Электронные компоненты

→

Інтегральні мікросхеми

→

Аналогові ІС

→

Підсилювачі

→

Операційні підсилювачі

Отбор продукции по параметрам

Вашему запросу соответствует

Скрывать изображения товаров:

Показывать только товары с наличием на складе в Киеве:

<<<

>> >>>

(Всего: 427)

Фото*

Описание

Наличие

Количество

Заказ

TL061ID
Операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 1, Uживл, В = 7...36, ±3,5...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = ...>>

Код товара: 79192 Производитель: Texas Instruments Datasheet: pdf Тип корпуса: SOICN-8

Кол-во:	1-9	10-99	100-999
Цены: грн, без НДС	3.39	3.16	2.93

510

кратность заказа: 1
мин. к-во: 1

норма упаковки: 75

TL062ACP
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 7...36, ±3,5...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх ...>>

Код товара: 2307 Производитель: Texas Instruments Datasheet: pdf Тип корпуса: DIP-8

Кол-во:	1-9	10-99	100-999
Цены: грн, без НДС	11.95	9.96	8.58

кратность заказа: 1
мин. к-во: 1

норма упаковки: 50

TL062CD
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 7...36, ±3,5...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх ...>>

Код товара: 12522 Производитель: Texas Instruments Datasheet: pdf Тип корпуса: SOICN-8

Кол-во:	1-9	10-99	100-999
Цены: грн, без НДС	4.49	4.19	3.89

кратность заказа: 1
мин. к-во: 1

норма упаковки: 75

TL062CD
Операційний підсилювач, I = 20 мкА, Iживл = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Uживл, В = 6...36, ±3...18, Тексп, °C = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 30 пА, ...>>

Код товара: 101740 Производитель: STMicroelectronics Datasheet: pdf Тип корпуса: SOICN-8

Кол-во:	1-9	10-99	100-999
Цены: грн, без НДС	3.18	2.96	2.75

кратность заказа: 1
мин. к-во: 1

норма упаковки: 100

TL062CDR
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 7...36, ±3,5...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх ...>>

Код товара: 81713 Производитель: Texas Instruments Datasheet: pdf Тип корпуса: SOICN-8

Кол-во:	1-9	10-99	100-999	1000-4999
Цены: грн, без НДС	5.18	4.32	3.75	3.41

кратность заказа: 1
мин. к-во: 1

норма упаковки: 2500

TL062CDT
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 20, Uживл, В = 6...36, ±3...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГ ...>>

Код товара: 33441 Производитель: STMicroelectronics Datasheet: pdf Тип корпуса: SOICN-8

Кол-во:	1-9	10-99	100-999	1000-4999
Цены: грн, без НДС	5.20	4.68	4.16	3.64

кратность заказа: 1
мин. к-во: 1

норма упаковки: 2500

TL062CN
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 20, Uживл, В = 6...36, ±3...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГ ...>>

Код товара: 7905 Производитель: STMicroelectronics Datasheet: pdf Тип корпуса: DIP-8

Кол-во:	1-9	10-99	100-999	1000-4999
Цены: грн, без НДС	4.74	4.27	3.79	3.32

кратность заказа: 1
мин. к-во: 1

норма упаковки: 50

TL062CP
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 7...36, ±3,5...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх ...>>

Код товара: 834 Производитель: Texas Instruments Datasheet: pdf Тип корпуса: DIP-8

Кол-во:	1-9	10-99	100-999
Цены: грн, без НДС	7.43	6.93	6.44

кратность заказа: 1
мин. к-во: 1

норма упаковки: 50

TL062ID
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 7...36, ±3,5...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iв ...>>

Код товара: 18036 Производитель: Texas Instruments Datasheet: pdf Тип корпуса: SOICN-8

Кол-во:	1-9	10-99	100-999
Цены: грн, без НДС	10.61	9.90	9.19

300

кратность заказа: 1
мин. к-во: 1

норма упаковки: 75

TL062IDR
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 7...36, ±3,5...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iв ...>>

Код товара: 79190 Производитель: Texas Instruments Datasheet: pdf Тип корпуса: SOICN-8

Кол-во:	1-9	10-99	100-999
Цены: грн, без НДС	6.91	6.45	5.99

кратность заказа: 1
мин. к-во: 1

норма упаковки: 2500

<<<

>> >>>

(Всего: 427)

Электронные компоненты

Інтегральні мікросхеми

Аналогові ІС

Підсилювачі

Операційні підсилювачі

TL061ID Операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 1, Uживл, В = 7...36, ±3,5...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = ...>>

TL062ACP Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 7...36, ±3,5...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх ...>>

TL062CD Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 7...36, ±3,5...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх ...>>

TL062CD Операційний підсилювач, I = 20 мкА, Iживл = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Uживл, В = 6...36, ±3...18, Тексп, °C = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 30 пА, ...>>

TL062CDR Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 7...36, ±3,5...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх ...>>

TL062CDT Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 20, Uживл, В = 6...36, ±3...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГ ...>>

TL062CN Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 20, Uживл, В = 6...36, ±3...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГ ...>>

TL062CP Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 7...36, ±3,5...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх ...>>

TL062ID Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 7...36, ±3,5...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iв ...>>

TL062IDR Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 7...36, ±3,5...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iв ...>>

TL061ID
Операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 1, Uживл, В = 7...36, ±3,5...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = ...>>

TL062ACP
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 7...36, ±3,5...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх ...>>

TL062CD
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 7...36, ±3,5...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх ...>>

TL062CD
Операційний підсилювач, I = 20 мкА, Iживл = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Uживл, В = 6...36, ±3...18, Тексп, °C = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 30 пА, ...>>

TL062CDR
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 7...36, ±3,5...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх ...>>

TL062CDT
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 20, Uживл, В = 6...36, ±3...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГ ...>>

TL062CN
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 20, Uживл, В = 6...36, ±3...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГ ...>>

TL062CP
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 7...36, ±3,5...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх ...>>

TL062ID
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 7...36, ±3,5...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iв ...>>

TL062IDR
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 7...36, ±3,5...18, Is = 200 мкА, Sr, В/мкС = 3,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iв ...>>