Виаком
телефон
поискпоиск входаккаунт корзинакорзина


на складе в Киеве под заказ

не выполнен вход

 

Новости компании



24.03.2014

Усилители СВЧ на основе технологий GaN и GaAs, эволюция технологии Diamond FETs

В этой статье речь пойдет о твердотельных усилителях мощности, выполненных по GaN- и GaAs-технологиям компании Sumitomo, и дается их сравнительная характеристика. Автором уделено особое внимание описанию новейших транзисторов GaN-HEMT и Diamond FETs и перспективам их применения в усилителях СВЧ для авиационно-космической промышленности, радаров АФАР для гражданских и военных применений, в медицине и системах связи широкого диапазона частот.

Загрузить статью в формате PDF (373 кб) >>

Преимущества GaN-технологии при производстве СВЧ усилителей

Твердотельные СВЧ усилители мощности и широкополосные усилители являются важным звеном аппаратуры радиолокационных систем для различных применений, поэтому к ним предъявляются особенно высокие требования. СВЧ усилители мощности, построенные на основе мощных транзисторов или модулей — это устройства, определяющие важнейшие параметры системы, такие как излучаемая и потребляемая мощность, ширина полосы рабочих частот, габариты и масса, долговечность, надежность и стоимость.

Революционным направлением в развитии мощных компонентов СВЧ стало направление широкозонных полупроводниковых материалов (карбида кремния SiC и нитрида галлия GaN) и приборов на их основе [3]. Сегодня ведущие компании мира по производству компонентов, применяемых в твердотельных усилителях мощности, развивают прежде всего технологии на основе нитрида галлия GaN [17].

Совершенствование GaN­устройств на основе GaN­on­SiC HEMT­технологии идет в следующих направлениях: увеличение максимальных мощностей, плотности мощности, максимального напряжения; увеличение верхнего диапазона сверхвысоких частот (перспективные разработки направлены на достижение C, X, Ku диапазонов длин волн); уменьшение стоимости до уровня один доллар за один ватт; повышение надежности, радиационной стойкости (см. таблицу 1); уменьшение габаритов изделий [1].

Таблица 1. Электронные свойства полупроводниковых материалов Si, GaAs, InP, 3-4-6H-SiC, GaN, C (Diamond)

Свойства материала Единицы измерения Si GaAs
(AlGaAs/InGaAs)
InP
(InAlAs/InGaAs)
3C-SiC* 4H-SiC* 6H-SiC* GaN
(AlGaN/GaN)
C
(Diamond)
Ширина запрещённой зоны, Eg эВ при 300K 1.12 1.42 1.34 2.4 3.26 3 3.39 5.47
Подвижность электронов, In 300 К, см2/В*c 1500 8500 4600 1000 950 500 2000 2800
Подвижность дырок, Ip 300 К, см2/В*c 600 400 150 40 120 80 200 2100
Скорость дрейфа электронов при насыщении, vsat * 107 см/с 1.0 2.1 2.3 2.5 2.0 2.0 2.7 1.5-2.0
Критическое электрическое поле, Ec МВ/см 0.025 0.4 0.5 2.0 2.2 2.5 5.0 20.0
Коэффициент теплопроводности, K Вт/см*К
при 300 К
1.5 0.55 0.7 3.0-4.0 3.0-4.0 3.0-4.0 1.3 24.0
Диэлектрическая проницаемость, ε - 11.68 12.8 12.5 9.7 10 10 9.5 5.7
C FoM** - 1 8.5 21 - 250 - 660 75000

* 3C, 4H, 6H - предполагаемые кристаллические структуры SiC материалов
** C FoM (Combined Figure of Merit) - коэффициент качества материала по отношению к кремнию (Si - Silicon) для мощности и частоты

История развития GaN­технологии насчитывает вот уже более 30 лет. В 1993 году появился первый свето диод GaN­LED, а в 1997 году — первый образец GaN­транзистора и образцы усилителей на его основе. Военные и государственные программы позволили активно развивать и внедрять в жизнь GaN­технологию. Это известная американская программа WBGSTI, позднее — европейские MARCOS, TIGER, KORRIGAN и японская NEDO [5].

