Операційні підсилювачі, Підсилювачі

>> >>>

(Всего: 441)

Фото*

Описание

Наличие

Количество

Заказ

LM324N
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 60, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,4 мА, Sr, В/мкС = 0,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1,2, Iвх (b ...>>

Код товара: 6239 Производитель: Texas Instruments Datasheet: pdf Тип корпуса: DIP-14

Кол-во:	1-9	10-99	100-999	1000-4999
Цены: грн, без НДС	4.13	3.72	3.30	2.89

кратность заказа: 1
мин. к-во: 1

норма упаковки: 25

LM358AN
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 800 мкА, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Iвх (bias) = 45 нА, ...>>

Код товара: 10565 Производитель: Texas Instruments Datasheet: pdf Тип корпуса: DIP-8

Кол-во:	1-9	10-99	100-999
Цены: грн, без НДС	6.60	5.74	5.21

кратность заказа: 1
мин. к-во: 1

норма упаковки: 50

LM358D
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1 мА, Sr, В/мкС = 0,3, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 0,7 ...>>

Код товара: 26875 Производитель: Texas Instruments Datasheet: pdf Тип корпуса: SOICN-8

Кол-во:	1-9	10-99	100-999
Цены: грн, без НДС	1.92	1.79	1.67

236

кратность заказа: 1
мин. к-во: 1

норма упаковки: 75

LM358DG
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1 ...>>

Код товара: 23428 Производитель: ON Semiconductor Datasheet: pdf Тип корпуса: SOICN-8

Кол-во:	1-9	10-99	100-999	1000-4999
Цены: грн, без НДС	3.75	3.12	2.71	2.47

кратность заказа: 1
мин. к-во: 1

норма упаковки: 98

LM358DG4
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1 мА, Sr, В/мкС = 0,3, Uoffset, мкВ = 3 000, Рів. шумів, дБ = 60, Тексп, °С = 0...+70, Шир. с ...>>

Код товара: 59121 Производитель: Texas Instruments Datasheet: pdf Тип корпуса: SOICN-8

Кол-во:	1-9	10-99	100-999
Цены: грн, без НДС	2.51	2.34	2.17

кратность заказа: 1
мин. к-во: 1

норма упаковки: 75

LM358DR
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1 мА, Sr, В/мкС = 0,3, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 0,7 ...>>

Код товара: 30240 Производитель: Texas Instruments Datasheet: pdf Тип корпуса: SOICN-8

Кол-во:	1-9	10-99	100-999
Цены: грн, без НДС	1.94	1.81	1.68

кратность заказа: 1
мин. к-во: 1

норма упаковки: 2500

LM358DR2G
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1 ...>>

Код товара: 6274 Производитель: ON Semiconductor Datasheet: pdf Тип корпуса: SOICN-8

Кол-во:	1-9	10-99	100-999
Цены: грн, без НДС	1.69	1.58	1.47

кратность заказа: 1
мин. к-во: 1

норма упаковки: 2500

LM358DRG3
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1 мА, Sr, В/мкС = 0,3, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 0,7 ...>>

Код товара: 61518 Производитель: Texas Instruments Datasheet: pdf Тип корпуса: SOICN-8

Кол-во:	1-9	10-99	100-999	1000-4999
Цены: грн, без НДС	3.75	3.12	2.71	2.47

кратность заказа: 1
мин. к-во: 1

норма упаковки: 2500

LM358DRG4
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1 мА, Sr, В/мкС = 0,3, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 0,7 ...>>

Код товара: 2672 Производитель: Texas Instruments Datasheet: pdf Тип корпуса: SOICN-8

Кол-во:	1-9	10-99	100-999
Цены: грн, без НДС	2.34	2.19	2.03

кратность заказа: 1
мин. к-во: 1

норма упаковки: 2500

LM358DT
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 60, Uживл, В = 3...30, ±1.5...15, Is = 700 мкА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Iвх (bias) = 20 нА, ...>>

Код товара: 21834 Производитель: STMicroelectronics Datasheet: pdf Тип корпуса: SOICN-8

Кол-во:	1-9	10-99	100-999	1000-4999
Цены: грн, без НДС	4.75	3.96	3.44	3.13

кратность заказа: 1
мин. к-во: 1

норма упаковки: 2500

>> >>>

(Всего: 441)

Электронные компоненты

Інтегральні мікросхеми

Аналогові ІС

Підсилювачі

Операційні підсилювачі

LM324N
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 60, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,4 мА, Sr, В/мкС = 0,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1,2, Iвх (b ...>>

LM358AN
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 800 мкА, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Iвх (bias) = 45 нА, ...>>

LM358D
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1 мА, Sr, В/мкС = 0,3, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 0,7 ...>>

LM358DG
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1 ...>>

LM358DG4
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1 мА, Sr, В/мкС = 0,3, Uoffset, мкВ = 3 000, Рів. шумів, дБ = 60, Тексп, °С = 0...+70, Шир. с ...>>

LM358DR
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1 мА, Sr, В/мкС = 0,3, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 0,7 ...>>

LM358DR2G
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1 ...>>

LM358DRG3
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1 мА, Sr, В/мкС = 0,3, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 0,7 ...>>

LM358DRG4
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1 мА, Sr, В/мкС = 0,3, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 0,7 ...>>

LM358DT
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 60, Uживл, В = 3...30, ±1.5...15, Is = 700 мкА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Iвх (bias) = 20 нА, ...>>

Электронные компоненты

Інтегральні мікросхеми

Аналогові ІС

Підсилювачі

Операційні підсилювачі

LM324N Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 60, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,4 мА, Sr, В/мкС = 0,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1,2, Iвх (b ...>>

LM358AN Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 800 мкА, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Iвх (bias) = 45 нА, ...>>

LM358D Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1 мА, Sr, В/мкС = 0,3, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 0,7 ...>>

LM358DG Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1 ...>>

LM358DG4 Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1 мА, Sr, В/мкС = 0,3, Uoffset, мкВ = 3 000, Рів. шумів, дБ = 60, Тексп, °С = 0...+70, Шир. с ...>>

LM358DR Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1 мА, Sr, В/мкС = 0,3, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 0,7 ...>>

LM358DT Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 60, Uживл, В = 3...30, ±1.5...15, Is = 700 мкА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Iвх (bias) = 20 нА, ...>>

LM324N
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 60, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,4 мА, Sr, В/мкС = 0,5, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1,2, Iвх (b ...>>

LM358AN
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 800 мкА, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Iвх (bias) = 45 нА, ...>>

LM358D
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1 мА, Sr, В/мкС = 0,3, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 0,7 ...>>

LM358DG
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1 ...>>

LM358DG4
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1 мА, Sr, В/мкС = 0,3, Uoffset, мкВ = 3 000, Рів. шумів, дБ = 60, Тексп, °С = 0...+70, Шир. с ...>>

LM358DR
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1 мА, Sr, В/мкС = 0,3, Uoffset, мкВ = 3 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 0,7 ...>>

LM358DT
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 60, Uживл, В = 3...30, ±1.5...15, Is = 700 мкА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Iвх (bias) = 20 нА, ...>>