Віаком | Онлайн-магазин | Інтегральні мікросхеми | Мікросхеми пам'яті

1
2
3
4
5
6
7
8
9
Всі (99)

Тільки на складі

Фото Опис Ціни Склад

IS42S83200J-6TL

Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,...

SKU: 109389

Виробник: ISSI

Datasheet →

Корпус: TSOPII-54

Кількість	Ціна _{(без ПДВ)}
1	162.00
10	151.20
100	140.40

Немає на складі

Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 108

IS42S83200J-7TL

Синхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32M x 8, Тдост/Частота = 143 МГц, Тексп, °С = -40....+85, tдост = 5,4 нс,...

SKU: 96621

Виробник: ISSI

Datasheet →

Корпус: TSOPII-54

Кількість	Ціна _{(без ПДВ)}
1	361.80
10	337.68
100	313.56

Немає на складі

Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 108

IS42S86400D-6TL

Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64М х 8, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,...

SKU: 109390

Виробник: ISSI

Datasheet →

Корпус: TSOPII-54

Кількість	Ціна _{(без ПДВ)}
1	590.62
10	551.25
100	511.88

Немає на складі

Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 108

IS42S86400F-7TL

Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 143 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний,...

SKU: 112292

Виробник: ISSI

Datasheet →

Корпус: TSOPII-54

Кількість	Ціна _{(без ПДВ)}
1	550.80
10	514.08
100	477.36

Немає на складі

Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 108

IS43DR81280C-25DBL

Динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM DDR2, Uживл, В = 1,7...1,9, Об'єм RAM = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128М х 8, Тдост/Частота = 15 нс, Тексп, °C = 0...+85, Тип інтерф. = Паралельний,...

SKU: 113512

Виробник: ISSI

Datasheet →

Корпус: TFBGA-60

Кількість	Ціна _{(без ПДВ)}
1	281.48
10	262.71
100	243.95

Немає на складі

Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 242

IS43TR16256B-107MBLI

Динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM DDR3, Uживл, В = 1,425...1,575, Об'єм RAM = 4 Гбіт, Орг. пам. = 256М х 16, Тдост/Частота = 20 нс, Тексп, °C = -40...+95, Тип інтерф. = Паралельний, F = 933 МГц,...

SKU: 115003

Виробник: ISSI

Datasheet →

Корпус: TWBGA-96

Кількість	Ціна _{(без ПДВ)}
1	698.84
10	652.25
100	605.66

Є на складі: 1

Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 190

K4H510838D-UCB3

Динамічна пам'ять, Uживл, В = 2.5, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 32M x 16, Тдост/Частота = 0,7 нс,...

SKU: 40146

Виробник: Samsung

Datasheet →

Корпус: TSOPII-66

Кількість	Ціна _{(без ПДВ)}
1	121.02
10	112.95
100	104.89

Є на складі: 4

Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 960

K4H561638H-ZCCC

Память динамическая 256Mb F-die DDR SDRAM Specification...

SKU: 44810

Виробник: Samsung

Корпус: 66 TSOP-II

Кількість	Ціна _{(без ПДВ)}
1	118.12

Немає на складі

Од. вим.: шт
MOQ: 1
MPQ: 960

K4S161622D-TC80

Синхронная динамическая память (SDRAM) (512K x 16 bit x 2 banks, 80ns (125MHz), Vs=3.3V, 0 to +70C)....

SKU: 6541

Виробник: Samsung

Корпус: TSOP(II)50

Кількість	Ціна _{(без ПДВ)}
1	124.49
10	108.11
100	98.28

Немає на складі

Од. вим.: шт
MOQ: 1

K4S161622H-TC70

Синхронная динамическая память (SDRAM) (512K x 16 bit x 2 banks, 70ns (143MHz), Vdd=3.0-3.6V, Icc1=105mA, 0 to +70C)....

SKU: 15627

Виробник: Samsung

Корпус: TSOP-50

Кількість	Ціна _{(без ПДВ)}
1	116.03
10	100.90
100	91.73
1000	88.45

Немає на складі

Од. вим.: шт
MOQ: 1

1
2
3
4
5
6
7
8
9
Всі (99)