Q3 HiPerFET™ мощный MOSFET транзистор в SMPD корпусе

Компания IXYS, лидер в области силовых полупроводниковых приборов, объявила о доступности нового силового MOSFET-транзистора Q3 HiPerFET™ в корпусе Surface Mount Power Device (SMPD) , MMIX1F44N100Q3. Транзистор рассчитан на блокирующее напряжение 1000В и номинальный ток 30А с изоляцией 2500В.

Серия транзисторов Q3 является результатом объединения последних технологий PolarHV™ с двойной металлической структурой улучшенной конструкции, что даёт в результате оптимальное сочетание низкого сопротивления в открытом состоянии R_DS (ON) и заряда затвора Q_g. Кроме того, устройство имеет низкий заряд затвор-сток (Miller) и низкое внутреннее сопротивление затвора (R_GI). Все транзисторы данной серии имеют встроенный обратный диод, что позволяет снизить потери при переключении и использовать транзисторы на высоких частотах.

Технические характеристики MMIX1F44N100Q3:

Применение:

• импульсные источники питания;
• бесперебойные источники питания;
• DC/DC - преобразователи;
• инверторы;
• зарядные устройства;
• системы управления электродвигателями;
• электрические и гибридные транспортные средства

Преимущества:

• низкие R_DS и Q_g;
• низкое внутреннее сопротивление затвора;
• быстрый внутренний диод;
• отличное соотношение dv/dt;
• высокая лавинная устойчивость;
• высокая скорость переключения;
• высокая помехоустойчивость

Более подробную техническую информацию о драйвере MMIX1F44N100Q3 можно получить на сайте компании Ixys: http://ixapps.ixys.com/DataSheet/DS100429%28MMIX1F44N100Q3%29.pdf

Информацию о поставке продукции компании IXYS Corporation можно получить у менеджера по данному направлению - Влащука Андрея,
телефон: +380 044 507-02-02 (добавочный номер 108), e-mail: andrew.vlashchuk@biakom.com