гбіт, Орг. пам. = 128М х 16, Тдост/Частота = 800 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний, tвстан = 13,75 нс,...SKU: 103185 Виробник: Micron Корпус: TFBGA-96
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT41K256M16TW-107 AAT:P TRСинхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 1,283...1,45, Об'єм RAM = 4 Гбіт, Орг. пам. = 256М х 16, Тдост/Частота = 933 МГц, Тексп, °C = -40...+105, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 20 нс,...SKU: 126301 Виробник: Micron Корпус: TFBGA-96
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
||||||||||
|
MT41K256M16TW-107 IT:PСинхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 1,283...1,45, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 4 Гбіт, Орг. пам. = 256М х 16, Тдост/Частота = 20 нс, Тексп, °С = -40...+95, F = 933 МГц,...SKU: 91326 Виробник: Micron Корпус: TFBGA-96
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
||||||||||
|
MT41K256M32SLD-125:EСинхронна динамічна пам'ять DDR3L SDRAM, Uживл, В = 1,35, Об. пам. = 8 Гбит, Тдост/Частота = 1,25 нс, Тексп, °С = 0...+95,...SKU: 64284 Виробник: Micron Корпус: FBGA-136
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT44K16M36RB-125E:AДинамічна пам'ять RLDRAM, Uживл, В = 1,28...1,42, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 576 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 36, Тдост/Частота = 1,25 нс, Тексп, °С = 0...+95,...SKU: 79025 Виробник: Micron Корпус: BGA-168
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT46V16M16CY-5B IT:MСинхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM-DDR, Uживл, В = 2,5...2,7, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16, Тдост/Частота = 200 МГц, Тексп, °C = -40...+85, tдост = 700 пс,...SKU: 109462 Виробник: Micron Корпус: FBGA-60
|
|
Є на складі: 24 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1368 |
|
||||||||||
|
MT47H128M16HR-3Синхронная динамическая память, Об. пам. 16x16x8, ннтерфейс параллельный, Vcc,В =1.8V,...SKU: 51278 Виробник: Micron Корпус: FBGA-84
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT47H128M16RT-25E IT:CСинхронна динамічна пам'ять DDR2 SDRAM, F, МГц = 800, Uживл, В = 1,7...1,9, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 2 Гбіт, Орг. пам. = 128M x 16, Тдост/Частота = 2,5 нс, Тексп, °С = 0...+70,...SKU: 65247 Виробник: Micron Корпус: FBGA-84
|
|
Є на складі: 3 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT47H128M16RT-25E:CСинхронна динамічна пам'ять DDR2 SDRAM, F, МГц = 800, Uживл, В = 1,7...1,9, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 2 Гбіт, Орг. пам. = 128M x 16, Тдост/Частота = 2,5 нс, Тексп, °С = 0...+85,...SKU: 64285 Виробник: Micron Корпус: FBGA-84
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
||||||||||
|
MT47H128M8HQ-3:G (557-1440-1-ND)Синхронная динамическая память (SDRAM 1G (16 Meg x 8 x 8 ) Tc=3ns,Vdd=1,8 V, T= 0...+85C)...SKU: 45015 Виробник: Micron Корпус: FBGA-60
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT47H128M8HQ-3:G TRСинхронна динамічна пам'ять DDR2 SDRAM, Uживл, В = 1,7...1,9, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128М х 8, Тдост/Частота = 3 нс, Тексп, °С = 0...+85,...SKU: 44721 Виробник: Micron Корпус: FBGA-60
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT47H128M8SH-25E IT:MСинхронна динамічна пам,ять (DDR2 SDRAM) , Uживл, В = 1.8, Об'єм RAM = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128M x 8 bit, Тдост/Частота = 2,5 мс, Тексп, °C = -40°C ~ 95°C, ns,...SKU: 82396 Виробник: Micron Корпус: FBGA-60
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT47H16M16BG-37E:BСинхронная динамическая память (DDR2 SDRAM) (16M x 16 bit, 3,75ns, Vs=1.7 to 1.9V, T=0 to +70C)....SKU: 40981 Виробник: Micron Корпус: FBGA-84
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1000 MPQ: 228 |
|
||||||||||
|
MT47H256M8HG-3Синхронная динамическая память (DDR2 SDRAM) (256M x 8 bit, 3 ns , Vdd=1.8V T=0 +85C).Rev A...SKU: 44672 Виробник: Micron Корпус: FBGA-60
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT47H32M16HR-25:FСинхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 32M x 16, Тдост/Частота = 2,5, Тексп, °С = 0...+85,...SKU: 44434 Виробник: Micron Корпус: FBGA-84
|
Ціна потребує уточнення | Очікується: 10 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 228 |
|
||||||||||
|