В 2001 году был произведен уже первый серийный GaN­транзистор [2]. Далее все ведущие мировые электронные компании, связанные с производством GaAs­компонентов, стали делать собственные инвестиции в GaN­технологию для изготовления усилителей, MMICs и приборов. В 2006–2007 г.г. появились коммерческие серийные GaN­продукты: корпусированные мощные универсальные транзисторы в L и S диапазонах ( 2–4 ГГц) с выходной мощностью от 5 до 50 Вт (позднее — до 120–180 Вт).

Пионерами выхода на коммерческий рынок стали компании Eudyna (Sumitomo) [4], Nitronex [8], Сree [1], RFHIC [5], позже к ним присоединились компании Toshiba, RFMD, M/A­COM Tech., TriQuint [9], OKI [11], Microsemi [12], NXP и др.

Чем больше ширина запрещенной зоны, тем выше допустимая рабочая температура и тем больше сдвинут в коротковолновую область спектра рабочий диапазон приборов, создаваемых на основе соответствующих полупроводниковых материалов. Например, максимальная рабочая температура для приборов на основе GaN достигает 350–400°C, для приборов на основе C (алмаз — diamond) достигает 500–600°C и выше. Ширина запрещенной зоны хорошо коррелирует с температурой плавления материала. Обе эти величины возрастают с ростом энергии связи атомов в кристаллической решетке, поэтому для широкозонных полупроводниковых материалов характерны высокие температуры плавления, что создает определенные трудности на пути создания чистых и структурно совершенных монокристаллов таких полупроводниковых материалов.

Подвижность носителей тока в значительной мере определяет частотные характеристики полупроводниковых приборов. Для создания приборов СВЧ применяются полупроводниковые материалы, обладающие высокими значениями подвижности носителей заряда и способные работать при высоких температурах и высоком уровне радиации, что очень важно для космической промышленности.

Таким образом, чем больше ширина запрещенной зоны, тем устойчивее работа СВЧ транзистора (см. табл. 1) при высоких температурах и высоком уровне радиации, и чем больше концентрация электронов тем выше плотность тока в сечении канала транзистора, что обуславливает высокий коэффициент его усиления. Чем выше максимальная критическая напряженность электрического поля применяемого полупроводникового материала (см. табл. 1), тем выше максимальное напряжение стока СВЧ транзистора (50–100 В) и его пробивное напряжение (от 100 до 300 В), что увеличивает надежность и срок эксплуатации изделия. СВЧ транзисторы, выполненные по GaN­технологии, имеют высокую удельную мощность — до 10 Вт и более на 1 мм ширины затвора, что на порядок превышает удельную выходную мощность СВЧ транзисторов, выполненных по GaAs­технологии [10, 5]. Все еще проблемными, но постепенно решаемыми задачами GaN­технологии остаются обеспечение теплоотвода от активной структуры кристалла и выращивание эпитаксиальных структур GaN [5].

Ранее для радаров с активной фазированной антенной решеткой АФАР (APAR — Active Phased Array Radars или AESA — Active electronically scanned array) твердотельные усилители производились на базе GaAs­технологии. Но на сегодня она обладает более низкой плотностью мощности (0.5–1.5 Вт/ мм, см. табл. 2) по сравнению с высокой плотностью мощности GaN­HEMTs­технолигии (4.0–8.0 Вт/мм ширины затвора СВЧ транзистора) [10].

Таблица 2. Сравнительная характеристика основных параметров GaAs- и GaN-материалов

Свойства материала Единицы измерения GaAsi GaN
Плотность выходной мощности, p(Pout) Вт/мм 0.5-1.5 4.0-8.0
Рабочее напряжение, Vds В/мм 5-20 28-48
Обратное напряжение, Vbr В/мм 20~40 >100
Максимальная плотность тока, p(Imax) А/мм ~0.5 ~1.0
Коффициент теплопроводности, K Вт/м*К 47 390(z)/490(SiC)

Высокая плотность мощности СВЧ транзисторов, выполненных по GaN­технологии позволяет существенно уменьшить габариты и вес твердотельного усилителя радара, что очень важно для авиационных и космических применений, где необходима минимизация веса и габаритов радаров, в т. ч. и радаров с АФАР [15 ,16]. Например, вместо пяти GaAs LDMOS­усилителей можно применить только один GaN­усилитель, обеспечивающий намного лучшие технические характеристики изделия в целом [2].

