Силовые компоненты Ixys > Новости компании IXYS

IXYS: новые транзисторы с изолированным затвором 650V XPT™Trench
Компания IXYS представила новую линейку транзисторов с изолированным затвором (IGBT) - 650V XPT™ Trench, рассчитанных на ток 30 - 200A при рабочих температурах до 110°C.

IXYS: новое твердотельное реле CPC1907B с изоляцией 5000 Vrms
Компания IXYS представила новое твердотельное реле CPC1907B, представляющее собой однополюсное нормально разомкнутое реле в низкопрофильном 8-выводном корпусе Power SOIC с изоляцией 5000 Vrms и высокой помехозащищённостью.

Семинар: обзор продукции корпорации IXYS
Компания Виаком приглашает вас посетить технический семинар, посвящённый обзору продукции компании IXYS. Семинар пройдёт в рамках выставки "ЭНЕРГЕТИКА. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА. ЭНЕРГОСБЕРЕЖЕНИЕ ".

Q3 HiPerFET™ мощный MOSFET транзистор в SMPD корпусе
Компания IXYS, лидер в области силовых полупроводниковых приборов, объявила о доступности нового силового MOSFET-транзистора Q3 HiPerFET™ в корпусе Surface Mount Power Device (SMPD) , MMIX1F44N100Q3. Транзистор рассчитан на блокирующее напряжение 1000В и номинальный ток 30А с изоляцией 2500В.

Семинар по продукции корпорации Ixys
Приглашаем вас посетить технический семинар, посвящённый обзору продукции корпорации IXYS. Семинар пройдет в рамках выставки Элком "Энергетика, электротехника, энергоэффективность"

Быстровосстанавливающиеся диоды HiPerFRED
За последние годы топология современных источников питания претерпела значительные изменения. Разработка новых быстродействующих транзисторов и IGBT требует применения ультрабыстрых диодов для проводимости реактивных токов и выпрямления переменного тока и работа таких диодов должна быть согласована с параметрами переключения транзисторов.