MT47H32M16HR-25E:GСинхронна динамічна пам'ять DDR2 SDRAM, Uживл, В = 1,7...1,9, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 16, Тдост/Частота = 2,5 нс, Тексп, °С = 0...+85,...SKU: 74923 Виробник: Micron Корпус: FBGA-84
|
|
Є на складі: 46 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT47H32M16HR-3:FДинамічна пам'ять, Uживл, В = 1.7...1.9, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 32M x 16, Тдост/Частота = 3 нс, Тексп, °С = 0...+85,...SKU: 43564 Виробник: Micron Корпус: FBGA-84
|
|
Є на складі: 15 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 228 |
|
||||||||||
|
MT47H32M16NF-25E:HСинхронна динамічна пам'ять DDR2 SDRAM, Uживл, В = 1,7...1,9, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 16, Тдост/Частота = 2,5 нс, Тексп, °С = 0...+85,...SKU: 77882 Виробник: Micron Корпус: FBGA-84
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT47H64M16HR-25:GДинамічна пам'ять DDR2 SDRAM, F, МГц = 400, Uживл, В = 1,7...1,9, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 64M x 16, Тдост/Частота = 2,5 нс, Тексп, °С = 0...+85,...SKU: 60573 Виробник: Micron Корпус: FBGA-84
|
|
Є на складі: 6 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
||||||||||
|
MT47H64M16HR-3 IT:HСинхронна динамічна пам'ять DDR2 SDRAM, Uживл, В = 1,7...1,9, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 64M x 16, Тдост/Частота = 3 нс, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 62799 Виробник: Micron Корпус: FBGA-84
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT47H64M16HR-3HСинхронна динамічна пам'ять DDR2 SDRAM, F, МГц = 667, Uживл, В = 1,8, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 64M x 16, Тдост/Частота = 3 нс, Тексп, °С = 0...+85,...SKU: 49603 Виробник: Micron Корпус: FBGA-84
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
||||||||||
|
MT48H32M16LFB4-6 IT:CСинхронна динамічна пам'ять SDRAM для мобільних застосувань, Uживл, В = 1,70...1,95, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 16, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 80001 Виробник: Micron Корпус: VFBGA-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT48H32M16LFB4-75 IT:CСинхронна динамічна пам'ять SDRAM для мобільних застосувань, Uживл, В = 1,70...1,95 , Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 64 Мбайт, Орг. пам. = 32М х 16, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 77830 Виробник: Micron Корпус: VFBGA-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 100 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT48LC16M16A2B4-6A AAT:G TRСинхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3.6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16, Тдост/Частота = 167 МГц, Тексп, °C = -40...+105, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,...SKU: 101569 Виробник: Micron Корпус: VFBGA-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1560 |
|
||||||||||
|
MT48LC16M16A2B4-6A IT:GСинхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбайт, Орг. пам. = 16M x 16, Тдост/Частота = 167 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,...SKU: 129037 Виробник: Micron Корпус: VFBGA-54
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1560 |
|
||||||||||
|
MT48LC16M16A2B4-7E IT:GСинхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 16, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 78155 Виробник: Micron Корпус: VFBGA-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT48LC16M16A2BG-75 IT:DСинхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3...6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 55810 Виробник: Micron Корпус: VFBGA-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT48LC16M16A2BG-7E IT:DСинхронна динамічна пам'ять SDRAM, F, МГц = 133, Uживл, В = 3 ... 6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мб, Орг. пам. = 16M x 16, Тексп, °С = -40...+85,...SKU: 62659 Виробник: Micron Корпус: VFBGA-54
|
|
Є на складі: 100 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT48LC16M16A2P-6A IT:GДинамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16, Тдост/Частота = 167 МГц, Тексп, °С = -40...+85, tдост = 5,4 нс,...SKU: 97116 Виробник: Micron Корпус: TSOPII-54
|
|
Є на складі: 215 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1080 |
|
||||||||||
|
MT48LC16M16A2P-6A:GСинхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 16, Тдост/Частота = 167 МГц, Тексп, °С = 0...+70,...SKU: 6254 Виробник: Micron Корпус: TSOPII-54
|
|