Коэффициент теплопроводности материала GaN в 8–10 раз выше, чем у GaAs, что позволяет обеспечить лучший и быстрый отвод тепла от чипа MMIC и более высокую плотность мощности, (см. табл. 2 и [2]).

Актуальным является решение задачи производства систем связи и радаров на базе новых продуктов GaN для частотных диапазонов C, X, Ku.

Твердотельные усилители и другие изделия на базе GaN­технологии открывают широкие перспективы для разработки новейших устройств и модернизации уже работающих изделий в важных частотных диапазонах 1–4 ГГц, 2–6 ГГц, 4–12 ГГц, 6–18 ГГц, 2–20 ГГц, которые могут стать конкурентными ламповым приборам СВЧ (триоды, тератроны, магнетроны, клистроны и т. д.) по выходной мощности, КПД, габаритным размерам, надежности и цене.

GaN­технология постепенно занимает свое место на рынке военных и космических систем и сможет заменить часть GaAs MMIC продуктов в приемопередающих модулях АФАР сантиметрового и миллиметрового диапазонов [4].

СВЧ усилителеи на основе GaN-технологии компании Sumitomo

Компания Sumitomo была создана в 1897 году и изначально ориентировалась на производство продукции из меди. В начале 90­х годов XX века компания Sumitomo одна из первых освоила GaN­технологию. В 2004 году подразделение полупроводниковой продукции Sumitomo было переименовано в Eudina Devices Inc, а в 2009 году Eudyna Devices Inc. полностью изменила название на Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. На сегодняшний день Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. ( в дальнейшем Sumitomo) вот уже более 30­ти лет является пионером в области разработки, проектирования и серийного производства СВЧ продукции для систем связи, радиоастрономии, радаров общего и специального назначения для различных отраслей промышленности и специальных применений.

В настоящее время компания Sumitomo производит следующую продукцию:

  • транзисторы GaN­HEMTs: для базовых станций, радаров и общего применения;
  • монолитные интегральные схемы MMICs: Ku и V диапазонов малощумящие, Ka диапазона мощные, C и V диапазонов;
  • мощные усилители GaN на палетах и MMICs;
  • конвертеры Ku и Ka диапазонов;
  • мультиплексоры Ku и V диапазонов;
  • генераторы с широким динамическим диапазоном;
  • транзисторы GaAs FETs: большой мощности, мощные и маломощные, на кристалле.

Таблица 3. Области применения продукции Sumitomo на основе GaN-технологии

Продукция Технология Серия Область применения / длительность импульса Диапазон длины волн Диапазон рабочих частот, ГГц Выходная мощность, Вт/дБм Напряжения (В) / импеданс (Ом) / КПД (%)
Транзисторы GaN-HEMTs EGN13 Радары импульсные / 3мс/10%, 1.5мс/25% VHF-L 1.2-1.4 170 50/50/
Транзисторы GaN-HEMTs EGN Радары импульсные / 5мс/10%, 750мкс/25% VHF-S 2.7-3.5 120-600 50/50/
Транзисторы GaN-HEMTs SGN Радары импульсные / 300мкс/10% VHF-S 2.9-3.5 150-600 50/50/
Транзисторы GaN-HEMTs EGNB Радары непрерывного излучения (CW) VHF-S 3.5 /40 50/50/
Транзисторы GaN-HEMTs EGN31 Радары непрерывного излучения (CW) VHF-S 3.1 /45.5 50/50/
Усилители на палетах, мощные GaN-HEMTs SMC Радары импульсные / 300мкс/10% VHF-S 2.9-3.5 150-600 50/50/50
Усилители на палетах, мощные GaN-HEMTs EMC Радары импульсные / 5мс/10%, 750мкс/25% VHF-S 3.1-3.5 100 50/50/50
Усилители New GaN-HEMTs SGNC Беспроводная связь и базовые станции UHF-S 0.9-2.6 300/66 50//
Усилители GaN-HEMTs EGNC-EGN3 Беспроводная связь и базовые станции UHF-S 0.9-3.5 70~270/47~53.5 50//
Усилители GaN-HEMTs EGNB Общего применения UHF-S 0.9-3.5 10-90/41-53 -
Усилители GaN-HEMTs SGNE Общего применения UHF-S 0.9-3.5 10-90/40.5-51 -

Таблица 4. Области применения продукции Sumitomo, в том числе MMIC, на основе GaAs-технологии

Продукция Технология Серия Область применения / длительность импульса Диапазон длины волн Диапазон рабочих частот, ГГц Выходная мощность, Вт/дБм Напряжения (В) / импеданс (Ом) / КПД (%)
Усилители, конверторы GaAs WLCSP* MMICs SMM/EMM Системы связи C-E 12.7-30.0 /26-33 6
Усилители GaAs MMICs SMM/EMM VSAT и приёмопередатчики систем связи S-C-Ka 3.4-30.0 /30.0-33.5 6/14-29
Усилители GaAs MMICs EMM/SMM/FMM VSAT и приёмопередатчики систем связи S-C-V 3.4-64.0 /26-34 3-7/17-29
Усилители GaAs MMICs EMM/SMM/FMM VSAT и приёмопередатчики систем связи Ku-V 12.0-64.0 /7-20 /13.5-23
Конверторы GaAs MMICs SMM/FMM Спутниковая радиосвязь Ku-Ka 12.0-32.0 /5.0 /10-12
Мощные усилители GaAs FETs FLM/ELM Радиосвязь L-C 2.0-15.3 /39 10/9.5-11.5
Мощные усилители GaAs FETs FLU/FLL/FLC/FLX/FLK Мобильная и сотовая связь, WCDMA, LTE и WiMAX L, S, C, X, Ku 2.0-15.0 40-80/ 10/6.0-13.0
Маломощные усилители GaAs FETs PSU/FSX Усилители средней мощности и генераторы C 8.0-14.5 /15-24 8-10/10/18
Усилители, смесители, конверторы GaAs HEMTs FHC/FHX DB S-конверторы, беспроводная и мобильная связь, радиоастрономия и др. S-C 4.0-12.0 - 2.0/10.0-15.5

* WLCSP - Wafer Level Chip Scale Package

СВЧ транзисторы для авиационных, наземных и надводных радаров (АФАР), систем беспроводной связи, систем опознавания и системы РЭБ выпускаются по различным технологиям.

СВЧ транзисторы L, S диапазонов длин волн выпускаются компанией Sumitomo по новейшей технологии на основе gallium nitride (GaN). Нитрид галлия — великолепный материал для производства мощных СВЧ транзисторов и палет, поэтому новейшие разработки и производство СВЧ транзисторов на основе GaN (GaN­HEMTs, GaN­on­Si, GaN­on­SiC) являются на сегодня наиболее эффективными и перспективными. Ниже представлены новые продукты компании Sumitomo, разработанные по технологиям GaN­HEMTs и GaAs MMICs.

Новые продукты компании Sumitomo Electric Europe, Ltd

SMC2935L3012R* Pallet SMC2933L6012R Pallet SGN2933-600D-R SMM5139XZ Chip

SMC2935L3012R* Pallet

Усилитель GaN-HEMTs на палете,
Pвых > 300 Вт в диапазоне частот 2.9-3.5 ГГц (S-band),
усиление (Gain) = 12.8 дБ,
Vds = 50 В,
Ids = 1.5 А,
P/D = 300 мкс/10%,
импеданс 50 Ом,
Eff = 48 %