Є на складі: 49 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT48LC16M8A2P-75 IT:GСинхронная динамическая память (SDRAM)...SKU: 46190 Виробник: Micron |
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 108 |
|
||||||||||
|
MT48LC16M8A2P-75:GСинхронная динамическая память (SDRAM), F, МГц = 133, Uпит,В = 3...3.6, Интерфейс = Параллельный, Об. пам. = 128 Мбит, Тэксп, °С = 0...70,...SKU: 60528 Виробник: Micron Корпус: TSOP-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT48LC2M32B2P-7:GСинхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 2M x 32, Тдост/Частота = 143 МГц, Тексп, °С = 0...+70,...SKU: 48113 Виробник: Micron Корпус: TSOP-86
|
|
Є на складі: 4 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT48LC32M16A2P-75:CМикросхема, Память SDRAM...SKU: 43928 Виробник: Micron |
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT48LC32M8A2P-75:D TRСинхронна динамічна пам'ять SDRAM, F, МГц = 133, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32M x 8, Тексп, °С = 0...+70,...SKU: 43889 Виробник: Micron Корпус: TSOP-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT48LC4M16A2P-6AДинамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тдост/Частота = 167 МГц, Тексп, °С = 0...+70,...SKU: 82973 Виробник: Micron Корпус: TSOPII-54
|
|
Є на складі: 2 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT48LC4M16A2P-6A:JСинхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4М х 16, Тдост/Частота = 167 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост. = 5,4 нс,...SKU: 117074 Виробник: Micron Корпус: TSOPII-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1080 |
|
||||||||||
|
MT48LC4M16A2TG-75 IT:G TRСинхронная динамическая память (SDRAM) (1 M x 16 bit x 4 banks, 7,5ns , Vdd=3.3V)....SKU: 23678 Виробник: Micron Корпус: TSOP-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
||||||||||
|
MT48LC4M16A2TG-7EДинамічна пам'ять SDRAM, F, МГц = 133, Uживл, В = 3...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тексп, °С = 0...+70,...SKU: 14701 Виробник: Micron Корпус: TSOP-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT48LC4M32B2P-6A:L TRСинхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбайт, Орг. пам. = 4М x 32, Тдост/Частота = 167 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний,...SKU: 129648 Виробник: Micron Корпус: TFSOP-86
|
|
Є на складі: 1 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 2000 |
|
||||||||||
|
MT48LC64M8A2P-75:CСинхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64M x 8, Тдост/Частота = 133, Тексп, °С = 0...+70, tдост = 5,4 нс,...SKU: 96620 Виробник: Micron Корпус: TSOPII-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 108 |
|
||||||||||
|
MT48LC8M16A2P-7E IT:L TRСинхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,3...3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 8M x 16, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °С = -40...+85, Ревізія = L,...SKU: 74903 Виробник: Micron Корпус: TSOP-54
|
|
Очікується: 43 Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT48LC8M16A2TG-6A:GМикросхема памяти...SKU: 43881 Виробник: Micron Корпус: xxx
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 108 |
|
||||||||||
|
MT48LC8M16A2TG-7E:G TRСинхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбіт, Орг. пам. = 8М х 16, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,...SKU: 42588 Виробник: Micron Корпус: TSOPII-54
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1 |
|
||||||||||
|
MT49H32M18BM-18:BСинхронна динамічна пам'ять RLDRAM II, Вер. А, F, МГц = 533, Uживл, В = 1,8, 2,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 576 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 18, Тдост/Частота = 1,875 нс, Тексп, °С = 0...+95,...SKU: 61731 Виробник: Micron Корпус: UBGA-144
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1000 |
|
||||||||||
|
MT53D1024M32D4DT-053 AAT:DДинамічна пам'ять LPDDR4, Uживл, В = 1,1, Об'єм RAM = 4 Гбайт, Орг. пам. = 1024Mx32, Тексп, °C = -40.....+105,...SKU: 110374 Виробник: Micron Корпус: WFBGA-200
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 1300 |
|
||||||||||
|
MTA8ATF1G64HZ-2G6E1Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять, Uживл, В = 1,2, Об'єм RAM = 64 Гбіт, Орг. пам. = 1G x 64, Тдост/Частота = 1 333 МГц, Тексп, °C = 0...+95, Тип інтерф. = Паралельний,...SKU: 104084 Виробник: Micron Корпус: DIMM-260
|
|
Немає на складі Од. вим.: шт MOQ: 1 MPQ: 100 |
|