SMC2933L6012R Pallet

Усилитель GaN-HEMTs на палете,
Pвых > 600 Вт в диапазоне частот 2.9-3.5 ГГц (S-band),
усиление (Gain) = 12.8 дБ,
Vds = 50 В,
Ids = 3.0 А,
P/D = 300 мкс/10%,
импеданс 50 Ом,
Eff = 50 %

SGN2933-600D-R

Транзистор GaN-HEMTs,
Pвых > 600 Вт в диапазоне частот 2.9-3.3 ГГц (L-band),
усиление (Gain) = 12.8 дБ,
Vds = 50 В,
Ids = 3.0 А,
P/D = 300 мкс/10%,
импеданс 50 Ом,
Eff = 50 %

SMM5139XZ Chip

Конвертор понижающий GaAs MMIC,
Pвх. = 2 дБм в диапазоне частот 12.7-15.4 ГГц (E-band),
усиление (Gain) = 10 дБ,
Кшума = 2.5 дБ,
Vd = 5 В

Актуально и применение законченных усилительных субмодулей­палет с импендансом 50 Ом. Они находят применение в авиации, системах беспроводной связи, радарах S и L диапазонов частот (табл. 3).

Во многих случаях на палету устанавливаются два и более дискретных элемента для достижения усиления, которое не может быть получено при использовании одного элемента. Палета выполнена по специальной технологии [4], которая позволяет создавать компактные устройства. Небольшие размеры палеты идеальны для авиационных применений. Еще одним немаловажным фактором, способствующим применению палет, является улучшение технологичности (в т. ч. повторяемости) производства радарных систем на их основе.

Компания Sumitomo также активно разрабатывает продукты на основе новой технологии GaN­on­SiC (нитрид галлия на карбиде кремния) [17]. Продукты на основе этой технологии находят свое применение в военной промышленности.

В 2014 году будут представлены еще несколько новых продуктов на базе GaN­on­SiC­технологии в дополнение к уже производимой серии для радаров.

Продукция Sumitomo на основе GaN-технологии и ее применение

Для СВЧ усилителей важны такие параметры: диапазон частот (МГц), напряжение питания (В), выходная мощность (Вт), значение входного/выходного импенданса, коэффициент усиления (дБ), КПД (%) и коэффициент заполнения (%) (см. табл. 3).

Мощные СВЧ транзисторы работают в широком диапазоне частот и обеспечивают максимальную мощность в нагрузке. Транзисторы находят соответствующее применение для различных диапазонов частот.

На сегодня популярность и коммерческий успех GaN­транзисторов связаны с их реальными преимуществами на системном уровне, как то: простота и дешевизна схемотехнической реализации мощных усилителей; простота получения широких полос усиления; перекрытие одним мощным усилителем нескольких поддиапазонов станции; снижение энергопотребления изделия (радара) и связанных с ним издержек; уменьшение сложности и стоимости систем охлаждения. Производители надеются в ближайшее время достигнуть оптимальной цены GaN­транзисторов $1/1 Вт.

Уже освоены GaN­приборами L, S, SHF диапазоны длин волн. Например, усилитель мощностью 10 Вт L­диапазона имеет значение КПД более 70–80 %, а усилители мощностью 100–600 Вт — 50 %.

Продукция Sumitomo на основе GaAs-технологии и ее применение

В последующие несколько лет продукты на базе GaN­технологии будут востребованы как в новых изделиях, так и для модернизации уже существующих (например, ламповых усилителей радаров), поэтому их производство и продажа будут неуклонно расти. Но в зависимости от решаемой задачи и области применения, а также в связи с длительностью эксплуатации уже произведенных изделий и систем актуальными останутся и СВЧ продукты на основе GaAs­технологии.

Основные параметры продуктов Sumitomo на базе GaAs­технологии приведены в таблице 4.

GaAs СВЧ транзисторы надежно заняли свою нишу в линейке продуктов для систем спутниковой и беспроводной и мобильной связи связи, радиоастрономии и других применений, где необходимы сверхмалошумяшие усилители с высоким коэффициентом усиления. GaAs СВЧ транзисторы также работают в широком диапазоне частот, обеспечивая в усилителях и генераторах с широким динамическим диапазоном (вплоть до X­диапазона) высокий коэффициент усиления и низкий коэффициент искажений сигнала, что обеспечивает максимальную мощность в нагрузке. GaAs СВЧ транзисторы и MMICs усилители, генераторы, конвертеры находят соответствующее применение для различных диапазонов частот (см. табл. 4).

Компромисс GaN- и GaAs-технологий или новые технологии на алмазе?

Дя оценки и сравнения возможностей применения GaN­ и GaAs­транзисторов и MMICs в схемах широкополосных усилителей мощности, а также возможностей принятия оптимального технического решения можно применить метод "миграции" с одного материала SiC на другой и провести простой анализ их удельных (отнесенных к 1 мм ширины затвора транзистора) параметров. Для этого предлагается воспользоваться известными оценками для усилителя класса А с максимальной выходной мощностью Pmax и оптимальным сопротивлением нагрузки транзистора Ropt [5].

В настоящее время разработчики GaN­приборов проявляют большой интерес к широкополосным системам связи. В первую очередь это касается применения GaN­транзисторов в базовых станциях стандартов W­CDMA, UMTS и Wi­MAX. Прогнозируется, что к 2014 году в общем объеме выпуска GaN­приборов рынок применения в широкополосных коммерческих системах связи и телевидения будет составлять 63 % против 26 % в военных системах [5].

В ближайшее десятилетие сантиметровый и миллиметровый диапазон длин волн станет ареной серьезной борьбы и компромисса двух промышленных технологий производства мощных твердотельных монолитных интегральных схем MMICs, дискретных СВЧ продуктов и усилителей на палетах, практически равных по частотным и усилительным свойствам. Одна из них (GaN) дает серьезные преимущества в максимальных электродинамических и минимальных весо­габаритных параметрах и минимальной стоимости источников питания, а другая (GaAs) имеет пока минимальную себестоимость и максимальный уровень освоенности в массовом производстве [5].

Таким образом, началась смена поколений технологий, котрая обеспечивает скачок на порядок в улучшении параметров твердотельных усилителей мощности. Еще есть возможность успеть реализовать многие проекты на основе GaN­технологии. Но время идет вперед и появились уже более новые технологические решения на алмазе (Diamond FETs).

Искусственный синтез монокристаллов алмаза в мире изучается очень активно еще с 90­х годов 20­го века. Компанией Sumi tomo Electric Industries, Ltd., начиная с 1990 г., были заявлены в Бюро по патентам и товарным знакам США и получены несколько патентов по разработке полевых транзисторов на алмазе:

  • патент US5127983 заявлен 21.05.1990 г., выдан 07.07.1992 г.: Method of producing single crystal of high­pressure phase material;
  • патент US5903015 заявлен 14.09.1995 г., выдан 11.05.1999 г.: Field effect transistor using diamond;
  • патент US5584045 заявлен 06.11.1995 г., выдан 10.12.1996 г.: Polycrystalline diamond tool and method for producing same.

Алмаз, благодаря своим совершенно уникальным свойствам, в настоящее время рассматривается как идеальный материал для создания нового поколения наноразмерных электронных компонентов [7, 13, 14]. Было обнаружено, что при обработке в водородной плазме алмаз приобретает поверхностную проводимость дырочного типа. Такие свойства гидрированного алмаза позволили создать полевой транзистор на его основе. Например, в 2009 г. была достигнута ширина затвора алмазного транзистора 50 нм, что в 1000 раз меньше, чем толщина человеческого волоса, и в 2 раза меньше, чем размеры предыдущего "рекордсмена мира" производства японской фирмы NTT [13, 14].

Традиционные материалы GaN и GaAs имеют свои сильные и слабые стороны, в то время как алмаз практически универсален. Алмазные транзисторы (Diamond FETs) смогут найти широкое применение, например, в устройствах медицинских томографов терагерцового диапазона, в системах безопасности автомобилей и т. д. [18].

Высокая радиационная стойкость алмаза позволяет рассматривать его как перспективный материал для бортовых УФ­детекторов, предназначенных для космических исследований. CVD­алмаз может служить и материалом детекторов частиц высоких энергий (альфа­частиц, гамма­квантов и нейтронов).

Конкурировать по совокупности параметров с алмазом не может ни один существующий на сегодня полупроводниковый материал (см. табл. 1 и рис. 1) [18]. Исходный материал для создания транзисторов на алмазе производят методом химического осаждения из водородно­паровой фазы. Для формирования структуры таких транзисторов на поверхности алмазной пленки используется технология электронно­лучевой литографии. Благодаря большим размерам алмазные пленки перспективны для создания позиционно­чувствительных и микрополосковых детекторов излучения УФ и рентгеновского диапазонов.

Рис. 1. Зависимость выходной мощности и рабочей частоты СВЧ систем и устройств от применяемого полупроводникового материала

Зависимость выходной мощности и рабочей частоты СВЧ систем и устройств от применяемого полупроводникового материала

 

Образцы, серийную продукцию СВЧ, в т. ч. и Sumitomo можно заказывать уже сейчас. Детальную информацию можно получить в ООО "Виаком" тел.: (044) 507-02-02, добавочный номер 129, Олег Колотун (oleg.kolotun@biakom.com)
http://www.biakom.com/,
http://www.biakom.com/hfuhf/production/devices/,
http://biakom.com/providers/info/821,
http://www.sedi.co.jp/e/products/newproducts/gan_hemt-radar.html

Литература:

  1. Rad Effects in Emerging GaN FETs. NASA.11.07.2012.
  2. GaN Technology for Radars. CS MANTECH Conference, April 23rd— 26th, 2012, Boston, Massachusetts, USA.
  3. Фармикоун Г. и др. Технология мощных СВЧ LDMOS­транзисторов для радарных передатчиков L­диапазона и авиационных применений //Компоненты и технологии. 2007. № 10.
  4. Wireless Device Products 2012­2013. Sumitomo Electric Europe, Ltd.
  5. Твердотельные СВЧ усилители мощности на нитриде галлия — состояние и перспективы развития. Кищинский А. А. 2010.
  6. Широкополосные транзисторные усилители мощности СВЧ — смена поколений. Кищинский А. А. 2010.
  7. Модель алмазного СВЧ транзистора.Технология и конструирование в РЭА, 2011, № 6.
  8. NITRONEX Corp.2008 GaN Essentials™ AN­012 Thermal.
  9. Triquint_Wideband Power Amplifier MMICs Utilizing GaN on SiC.978­1­4244­6057­1/10/$26.00 ©2010 IEEE
  10. Кертис Д. Разработка многокаскадных усилителей класса C для импульсных радарных применений // Современная электроника. 2007. № 1.
  11. Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor (GaN­HEMT) Technology for High Gain and Highly Efficient Power Amplifiers. Oki Technical Review.October 2007/Issue 211 Vol.74 No. 3.
  12. Gallium Nitride (GaN) versus Silicon Carbide (SiC).Microsemi PPG. Apr. 2010.
  13. Diamond Field­effect Transistors as Micro wave Power Amplifiers. Makoto Kasu. 2010.
  14. Diamond Semiconductors Operate at Highest Frequency Ever—A Step Closer to Diamond Devices for Communication Satellites, Broadcasting Stations, and Radars.R&D Inf. Vol. 1 No. 7 Oct. 2003.
  15. Evolution of AESA Radar Technology. Car lo Kopp, Monash University_August 14, 2012.
  16. Current Status of Airborne Active Pha sed Array (AESA).Heinz­Peter Feldle.IRS2009.
  17. SUMITOMO Research&Development_2012.
  18. SELEX_GaAs­GaN Enabling Tech nolo gies for Microwave. Sapienza Universitа di Roma. 4–5 Oct. 2012.

Загрузить статью в формате PDF (373 кб) >>




 
изготовление печатных плат | плис altera | микроконтроллеры atmel | магазин электронные компоненты | разъёмы amphenol | трансформаторы hahn | okw | tyco | vicor | marquardt | инструмент pro'skit